Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .........структуры памяти только считывающие (ПЗУ) – H01L 21/8246

Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. Сущность изобретения: устройство памяти выполнено из запоминающих ячеек с запоминающим транзистором, в котором на верхней стороне полупроводниковой подложки между областями истока и стока расположен электрод затвора, отделенный от полупроводникового материала диэлектриком, имеющим запоминающий слой между ограничительными слоями. Электрод затвора расположен в канавке, выполненной в полупроводниковом материале между областью истока и областью стока, а запоминающий слой расположен по меньшей мере между областью истока и электродом затвора и между областью стока и электродом затвора. Каждый из электродов затворов находится в электропроводящем соединении с предусмотренной в качестве шины слов проводящей дорожкой. Область истока и область стока одной запоминающей ячейки одновременно служат в качестве соответственно области стока и области истока соседней запоминающей ячейки. Шины слов проходят поперек канавок. Техническим результатом изобретения является создание устройства памяти из запоминающих ячеек с предельно малой потребностью в площади. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 13 ил.