Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ........структуры памяти – H01L 21/8239

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ получения энергонезависимого элемента памяти включает создание нижнего проводящего электрода, буферного изоляционного слоя, слоя, обладающего резистивным переключением, и верхнего проводящего электрода. В способе создают контакт наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением путем электрической формовки структуры. Буферный изоляционный слой и слой, обладающий резистивным переключением, изготавливают из бинарных оксидов с использованием низкотемпературных методов вакуумного напыления. Наличие контакта наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением, локализует область переключения. При этом изменяются параметры элемента памяти: увеличивается отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии, стабилизируются параметры переключения, снижается вероятность деградации структуры, увеличивая общее количество циклов переключения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: в интегральной микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых интегральных схем типа программируемых логических матриц, электрически программируемых постоянных запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ изготовления программируемых элементов в составе ИС включает формирование на полупроводниковой подложке с элементами ИС первого слоя из материала на основе алюминия, первого барьерного слоя, слоя аморфного кремния, второго барьерного слоя и дополнительного слоя на основе Al, формирование маски резиста в виде локальных областей в местах расположения нижних электродов, локальное травление дополнительного слоя на основе алюминия, второго барьерного слоя, слоя аморфного кремния и первого барьерного слоя до первого слоя из материала на основе алюминия, в результате чего формируются локальные области - островки травимых слоев, удаление резиста, формирование маски резиста, покрывающей области расположения проводников нижнего уровня и нижних электродов, локальное травление не покрытых резистом областей первого проводящего слоя из материала на основе алюминия, удаление резиста, формирование изолирующего слоя, формирование маски резиста с окнами над поверхностью островков и поверхностью проводников нижнего уровня, локальное стравливание изолирующего слоя в окнах резиста, удаление резиста, формирование проводников верхнего уровня и верхних электродов методом нанесения и локального травления второго проводящего слоя из материала на основе алюминия. Техническим результатом изобретения является улучшение воспроизводимости электрофизических параметров, в частности пробивного напряжения, повышение надежности и выхода годных изделий за счет повышения воспроизводимости параметров слоя материала программируемых элементов и сопряженных с ним барьерных слоев вследствие того, что эти слои формируются на планарной поверхности и не имеют дефектов, характерных для слоев, формируемых на рельефе. 6 з.п. ф-лы, 15 ил.