Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах – H01L 21/8232
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Изобретение относится к микроэлектронике, используется для изготовления поликристаллических кремниевых затворов полевых транзисторов и межсоединений компонентов в больших интегральных схемах, а также в качестве эмиттеров биполярных транзисторов, резисторов и в качестве материала фотоприемников. Слой кремния наносят посредством магнетронного распыления кремниевой мишени в вакууме. Материал имеет более совершенную аморфную структуру, не содержащую поликристаллических включений. После высокотемпературного легирования фосфором или бором, которое осуществляют при Т=850-900°С, аморфный слой кремния превращается в поликристаллический. Выделение конфигурации конструктивных элементов, например затворов и межсоединений, осуществляют посредством фотолитографии. Предложенный способ изготовления позволяет повысить надежность, безопасность и уровень интеграции МОП СБИС. |
2321920 патент выдан: опубликован: 10.04.2008 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП БИС С ПРЕЦИЗИОННЫМИ ПОЛИКРЕМНИЕВЫМИ РЕЗИСТОРАМИ Использование: в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах. Сущность: в способе, включающем формирование на покрытой диэлектриком полупроводниковой подложке слоя высоколегированного затворного поликремния, удаление слоя затворного поликремния с участков размещения резисторов, осаждение слоя резистивного поликремния и его легирование, формирование рисунка затворов и резисторов фотогравировкой слоев поликремния, техническое окисление резистивного поликремния во влажной среде и формирование истоков, стоков МОП транзисторов и металлизированной разводки, после формирования слоя высоколегированного затворного поликремния проводят его фотогравировку и удаление в местах размещения резистивных участков, оставляя затворный поликремний в местах размещения контактных участков резисторов, осаждают слой резистивного поликремния, проводят легирование слоя резистивного поликремния ионным легированием фосфора или мышьяка с дозой 100-500 мкКл/см2, формируют рисунок поликремниевых затворов и резисторов фотогравировкой и совместным травлением слоев затворного и резистивного поликремния и проводят по крайней мере одно термическое окисление резистивного поликремния во влажной среде при температурах 800-950oC до прокисления слоя резистивного поликремния на 0,4-0,7 его исходной толщины. 3 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2095886 патент выдан: опубликован: 10.11.1997 |
|