Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах – H01L 21/8222

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование первого диэлектрика, легирование эпитаксиального слоя через первый диэлектрик примесью первого типа проводимости, формирование второго диэлектрического слоя, вскрытие окон в первом и втором диэлектриках, на месте будущего коллекторного контакта к скрытому слою, на месте будущего контакта к пассивной области базы, на месте будущей эмиттерной области, формирование на вертикальных стенках третьего разделительного диэлектрика, формирование экранирующих слоев в окнах, формирование четвертого диэлектрика, вскрытие окна в первом, во втором и четвертом диэлектриках под глубокую изолирующую область и окна в четвертом диэлектрике над экранирующим слоем, расположенным на месте будущего коллекторного контакта к скрытому слою, формирование щели травлением в окне эпитаксиального, скрытого слоев и частично подложки под изолирующую область, а в окне, на месте будущего коллекторного контакта к скрытому слою, травлением экранирующего и эпитаксиального слоев, формирование первого диэлектрика в щели, формирование противоканальных областей на дне щелей, формирование в щелях третьего диэлектрика, локальное травление первого и третьего диэлектриков со дна щелей под контакт к подложке и коллекторный контакт к скрытому слою, заполнение щелей поликремнием, планаризацию поликремния до четвертого диэлектрика, расположенного на горизонтальной поверхности подложки, локальное легирование примесью первого типа проводимости поликремниевого контакта к подложке, локальное легирование примесью второго типа проводимости поликремниевого коллекторного контакта к скрытому слою, формирование на поликремнии пятого диэлектрика, локальное травление четвертого диэлектрика на горизонтальной поверхности подложки, локальное удаление пятого диэлектрика, расположенного на поликремнии, на месте коллекторного контакта к скрытому слою и контакту к подложке, локальное легирование примесью первого типа проводимости в поликремниевый контакт к подложке и в экранирующий слой, расположенный на месте контакта к пассивной области базы, локальное легирование примесью второго типа проводимости в поликремниевый коллекторный контакт к скрытому слою и в экранирующий слой, расположенный на месте эмиттерной области, термический отжиг структуры для формирования областей структуры, формирование разводки структуры полицидом тугоплавкого металла. Техническим результатом изобретения является повышение плотности компоновки транзисторных структур за счет самосовмещения, как самих областей транзисторной структуры, так и самосовмещения изолирующей области с контактом к подложке и самосовмещение последних с областями транзисторной структуры. Полностью самосовмещенная технология позволяет также повышать воспроизводимость параметров приборов. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы транзисторов определяются величиной травления тонкого слоя окисла кремния на сколь угодно малую величину, что позволяет формировать комплементарную пару транзисторов в составе одного транзистора с размером эмиттера одного транзистора в области ультрасубмикронных размеров и второго транзистора с субмикронным размером базы. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия интегральных схем за счет использования структуры транзисторов, электроды к базе и эмиттеру в которой формируются на окисле кремния, а реальная площадь контакта электродов с кремнием, определяющая размер базы и эмиттера, задается величиной торцевого травления окисла кремния на сколь угодно малую величину субмикронного или ультрасубмикронного размера. 6 з.п. ф-лы, 12 ил.