Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...получение изоляционных областей между компонентами – H01L 21/76

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p⁺ - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10¹⁸ см^-3 с последующим отжигом при температуре 400-500°C в течение 30 минут. Изобретение обеспечивает повышение напряжения пробоя изолирующих областей полупроводниковых приборов, повышение технологичности, качества и процента выхода годных приборов. 1 табл.

Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе. Техническим результатом изобретения является уменьшение количества дефектов и повышение качества пленок кремния на изоляторе за счет сохранения качества исходного материала. Сущность изобретения - в способе изготовления структуры кремния на изоляторе путем соединения двух кремниевых пластин, одна из которых имеет изолирующий слой на рабочей поверхности, изолирующий слой на рабочей поверхности первой пластины имеет вытравленный контур по краю пластины, а по краю рабочей поверхности второй пластины наносится слой материала, повторяющий по своей форме и размеру вытравленную область на первой пластине и позволяющий закрепить обе пластины между собой при их контакте во время термообработки. 7 ил.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в способе формирования полупроводниковых структур эпитаксиальный слой на исходной пластине наращивают с использованием пластины-источника в режиме химического переноса полупроводника в галогенсодержащей водородной атмосфере с пластин на соседние пластины через зазор при минимальном протоке реагентов или в застойной атмосфере. Использование изобретения позволяет снизить затраты на изготовление эпитаксиальных структур для интегральных схем, дискретных приборов, в том числе и солнечных элементов. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ формирования полной диэлектрической изоляции элементов в полупроводнике включает формирование диэлектрического слоя вокруг поверхности элементов путем его деформационного сдвига относительно массива полупроводника в результате облучения ионами газовых атомов и послерадиационного отжига в химически активной среде. Изобретение позволяет повысить плотность упаковки элементов за счет уменьшения толщины изоляционного слоя, упростить способ за счет исключения ряда операций и сложного оборудования, а также улучшить электрические характеристики микросхем за счет полной диэлектрической изоляции объема элементов. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технологический результат изобретения - повышение подвижности и снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: на кремниевой полупроводниковой подложке формируют двухслойную диэлектрическую систему из пленок диоксида кремния толщиной (0,05-0,09) мкм и нитрида кремния толщиной (0,04-0,08) мкм. 1 табл.

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препятствующих образованию блистеров. Сущность изобретения: в способе, включающем имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины, облучение полупроводниковой пластины проводят в два или три этапа. В первом этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а в другом (других) этапе (этапах) облучение с дозой, меньшей дозы облучения для расслоения пластины, проводят на глубину, отличающуюся от глубины расслоения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей. Сущность изобретения: в способе, включающем имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины, на полупроводниковую пластину после имплантации наносят слой металла, осаждают слой легкоплавкого металла или сплава, а на несущей пластине формируют слой диэлектрика, наносят слой металла. Осаждают слой легкоплавкого металла или сплава, а сращивание проводят в три стадии. Первую стадию проводят при температуре выше температуры плавления легкоплавкого металла или сплава, но ниже температуры образования дефектов на границе соединения пластин, с образованием жидкой фазы металла. Вторую стадию проводят при температуре, обеспечивающей образование твердой фазы металлида, но ниже температуры расслоения полупроводниковой пластины. Третью стадию проводят при температуре, обеспечивающей расслоение облученной полупроводниковой пластины, но не более температуры плавления образовавшегося металлида. 4 н. и 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: в полупроводниковой технологии для создания полупроводниковых структур, в частности, структур кремний-на-изоляторе (КНИ), кремний-на-кремнии (КНК) для производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе изготовления кремниевых пленок осуществляют введение водорода в рабочую пластину кремния, создавая гидрогенизированный слой, затем одновременно с операцией сращивания подложечной пластины с рабочей пластиной в рабочей пластине кремния создают слой противоположного типа проводимости, чем тип проводимости рабочей пластины, за счет ускоренного образования донорных центров в гидрогенизированном слое или сначала осуществляют введение водорода в рабочую пластину кремния, создавая гидрогенизированный слой, затем последовательно в рабочей пластине кремния создают слой противоположного типа проводимости, чем тип проводимости рабочей пластины, за счет ускоренного образования донорных центров в гидрогенизированном слое, подложечную пластину сращивают с рабочей пластиной. Технический результат - повышение качества изготавливаемых пленок, а именно снижение их дефектности. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.