Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп ,21/06 – H01L 21/50
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ГРУППОВОГО МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ ПРИ СБОРКЕ ВЫСОКОПЛОТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ
Изобретение относится к технологии производства многокристальных электронных модулей. В способе группового монтажа кристаллов при сборке высокоплотных электронных модулей изготавливают промежуточный носитель с зеркальным изображением знаков совмещения и временных посадочных мест кристаллов на рабочей стороне, закрепляют промежуточный носитель в установке контактной фотолитографии с системой совмещения так, чтобы рабочая сторона носителя была обращена вниз, на рабочий столик под соответствующее временное посадочное место выкладывают кристалл активной стороной вверх, позиционируют кристалл относительно знаков совмещения на промежуточном носителе, доводят его до контакта с носителем и фиксируют за счет адгезии клеевого слоя, повторяют фиксацию для других кристаллов, промежуточный носитель с необходимым набором кристаллов извлекают из установки контактной фотолитографии и фиксируют на заготовке микрокоммутационной платы, затем демонтируют промежуточный носитель с поверхности кристаллов. Технический результат изобретения - повышение технологичности процесса сборки многокристальных электронных модулей и точности позиционирования кристаллов относительно посадочных мест, а также выравнивание плоскостей активных поверхностей кристаллов с плоскостью верхней поверхности микрокоммутационной платы. 3 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2527661 патент выдан: опубликован: 10.09.2014 |
|
| СПОСОБ ВИБРАЦИОННОЙ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ БЕСКОРПУСНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Изобретение относится к технологии монтажа кристаллов бескорпусных транзисторов. Техническим результатом изобретения является повышение качества монтажа кристаллов бескорпусных транзисторов за счет уменьшения пустот в присоединительном слое. Способ вибрационной пайки кристаллов бескорпусных транзисторов заключается в том, что при реализации вибрационной пайки кристаллов бескорпусных транзисторов частота вибрации инструмента на основе незначительного числа экспериментов устанавливается минимизирующей процент пустот в присоединительном слое. |
2510545 патент выдан: опубликован: 27.03.2014 |
|
| СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННЫХ В ПЛАСТМАССУ
Способ стабилизации электрических, загерметизированных в пластмассу. Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу. Способ стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов содержит посадку полупроводникового кристалла с изготовленной структурой на выводную рамку, разварку проволочных выводов с кристалла на внешние вывода прибора, герметизацию кристалла в пластмассовый корпус, вырубку готового полупроводникового прибора из рамки, а также проведение операций старения, термоциклирования, электротермотренировки и измерения электрических параметров. Вырубленные из рамки готовые полупроводниковые приборы обрабатывают экстрагирующим веществом, содержащим в своем составе частицы с электрическим зарядом, противоположным тому, который имеют ионизированные частицы загрязняющих пластмассовый корпус примесей. Изобретение позволяет исключить дрейф электрических параметров, связанный с электрическим зарядом, который имеют ионизированные частицы загрязняющих пластмассовый корпус примесей. 1 ил. |
2484550 патент выдан: опубликован: 10.06.2013 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО НЕЛИНЕЙНОГО РЕЗИСТОРА В СТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления нелинейных полупроводниковых резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Способ изготовления нелинейного полупроводникового резистора в стеклянном корпусе включает крепление на противоположных торцах кристалла металлических выводов, площадь поперечного сечения которых больше площади торцов кристалла, герметизацию в корпус, выполненный в виде стеклянной трубки с внутренним диаметром, равным диаметру металлических выводов. Процесс ведут одностадийно на этапе герметизации в корпус, где в момент смачивания стеклом металлических выводов через кристалл и металлические выводы подают импульс тока с амплитудой 0,05-3,0 А длительностью 8-20 мс с одновременным отключением внешнего нагрева. В результате создается надежный электрический контакт металлических выводов к полупроводниковому кристаллу, упрощается технология изготовления с обеспечением управления номинальным сопротивлением резистора. 2 ил. | 2197032 патент выдан: опубликован: 20.01.2003 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффектах Пельтье или Зеебека, прежде всего холодильных термоэлектрических устройств, а также термоэлектрических генераторов электроэнергии. Сущность изобретения: способ изготовления термоэлектрических модулей (ТМ) включает нанесение припоя на покрытые никелем или кобальтом рабочие торцы ветвей полупроводникового термоэлектрического материала, пайку рядов ветвей в термоэлемент или ряд термоэлементов и пайку термоэлементов или рядов термоэлементов в ТМ с использованием одного и того же припоя, причем при максимальном значении рабочей температуры горячего спая ТМ до 120oС используют многокомпонентный припой, который содержит от 10 до 52 мас.% олова, от 15 до 48 мас.% индия, от 0 до 10 мас.% кадмия, от 0 до 10 мас.% сурьмы, остальное - свинец, а при максимальном значении рабочей температуры горячего спая ТМ до 290oС используют многокомпонентный припой, который содержит от 1,2 до 5,0 мас. % олова, от 1,5 до 6 мас. процентов серебра, остальное - свинец, при этом пайку проводят в течение от 5 до 10 с при температуре, превышающей температуру ликвидуса припоя от 20 до 30oС. Технический результат изобретения - повышение качества изготовления термоэлементов и ветвей из них и тем самым улучшение эксплуатационных параметров модулей. 4 ил. | 2195049 патент выдан: опубликован: 20.12.2002 |
|
| СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Использование: при монтаже кристаллов полупроводниковых приборов в объеме подложки гибридной интегральной схемы или в основании корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - обеспечение за счет предотвращения деформации подложки повышения технологичности процесса и точности посадки кристалла. Сущность способа заключается в том, что на установочной поверхности выполняют углубление размером, превышающим размеры кристалла. С помощью захвата в виде инструмента с плоским торцем и капиллярным отверстием, расширяющимся к его торцу, захватывают кристалл и ориентируют его над углублением. Перед запрессовкой кристалла в углубление помещают дозированное количество связующего материала. Кристалл запрессовывают в связующий материал до упора части плоского торца инструмента, выступающей за габариты кристалла, в установочную поверхность. Запрессовку прекращают в момент выравнивания плоскости лицевой поверхности кристалла с поверхностью, в которой выполнено углубление, после чего отключают захват. 7 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2136078 патент выдан: опубликован: 27.08.1999 |
|