Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою – H01L 21/385
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/385 .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА В КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ Использование: в электронной технике, например в производстве кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ включает предварительное окисление в сухом кислороде пластин нитрида бора, расположенных в держателе перпендикулярно потоку газа, размещение кремниевых пластин в держателе посередине зазора между пластинами нитрида бора, последующую термообработку кремниевых пластин в атмосфере сухого кислорода при температуре в диапазоне 840-900oС, изменение атмосферы на нейтральную, повторную термообработку при температуре 840-900oС или 780-840oС. При этом кислород и нейтральный газ подвергают осушке пропусканием через концентрированную серную кислоту, а загрузку кремниевых пластин в держатель осуществляют в сухой атмосфере. Технический результат изобретения заключается в создании областей, легированных бором, с высокой степенью равномерности и воспроизводимости высоких значений поверхностного сопротивления. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл. | 2183365 патент выдан: опубликован: 10.06.2002 |
|