Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....полевых транзисторов – H01L 21/335

Изобретение относится к технологии полупроводниковых устройств. В способе формирования электронного устройства удаляют фоторезист с по меньшей мере одной поверхности проводящего слоя с использованием смеси реактивов, которая содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста, таким образом осаждают самоорганизующийся монослой на по меньшей мере одну поверхность указанного проводящего слоя и осаждают полупроводниковый материал на самоорганизующийся монослой, нанесенный на проводящий слой, без озонной очистки проводящего слоя. Техническим результатом изобретения является упрощение способа формирования электронного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец. При этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Изобретение обеспечивает повышение надежности полупроводникового прибора и увеличение срока его службы, а также позволяет упростить изготовление прибора с высоким значением теплоотвода от активной части. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного защитного диэлектрического слоя по всей топологии кристалла транзистора посредством плазмохимического нанесения, общей толщиной 0,15-0,25 мкм, формирование размера кристалла транзистора посредством процессов литографии и химического травления. Перед формированием размера кристалла транзистора в области электрода затвора дополнительно проводят локальное плазмохимическое травление защитного диэлектрического слоя на глубину, равную его толщине и непосредственно далее проводят формирование защитно-пассивирующих диэлектрических слоев посредством плазмохимического нанесения прямой последовательности системы диэлектрических слоев нитрида и диоксида кремния толщиной, равной каждый 0,045-0,050 мкм, причем плазмохимическое нанесение последних и защитного диэлектрического слоя осуществляют при одинаковых технологических режимах - при мощности плазмы 300-350 Вт, в течение 30-35 с, при температуре 150-250°С, а при формировании размера кристалла транзистора осуществляют химическое травление защитно-пассивирующих диэлектрических слоев и защитного диэлектрического слоя и в едином технологическом цикле. Технический результат - повышение выходной мощности и коэффициента усиления мощных транзисторов СВЧ, при сохранении их долговременной стабильности. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и травления диэлектриков, гальванического осаждения золота, формирование на лицевой стороне подложки вне топологии транзисторов канавок заданного размера, утонение подложки, формирование сквозных заземляющих отверстий для электродов истока транзисторов, формирование общего интегрального теплоотвода, формирование интегрального теплоотвода каждого кристалла транзистора, разделение полупроводниковой подложки на кристаллы транзисторов, используют полупроводниковую подложку с заданной структурой активных слоев, имеющей два стоп-слоя с заданным расстоянием между ними, обеспечивающим минимальное тепловое сопротивление, а утонение обратной стороны полупроводниковой подложки осуществляют до стоп-слоя, расположенного вблизи этой стороны, а сквозные заземляющие отверстия формируют непосредственно на электродах истока, толщину общего интегрального теплоотвода задают типом последующего монтажа кристалла транзистора. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности путем снижения теплового сопротивления, паразитных последовательного электрического сопротивления и индуктивности заземления электродов истоков, повышение выхода годных, воспроизводимости и расширение функциональных возможностей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил, 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов или сверхвысокочастных интегральных схем на полевых транзисторах. Техническим результатом изобретения является упрощение получения подзатворных щелей в диэлектрике с размерами, меньшими 100 нм. Сущность изобретения: в способе изготовления полевого транзистора, включающем создание контактов стока и истока, выделение активной области, нанесение пленки диэлектрика на поверхность контактного слоя, формирование субмикронной щели в пленке диэлектрика для последующих операций травления контактного слоя и нанесения металла затвора через маску резиста, сразу после нанесения пленки диэлектрика проводят литографию для вскрытия окон в диэлектрике, у которых, по крайней мере, один из краев совпадает с местоположением затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе, а после вскрытия окон на всю поверхность наносят второй слой диэлектрика и удаляют резист, а затем посредством новой литографии создают окна в резисте, окружающие щели, образованные между двумя диэлектриками, проводят селективное травление контактного слоя и напыляют пленки металлов для формирования затворов. 6 ил.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры пары электродов транзистора, образующих омические контакты, посредством метода литографии, травления и последующего напыления металла или системы металлов, формирование канала транзистора посредством электронной литографии и травления, нанесение маскирующего диэлектрического слоя, формирование в маскирующем диэлектрическом слое субмикронной щели посредством электронной литографии и травления, при этом субмикронную щель формируют с переменным поперечным сечением, уменьшающимся по ее высоте от широкой верхней части, примыкающей к шляпке упомянутого управляющего электрода, к узкой нижней части, примыкающей к каналу транзистора, формирование топологии упомянутого управляющего электрода методом электронной литографии, формирование в субмикронной щели упомянутого управляющего электрода посредством напыления металла или системы металлов, при этом конфигурация его основания повторяет конфигурацию субмикронной щели. При формировании в маскирующем диэлектрическом слое субмикронной щели с переменным поперечным сечением, уменьшающимся по ее высоте, посредством электронной литографии и травления травление маскирующего диэлектрического слоя осуществляют в одном едином технологическом процессе в высокочастотной плазме гексафторида серы, кислорода и гелия и мощности разряда 8-10 Вт. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности и коэффициента усиления, повышение воспроизводимости указанных выходных параметров и соответственно выхода годных, упрощение и снижение трудоемкости изготовления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов, напылении металлов, нанесении и травлении диэлектриков, гальванического осаждения золота, формировании канавок на лицевой стороне пластины вне топологии транзисторов для задания размера кристаллов транзисторов, утонении полупроводниковой пластины, формировании на обратной стороне пластины канавок непосредственно под канавками на лицевой стороне, формировании сквозных заземляющих отверстий для выводов транзисторов, формировании интегральных теплоотводов кристаллов транзисторов на базе интегрального теплоотвода с последующим разделением полупроводниковой пластины на кристаллы транзисторов химическим травлением с использованием интегральных теплоотводов кристаллов транзисторов в качестве маски. Техническим результатом изобретения является повышение мощности путем снижения теплового сопротивления, повышение выхода годных и упрощение способа изготовления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования, при этом оставляют открытыми области подложки в виде полосок между первыми электродами, осаждение барьерного слоя, покрывающего первые электроды вплоть до подложки, легирование подложки в открытых областях, осаждение электропроводящего материала поверх легированных областей подложки с формированием вторых параллельных полосковых электродов, удаление барьерного слоя, при котором оставляют вертикальные каналы, проходящие вниз до нелегированных областей подложки между первыми и вторыми электродами, легирование подложки в открытых областях нижней части каналов, заполнение каналов барьерным материалом, удаление первых электродов, при котором оставляют промежутки между вторыми электродами и открывают между ними области подложки, легирование открытых областей подложки в промежутках, из которых были удалены первые электроды, осаждение электропроводящего материала в указанных промежутках для восстановления первых электродов и получения тем самым электродного слоя, содержащего первые и вторые параллельные полосковые электроды, по существу, равной ширины, которые граничат с легированной подложкой и отделены друг от друга только тонким слоем барьерного материала, при этом, в зависимости от легирующих примесей, использованных на этапах легирования, первые электроды образуют электроды истока или стока, а вторые электроды - соответственно электроды стока или истока транзисторных структур, осаждение изолирующего барьерного слоя поверх электродов и разделительных барьерных слоев, осаждение электропроводящего материала поверх барьерного слоя и формирование на указанном электропроводящем материале рельефа параллельных полосковых электродов затвора, ориентированных поперечно электродам стока и истока, с получением тем самым матрицы структур полевых транзисторов с очень короткой длиной канала и произвольно большой шириной канала, определяемой шириной электрода затвора. Техническим результатом изобретения является достижение сверхмалой длины каналов транзисторов с использованием технологических приемов, не связанных с литографией, за счет совмещения элементов, при сокращении площади, занимаемой схемой на подложке. 10 з.п. ф-лы, 17 ил.