Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования – H01L 21/326

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе формирования содержащего нанокристаллы диэлектрического слоя на подложке изготавливают исходную диэлектрическую пленку, содержащую материал для формирования нанокристаллов, проводят лазерную обработку исходной диэлектрической пленки, вызывающую в ней агрегацию материала для формирования нанокристаллов и соответственно формирование последних, при лазерной обработке используют импульсное излучение с длительностью импульса и плотностью энергии, обеспечивающими наличие фазового перехода кристаллизации, стимулированного электрон-дырочной плазмой, с отсутствием передачи энергии решетке диэлектрика, при средней длине волны излучения, обеспечивающей наличие поглощения по всей толщине исходной пленки. За счет отсутствия при реализации способа явлений негативного разогрева достигается расширение ассортимента подложек и исходных диэлектрических пленок для изготовления приборных структур. 8 з.п. ф-лы, 4 ил.