Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......электролитическое травление – H01L 21/3063

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства управляемых микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в канальной матрице помимо пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами и осажденного материала на фронтальной поверхности этой пластины создан промежуточный диэлектрический слой двуокиси кремния и нанесена металлическая пленка на фронтальную поверхность пластины с вскрытыми каналами, имеющими заданный поперечный размер. Техническим результатом изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик за счет введения электродов и применение электрокинетического и электрофизического контроля, что позволяет расширить номенклатуру изделий мембранной техники на основе биосовместимого и высокотехнологичного кремния. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, вскрытые микроканалы перекрывают пробками из наночастиц двуокиси кремния и на сплошной поверхности матрицы формируют низкотемпературным осаждением пленку пористого кремния, из пор которого затем создают каналы во всем нанометровом диапазоне. Техническим результатом изобретения является значительное уменьшение поперечных размеров каналов, диапазон которых 1-100 нм охвачен единой технологией изготовления, что позволяет расширить номенклатуру и удешевить изделия наномембранной техники на основе биосовместимого и высокотехнологического кремния. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики. В способе получения кремниевой микроканальной матрицы анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в водном растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, проводят в режиме изменяемой во времени плотности электрического тока по гиперболическому закону третьего порядка. Если в раствор добавляют поверхностно-активное вещество или спирт, имеет место экспоненциальный закон. В закон включают три постоянных коэффициента, зависящих от типа раствора электролитов и структурных параметров микроканальной матрицы. Улучшаются эксплуатационные характеристики кремниевых микроканальных матриц за счет придания микроканалам требуемого профиля. 10 ил.

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, прерывают электрополировкой и последующим удалением жертвенной микроканальной мембраны, после чего возобновляют анодное травление. Повышаются коэффициент прозрачности и механическая прочность мембран, улучшаются эксплуатационные характеристики, и расширяется номенклатура изделий. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах. Способ изготовления газопроницаемой мембраны включает нанесение вакуумным напылением на поверхность монокристаллической кремниевой пластины по замкнутому контуру металла, химически устойчивого в концентрированных растворах фтористо-водородной кислоты в условиях анодной поляризации, и последующее двустороннее электрохимическое травление ограниченного упомянутым контуром участка упомянутой пластины. Процесс травления ведут до момента его спонтанного прекращения, определяемого по излому на кривой временной зависимости анодного тока, на площади пластины, не закрытой напыленным металлом. Способ позволяет повысить однородность по толщине фильтрующего слоя сплошного монокристаллического кремния, осуществить механическое упрочнение мембраны и увеличить ее проницаемость по газу. 2 н. и 29 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве, заключается в повышении качества гальванической обработки полупроводниковых пластин и упрощении конструкции устройства. Сущность изобретения: в устройство для односторонней гальванической обработки полупроводниковых пластин, содержащее гальваническую ванну с анодом, в которой расположен подложкодержатель с набором электродных токоподводящих контактов и опорными столбиками, к которым прижата полупроводниковая пластина, дополнительно введена горизонтально расположенная опорная рама с угловым выступом и три игольчатых упора с конструктивными метками в виде колец, при этом подложкодержатель выполнен с направляющей угловой выточкой и установлен на выступ опорной рамы, а кроме того, в устройство введен блок управления источником тока и системой принудительного перемешивания электролита, состоящей из магнитной мешалки с экранирующей пластиной. 5 ил.

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к технологии обработки полупроводниковых материалов, и может быть использовано при обработке полупроводниковых пластин кремния. Сущность изобретения: раствор для электрохимического растворения кремния содержит хлорид аммония, а в качестве растворителя - мочевину при следующем соотношении компонентов, мас.%: хлорид аммония 7-10; мочевина 90-93. Изобретение позволяет управлять скоростью травления кремния при выходе по току, близкому к 100%, и исключить из раствора экологически вредные вещества.

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения А^III B^V n-типа проводимости или из полупроводника А ^IV с шириной запрещенной зоны Е 1,0 эВ и уровнем легирования 10¹⁷-10²⁰ 1/см³. Устанавливают режимы упомянутого травления, обеспечивающие формирование однородно пористых слоев, а процесс травления ведут до момента спонтанного прекращения электрохимического процесса и образования сплошного разделительного слоя стационарной толщины на заданной части площади пластины, определяемых по излому на кривой временной зависимости анодного тока. Газопроницаемая мембрана, полученная таким способом, обладает повышенной проницаемостью для молекул легких газов и повышенными показателями селективности при комнатной температуре. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.