Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка – H01L 21/302

Использование: для формирования сквозных отверстий или углублений в кремниевой подложке. Сущность изобретения заключается в том, что формирование сквозных отверстий в кремниевой подложке осуществляют путем размещения на кремниевой подложке алюминиевого образца с заданной формой поперечного сечения рабочей части образца, соответствующей форме формируемого в подложке отверстия, и высотой рабочей части образца, не меньшей толщины подложки, далее осуществляют нагрев подложки с размещенным на ней алюминиевым образцом до температуры эвтектики, равной 570±10°С, обеспечивая высокоскоростную диффузию атомов кремния в алюминиевый образец, выдерживают подложку с алюминиевым образцом при температуре эвтектики не менее 10 минут, после чего охлаждают подложку с алюминиевым образцом до комнатной температуры. Технический результат: обеспечение возможности снижения рабочей температуры процесса, осуществление технологического процесса при атмосферной среде, исключение необходимости создания температурного градиента, а также увеличение диапазона размеров поперечного сечения отверстий. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении микромеханических гироскопов для измерения угловой скорости. В способе изготовления микромеханического вибрационного гироскопа механическую структуру с крестообразными торсионами формируют из пластины монокристаллического кремния методом анизотропного травления. Анизотропное травление кремния проводят в два этапа. На первом этапе последовательно формируют первый и второй защитные слои с фотолитографическими рисунками, симметричными с двух сторон пластины, и проводят травление кремния в плоскости {110} до получения промежуточной фигуры торсиона в форме выпуклого шестиугольника. А на втором этапе стравливают второй защитный слой и формируют крестообразную форму торсиона путем травления кремния в плоскостях {110} и {100} до плоскостей {111}. Технический результат - повышение технологичности изготовления микромеханического вибрационного гироскопа, содержащего механическую структуру с крестообразными торсионами, за счет сокращения трудоемкости процесса формирования торсионов и повышения качества изготовления торсионов в результате повышения точности воспроизведения геометрических размеров торсионов. 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки. Удаление оксида с поверхности германия осуществляют погружением подложки в раствор соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-4 минут. Очистку германия от неорганических примесей проводят погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду в течение 0,5-1,5 минут; пассивацию поверхности германия в растворе соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-5 минут. Подготовку поверхности подложки ведут при температуре 19-23°С. Способ позволяет упростить процесс предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки за счет сокращения числа стадий обработки при минимальной модификации поверхности подложки.

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей композиции, содержащей водную суспензию частиц абразива и йодсодержащий компонент, согласно изобретению в качестве йодсодержащего компонента композиция содержит йод в виде его раствора в этиловом спирте, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляет от 15 до 20 мас.%, концентрация иода в спиртовом растворе составляет от 0,1 до 1 мас.%, при этом содержание спиртового раствора йода в композиции составляет от 1 до 15 мас.%. В качестве частиц абразива композиция преимущественно содержит частицы цеолита NaX или частицы диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода и водорода, при этом средний размер частиц абразива составляет от 10 до 1000 нм. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способам разделения монокристаллов на пластины, которые в дальнейшем применяются для изготовления подложек, используемых в производстве различных оптоэлектронных элементов и устройств. Сущность изобретения: в способе доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов в процессе резки монокристаллов на пластины алмазными кругами с внутренней режущей кромкой планшайба, закрепляемая на шпинделе привода вращения кристалла, выполнена сборной с возможностью плавного поворота вокруг оси в двух взаимно перпендикулярных направлениях с фиксацией, что позволяет проводить резку монокристаллических цилиндров на пластины с точностью до 1 угловой минуты. Способ предназначен для удобной плавной доводки ориентации резаных пластин с точностью до 1 угловой минуты при разрезании кристаллографически ориентированных цилиндров на пластины алмазными кругами с внутренней режущей кромкой с вращением цилиндров вокруг своей оси в процессе резки. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к полной активации доноров и акцепторов при условии полного устранения остаточных дефектов. Проводят лазерный отжиг кремниевой подложки, содержащей имплантированные примесями аморфные слои толщиной 100 нм в среде водородной плазмы при температуре подогрева кремниевой подложки 600 К, или 640 К, или 645 К, или 650 К, или 655 К. Уменьшается образование точечных дефектов в кремниевых подложках.

Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев размером от 40 мкм × 40 мкм до 100 мкм × 100 мкм. Газофазным травлением удаляют жертвенный слой в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. Травление проводят при низком общем давлении, начиная со значения (0,007 Торр), соответствующего минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до верхнего предельного значения (0,4 Торр), обеспечивающего поддержание постоянной скорости травления и отсутствие диффузионных ограничений. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона - порошкообразный реагент. Травление ведут при механическом перемешивании реагента, смешанного с твердыми, более массивными, чем дифторид ксенона, частицами из инертного материала. Способ обеспечивает за счет снижения скорости травления улучшение плоскостности висящих элементов, повышение воспроизводимости процесса травления и процента выхода годных изделий 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира. Сущность изобретения: в способе изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, калибрование монокристалла проводят до диаметра на 0,2÷0,3 мм более номинального диаметра пластин, а затем шлифуют пластины и делают по их кромке полукруглую фаску по копиру с доводкой диаметра пластин до заданного номинала с одновременным удалением краевых микросколов. Техническим результатом изобретения является уменьшение трудозатрат на изготовление пластин, снижение затрат на инструмент благодаря уменьшению его износа, увеличение производительности.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. Способ включает химико-динамическую полировку поверхности подложки в полирующем травителе, содержащем серную кислоту, перекись водорода и воду в течение 8÷10 мин, снятие слоя естественного оксида в водном растворе соляной кислоты до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки, промывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге. После сушки подложку обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием слоя селенида галлия при температуре подложки - Т_п=(310-350)°С, температуре стенок камеры - Т_с=(230-250)°С, температуре селена - T_Se=(280-300)°C в течение 3÷10 мин, после чего подложку снова помещают на 10÷15 мин в водный раствор соляной кислоты для стравливания слоя селенида галлия. Изобретение позволяет получить атомно-гладкую поверхность арсенида галлия с масштабом неоднородности порядка 3Å, что дает возможность использовать данные подложки для конструирования нанообъектов с помощью эффектов самоорганизации. 4 ил.

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН₃) ₃CNH₃ в этаноле C ₂H₅OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Preparation of bulk oriented samples silver bromide and silver chloride single crystals. «Kristall und Technik», 10(3), 1975, 259-262, STN БД СА, AN 82:132176, abstract. РЕГЕЛЬ В.Р. и др. Выявление выходов дислокаций на поверхность кристалла методом травления. Обзор. «Кристаллография», т.4, вып.6, с.941.

Изобретение относится к электронной промышленности. Сущность изобретения: в способе получения фотошаблонных заготовок полирование проводят в две стадии, первую стадию предварительного полирования проводят с использованием перфорированного полировального полотна на основе синтетических волокон диаметром 8-10 мкм при объемной плотности 0,25 г/см³, причем отверстия перфорации расположены в шахматном порядке, при отношении перфорированной площади к неперфорированной 0,08-0,09:1 при воздействии ультразвука с частотой 20-50 кГц в течение 30-50 мин при температуре 20-40°С и скорости «съема» 0,6-1,0 мкм/мин, после чего проводят контроль съема стекла и отмывку пластин в 3-ступенчатой линии УЗ отмывки с применением ПАВ, а затем проводят вторую стадию финишного полирования, на которой осуществляют «съем» стекла 10-12 мкм в течение 10-15 мин с применением более мягкого полировального полотна. Использование изобретения позволяет повысить качество поверхности стеклянных пластин для фотошаблонов. 1 табл.

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука. Сущность изобретения: устройство для обработки полупроводниковых пластин содержит загрузочную и разгрузочную кассеты, механизмы их вертикального перемещения, механизм извлечения пластины из кассеты, механизм загрузки обработанной пластины в кассету, механизм горизонтального перемещения пластин, блок обработки, включающий центрифугу, установленную в технологической ванне, щетку. Механизм вертикального перемещения разгрузочной кассеты установлен под углом к горизонтальной плоскости в направлении подачи пластин, а механизм извлечения пластин из кассеты и механизм загрузки обработанных пластин в кассету выполнены в виде присоски с вакуумным столиком, установленной на каретке с возможностью продольного перемещения, при этом присоска механизма извлечения пластин из кассеты установлена с возможностью поворота на заданный угол на каретке, закрепленной под тем же углом к горизонтальной плоскости, что и механизм вертикального перемещения разгрузочной кассеты, кроме того, механизм горизонтального перемещения пластин выполнен в виде двух манипуляторов с возможностью поворота в горизонтальной плоскости, каждый из которых снабжен носителем в виде кольца с внутренней конусной поверхностью. Техническим результатом изобретения является повышение надежности работы устройства и качества обработки, а также упрощение конструкции. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров. Производят рентгеновский анализ слитка или були монокристалла для определения направления вырезки и создают на нем вышлифовкой по меньшей мере одну ориентированную "площадку" по граням (0001). После чего с помощью дифрактометра замеряют отклонение от заданной ориентации и повторяют процесс вышлифовки до достижения отклонения менее 3 минут. Производят вырезку заготовок цилиндров из слитка или були монокристалла перпендикулярно по меньшей мере одной плоской "площадке" с четко выраженной гранью на ее поверхности. Затем производят шлифовку торцев цилиндров с точностью отклонения от заданной менее 3 минут. После чего производят калибровку диаметров цилиндров и изготавливают базовый срез на каждом из цилиндров. Производят отжиг цилиндров при температуре 1300-1500°С в течение не менее 8 часов. После резки заготовок цилиндров на пластины производят повторный отжиг. Осуществляют утонение пластин шлифованием и заключительный отжиг на тех же режимах, что и отжиг цилиндров. Такие действия обеспечивают получение тонких пластин сапфира, изготовленных с высокой степенью точности по диаметру и по толщине. 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в электронной технике для получения фотошаблонных заготовок. Сущность изобретения: способ получения фотошаблонных заготовок включает механическую и химическую обработку стеклянных пластин, размещение их в вакуумной камере и нанесение маскирующего слоя хрома путем нагрева испарителя с хромом в атмосфере азота до достижения требуемой оптической плотности, отмывку пластин, нанесение резиста и контроль. До нанесения маскирующего слоя проводят очистку хрома путем переплавки его при температуре 2000-2100°С и остаточном давлении 400-450 мм рт.ст. в атмосфере аргона, охлаждают камеру до комнатной температуры, нагревают испаритель со скоростью 500-700°С в минуту до температуры 1750-1850°С, выдерживают в течение 25-35 секунд, нагревают испаритель до 1860-1950°С и напыляют хром со скоростью 140-160 Å в минуту до достижения требуемой оптической плотности. Техническим результатом изобретения является снижение дефектности маскирующего слоя, получение маскирующего слоя с разной отражающей способностью, повышение экологичности способа. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Использование: в технике полупроводникового производства на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их. Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления устройства за счет уменьшения его габаритов. Сущность изобретения: устройство содержит механизм для химико-механической полировки, механизм вертикального перемещения с держателем для кассет, установленный с возможностью пошагового вертикального перемещения кассет, робот-манипулятор, снабженный захватом для пластин, два робота-перегрузчика пластин, установку отмывки пластин. Держатель для кассет механизма вертикального перемещения выполнен в виде полого вала, закрепленного на верхнем конце шлицевого вала с возможностью поворота его на 360° от привода, при этом на нижнем конце полого вала закреплены n приемных площадок для кассет, где 1<n4, причем оси приемных площадок для кассет развернуты друг относительно друга на 90°, а нижние стороны приемных площадок снабжены направляющими с пазами, аналогичными и соосными пазам кассет. Держатель с кассетами установлен в резервуар с моющим раствором, а захват для пластин робота-манипулятора выполнен в виде съемного кольца, на верхней части которого выполнен скос для размещения пластин и установлены ограничительные подпружиненные штифты. При этом захват для пластин робота-манипулятора снабжен форсунками, установленными сверху и снизу кольца. 3 ил.

Использование: для обработки полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: станок для обработки полупроводниковых пластин содержит пару опорно-приводных роликов, которые служат опорами для вертикально расположенной полупроводниковой пластины и приводятся во вращение соединенным с ними приводным ремнем. Станок также содержит два расположенных друг напротив друга подвижных обрабатывающих пластину блока, каждый из которых содержит первый и второй обрабатывающие элементы, которые производят обработку пластин при их установке в первом и втором положении. Представлен также второй вариант станка для обработки полупроводниковых пластин и узел крепления самоцентрирующейся оправки. Техническим результатом изобретения является разработка станка для круговой обработки полупроводниковых пластин, на котором можно было бы изготавливать пластины с требуемой формой боковых поверхностей при минимальном количестве остающихся на них после обработки круговых царапин и выполнении большого количества технологических операций без перемещения пластины из одной позиции в другую. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения. Сущность изобретения: способ профилирования изделий из тугоплавких и химических стойких материалов путем травления их поверхности наносимым на поверхность слоем взаимодействующего с ними вещества при нагреве заключается в том, что нанесение слоя вещества производят локальным воздействием переднего фронта лазерного импульсного облучения, для чего поверхность изделия подвергают одновременному воздействию лазерных импульсов и паров летучего соединения, пиролитически разлагающегося с получением указанного вещества, причем амплитуда лазерного импульса достаточна для испарения вещества. Способ обладает доступной простотой, поскольку он позволяет производить такие операции, как нанесение травителя, процесс его реагирования с изделием, удаление травителя производить в одном цикле за время лазерного облучения изделия. 3 з.п. ф-лы.

Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур и мембран. Сущность изобретения: в способе обработки полупроводниковых пластин, включающем наклейку пластин на планшайбу с использованием прижима, механическую обработку поверхности пластин, планшайбу выполняют, по крайней мере, с двумя зонами для наклейки пластин, разделенными друг от друга глухими пазами, на одну из этих зон наклеивают стопорные пластины из материала с твердостью, большей твердости материала полупроводниковых пластин, проводят механическую доводку стопорных пластин, на свободную зону планшайбы наклеивают полупроводниковые пластины, причем при наклейке полупроводниковых пластин положения предварительно обработанных стопорных пластин на планшайбе не меняют. При наклейке стопорных пластин используют клей с температурой плавления, по крайней мере, на 15-20°С больше температуры плавления клея, применяемого для наклейки полупроводниковых пластин. Наклейку стопорных пластин проводят прижимом, не зависимым от прижима для полупроводниковых пластин. Техническим результатом изобретения является повышение качества и точности обработки полупроводниковых пластин за счет наличия стопорных пластин из более твердого материала, чем материал полупроводниковых пластин, и возможности раздельной обработки стопорных и полупроводниковых пластин до заданной фиксированной толщины. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.