Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......с использованием масок – H01L 21/266

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении наноструктур. Способ получения структурированной поверхности полупроводников, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой пластины выращивают защитный слой, на который наносят маску со вскрытыми окнами заданного размера, затем проводят облучение поверхности полупроводниковой пластины потоком ионов через маску и защитный слой, что приводит к получению аморфного слоя в полупроводниковой пластине во вскрытых окнах маски. Полученный аморфный слой перед удалением окисляют, затем удаляют оксиды, а также с поверхности полупроводниковой пластины удаляют защитный слой и маску. Использование способа позволяет значительно увеличить площадь структурированной поверхности полупроводниковых пластин с упорядоченно расположенными затравочными областями нанометрового размера, расширить диапазон размеров и сохранить заданные размеры затравочных областей, защитить поверхность полупроводниковой пластины от загрязнений. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.