Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую – H01L 21/223
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/223 .....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ Р-ОБЛАСТИ
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной |
2524151 патент выдан: опубликован: 27.07.2014 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов. Для упрощения технологических процессов при изготовлении полупроводникового светоизлучающего элемента при обеспечения его долговечности и снижении себестоимости в известном способе изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента, включающем выращивание на полупроводниковой подложке эпитаксиальной структуры, нанесение на структуру маски, травление в маске окна, проведение диффузии легирующих примесей в структуру через окно в маске, снятие маски, нанесение контактов, скалывание пластин на кристаллы, посадку кристалла на теплоотвод, в качестве маски на эпитаксиальную структуру наносят дополнительный полупроводниковый слой из материала, обладающего способностью к селективному травлению, толщиной, определяемой из условия d2>d1 (v2/v1), где d1 - суммарная толщина эпитаксиальных слоев, через которые необходимо провести диффузию легирующих примесей; d2 - толщина дополнительного полупроводникового слоя; v1 - средняя скорость диффузии легирующих примесей в эпитаксиальных слоях структуры; v2 - средняя скорость диффузии легирующих примесей в дополнительном полупроводниковом слое.
|
2146842 патент выдан: опубликован: 20.03.2000 |
|
-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек. В способе диффузии бора процесс проводят с применением газообразного источника - диборана (В2Н6) при температуре 960°С и времени 35 минут на этапе загонки, при следующем соотношении компонентов: азот N2=240 л/ч, кислород O2 =120 л/ч и водород Н2=7,5 л/ч, а на этапе разгонки при температуре 1100°С и времени разгонки - 2 часа. Поверхностное сопротивление равно Rs=155±5 Ом/см.