ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием – H01L 21/203

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/203 .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ -SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев -SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения =1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10-4-10 -6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации ( -SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100). 4 ил.

2524509
патент выдан:
опубликован: 27.07.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, СОДЕРЖАЩИХ КРЕМНИЕВУЮ ПОДЛОЖКУ С ПЛЕНКОЙ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ЕЕ ПОВЕРХНОСТИ И РЕАКТОР ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C. Подложки располагают в газопроницаемой камере параллельно друг другу на ребро на расстоянии 1-10 мм, а пленка из карбида кремния формируется путем химической реакции поверхностных слоев кремния подложки с оксидом углерода. При этом газопроницаемая камера служит барьером для прохождения молекул кремнийсодержащего газа, но пропускает продукты его термического разложения. Изобретение позволяет повысить качество получаемых пленок при повышении производительности процесса. 2 н. и 3 з.п.ф-лы, 7 ил.

2522812
патент выдан:
опубликован: 20.07.2014
СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ СТРУКТУР ДЛЯ ПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ, СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ТАКИХ СТРУКТУР И РЕЗИСТИВНЫЙ ИСТОЧНИК ПАРОВ НАПЫЛЯЕМОГО МАТЕРИАЛА И ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ УКАЗАННОГО СПОСОБА РЕГУЛИРОВАНИЯ, А ТАКЖЕ ОСНОВАННЫЙ НА ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЭТОГО ИСТОЧНИКА ПАРОВ СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала. В способе напыления в вакууме структур для приборов электронной техники в получении потока паров одновременно участвуют пластина, температуру нагрева которой поддерживают на уровне величины, задающей скорость роста напыляемой структуры, требуемую для эффективного встраивания легирующих примесей в растущую структуру, и группа пластин, различающихся легирующими примесями, температуры нагрева которых изменяют для регулирования концентрации легирующих примесей в растущей структуре за счет изменения состава потока паров в результате изменения скорости образования паров примесей. Резистивный источник примеси из напыляемого легированного материала выполнен в виде пластины так, что центральная полоса пластины в направлении между токовводами имеет большую толщину, чем полосы, прилегающие к краям пластины. Предлагаемое решение позволяет до минимума сократить количество резистивно нагреваемых источников примеси, вести легирование структур несколькими примесями одновременно. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

2511279
патент выдан:
опубликован: 10.04.2014
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАССИВОВ НАНОКОЛЕЦ

Изобретение относится к технологии получения массивов наноколец различных материалов, используемых в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения массивов наноколец, включающем подложку с нанесенными полистирольными сферами, с нанесенным затем слоем металла и последующим травлением, в качестве подложки используют упорядоченные пористые пленки, а расположение наноколец задается расположением пор в пленочном материале с использованием подходов самоорганизации. Изобретение обеспечивает экономичное, воспроизводимое и контролируемое формирование упорядоченных массивов наноколец. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

2495511
патент выдан:
опубликован: 10.10.2013
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЛКОБЛОЧНЫХ ПЛЕНОК С СОВЕРШЕННОЙ СТРУКТУРОЙ БЛОКОВ

Использование: в физике конденсированного состояния, материаловедении, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов с мелкоблочной структурой и совершенной внутренней структурой блоков. Сущность изобретения заключается в том, что для получения мелкоблочных пленок различных веществ, например висмута, с совершенной структурой блоков используется система нанокластеров данного материала. Способ получения состоит из двух этапов. Первый этап заключается в получении системы нанокластеров. Данные объекты получаются напылением исходного материала, например висмута, в вакууме при температуре подложки несколько ниже температуры его плавления в массивном состоянии, но выше температуры плавления зародышей напыляемого материала критического размера. Далее на полученную систему нанокластеров при температуре подложки, соответствующей росту по механизму «пар-кристалл», производится напыление висмута для формирования сплошного слоя. Техническим результатом изобретения является получение мелкоблочных тонкопленочных образцов с совершенной внутренней структурой блоков.

2474005
патент выдан:
опубликован: 27.01.2013
УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ

Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости слоев напыляемого материала по толщине и повышение качества изготовляемых структур. Сущность изобретения: установка вакуумного напыления содержит подключенный к блоку питания резистивный источник испаряемого материала, обращенный первой стороной к подложке, на которой формируют полупроводниковую структуру, а второй - к приемнику заряженных частиц, подключенному к отрицательной клемме источника ускоряющего напряжения, к положительной клемме которого подключено сопротивление. Приемник заряженных частиц может быть выполнен в виде пластины из тугоплавкого металла. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

2473147
патент выдан:
опубликован: 20.01.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ ТЕЛЛУРА

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является получение пленок и слоев теллура монокристаллической структуры на ориентирующих подложках. Сущность изобретения: получают пленки и слои теллура монокристаллической структуры на гранях кристаллов путем перевода теллура в моноатомный пар и роста из него образцов монокристаллической структуры, при этом процесс осаждения проводят в атмосфере водорода при РН2=1,8 атм, температуре исходного теллура Т 2=600°С и температуре зоны подложки T1=400°C. 4 ил.

2440640
патент выдан:
опубликован: 20.01.2012
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ УПОРЯДОЧЕННЫХ НАНОСТРУКТУР НА ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления упорядоченных наноструктур, используемых в микро- и наноэлектронике, оптике, нанофотонике, биологии и медицине. Технический результат - расширение класса материалов, из которых можно формировать упорядоченные наноструктуры, повышение точности воспроизведения нанообъектов на подложке выше, стабильность процесса формирования наноструктур в одном технологическом пространстве. Заявляемым способом могут быть изготовлены однослойные и многослойные наноструктуры, в том числе содержащие слои различного состава, а также двухмерные, трехмерные упорядоченные структуры из различных материалов. Согласно способу подложку и исходный субстрат, содержащий наночастицы, располагают с образованием пространства между ними. В указанном пространстве распыляют субстрат в виде облака капель, каждая из которых содержит, по меньшей мере, одну наночастицу. Создание субстрата в виде распыленного облака капель осуществляют посредством ультразвукового воздействия при размещении источника ультразвукового воздействия относительно подложки с возможностью организации распыленного облака капель в указанном пространстве. Управление движением в указанном пространстве и осаждением капель на подложку осуществляют воздействием на них внешними электрическими и/или магнитными полями. 4 з.п. ф-лы.

2421394
патент выдан:
опубликован: 20.06.2011
ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ И ИЗУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для формирования наноструктур из испаряемой микрокапли воздействием акустических полей. Технический результат - универсальность в отношении класса объектов, подвергаемых наноструктурированию. Комплекс для формирования наноструктур включает формирователь наноструктур, оптический микроскоп, средство отображения информации и средство обработки информации и управления комплексом. Формирователь наноструктур содержит основание и источник формирующего воздействия, при этом основание выполнено пьезоэлектрическим с возможностью нанесения на его поверхность исходного субстрата, а источником формирующего наноструктуру воздействия служат поверхностные акустические волны (ПАВ), причем для создания линии ПАВ на пьезоэлектрическом основании размещена пара встречно-штыревых преобразователей (ВШП) с возможностью возбуждения между ними акустического поля, а формирователь установлен в предметной плоскости оптического микроскопа, при этом ось визирования микроскопа ориентирована относительно основания под углом , помимо этого в комплекс введены генератор высокочастотных колебаний и соединенный с ним широкополосный усилитель, связанный с ВШП. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

2417156
патент выдан:
опубликован: 27.04.2011
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и расширение ассортимента формируемых высококачественных кремний-германиевых гетероструктур в результате улучшения контролируемости молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур за счет точного регулирования режима осаждения кремния и германия в оптимальном интервале величин скоростей, уменьшения концентрации неконтролируемых примесей в полученных предлагаемым образом гетероструктурах, а также снижение ресурсных затрат на подготовку технологического оборудования. Сущность изобретения: в способе выращивания кремний-германиевых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии указанных структур за счет испарения кремния и германия из раздельных тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей, испарение кремния ведут в автотигельном режиме из кремниевого расплава в твердой кремниевой оболочке, а испарение германия - из германиевого расплава в кремниевом вкладыше, представляющем собой выработанный ранее полый остаток, образовавшийся в результате испарения кремния в автотигельном режиме, и расположенном в тигельной полости охлаждаемого корпуса тигельного блока электронно-лучевого испарителя, используемого для создания молекулярного потока германия. При этом процесс эпитаксии регулируют с учетом выбора скорости осаждения германия, определенной из представленной зависимости. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

2407103
патент выдан:
опубликован: 20.12.2010
ПОРОШОК MoO2, СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИНЫ ИЗ ПОРОШКА MoO2 (ИХ ВАРИАНТЫ), ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ИЗ НЕЕ, СПОСОБ РАСПЫЛЕНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ УКАЗАННОЙ ПЛАСТИНЫ

Изобретение может быть использовано при изготовлении органических светоизлучающих диодов, жидкокристаллических дисплеев, плазменной дисплейной панели, тонкопленочного солнечного элемента и других электронных и полупроводниковых устройств. Предложен элемент, включающий мишень ионного распыления, где эта мишень включает обработанную пластину из MoO2 высокой чистоты. Способ изготовления такой пластины включает изостатическое прессование компонента из более чем 99% стехиометрического порошка MoO 2 в заготовку, спекание в вакууме этой заготовки при условиях поддержания более 99% стехиометрии MoO2 и формирование пластины, включающей более 99% стехиометрического MoO2 . В другом варианте способа изготовления указанной пластины компонент, состоящий из порошка, содержащего более 99% стехиометрического MoO2, обрабатывают в условиях горячего прессования с формированием пластины. Способ изготовления тонкой пленки включает стадии распыления пластины, содержащей более 99% стехиометрического MoO2, удаления молекул MoO2 с пластины и нанесения молекул MoO2 на субстрат. Также предложен порошок MoO2 и способ распыления указанной пластины с использованием магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыления и их сочетания. Изобретение позволяет повысить работу выхода электрона материала мишени ионного распыления в органических светоизлучающих диодах. 6 н. и 10 з.п. ф-лы.

2396210
патент выдан:
опубликован: 10.08.2010
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗОНДОВ С УГЛЕРОДНЫМИ НАНОТРУБКАМИ

Изобретение относится к области вакуумной техники и технологии получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанонотрубки на кончике зондов, которые применяются в зондовой микроскопии для прецизионного сканирования. Способ получения зондов с углеродными нанотрубками осуществляется путем нанесения углеродных пленок с нанотрубками методом магнетронного распыления в вакууме при постоянном токе 100-140 мА с использованием мишени из углерода с катализатором роста нанотрубок. Заготовки зондов помещают в вакуумную установку. Далее проводится напыление углеродной пленки с нанотрубками в остаточной атмосфере инертного газа. Изобретение позволяет получать зонды с углеродными нанотрубками, расположенными перпендикулярно поверхности зонда, в необходимых количествах, без использования взрывоопасных веществ и сложных установок. 6 ил.

2369938
патент выдан:
опубликован: 10.10.2009
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения: в качестве материалов подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия используют интерметаллические соединения, выбранные из группы, состоящей из арсенида олова SnAs, антимонида палладия PdSb, полуантимонида марганца Mn2Sb, станната никеля Ni 3Sn2, алюмината никеля Ni 2Al3, германата никеля Ni 2Ge и германата кобальта Co2Ge. Изобретение позволяет повышать однородность структуры выращиваемых слоев GaAs.

2308784
патент выдан:
опубликован: 20.10.2007
ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs 2:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

2305723
патент выдан:
опубликован: 10.09.2007
БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III-V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 107 дефектов·см -2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.

2272090
патент выдан:
опубликован: 20.03.2006
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

Использование: в области наноэлектроники для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния заключается в том, что отжиг вицинальной поверхности кремниевой подложки на стадии предэпитаксиальной подготовки и в процессе напыления германия производится пропусканием постоянного тока в направлении, перпендикулярном фронту ступеней вицинальной грани кремния. Техническим результатом изобретения является формирование высокоплотных высокоупорядоченных и совершенных по структуре массивов наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния (III). 2 ил.
2210836
патент выдан:
опубликован: 20.08.2003
МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров 1:(2-20), в полупроводниковой структуре дополнительно сформирован терморезисторный чувствительный элемент. Способ изготовления микромеханического прибора предусматривает осаждение на подложку полупроводникового слоя, содержащего легирующую примесь, под управляющим воздействием по парциальному давлению или скорости подачи газа с последующим нанесением слоя диэлектрика и формированием чувствительных элементов в полученной полупроводниковой структуре с помощью избирательного травления. Осаждают полупроводниковый слой на основе карбида кремния, при этом управляющее воздействие осуществляют из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров в полупроводниковом слое 1:(2-20), а чувствительные элементы формируют не содержащими потенциальных барьеров. Технический результат - обеспечение требуемой чувствительности к физическим воздействиям и повышение управляемости характеристиками тензо- и термочувствительности микромеханических приборов. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
2170993
патент выдан:
опубликован: 20.07.2001
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ

Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содержащий корпус с размещенным в нем нагревательным элементом и тепловой экран с полостями в его стенках для подачи охлаждающей жидкости. Нагреватель установлен на свободном конце поворотной штанги, а съемный подложкодержатель размещен на корпусе нагревателя с зазором относительно нагревательного элемента. Тепловой экран нагревателя с полостями в его стенках выполнен в виде двух стаканов, охватывающих со всех сторон нагреватель с подложкодержателем и снабженных стержнями, поворотными относительно осей, перпендикулярных продольной оси штанги манипулятора. В стержнях выполнены каналы для подачи и отвода охлаждающей жидкости, которые сообщены с полостями в стенках стаканов теплового экрана, при этом в днище стакана, расположенного со стороны подложкодержателя, выполнено окно, сообщающее подложку с вакуумной камерой. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых соединений за счет уменьшения разложения аммиака в вакуумной камере. 3 ил.
2158986
патент выдан:
опубликован: 10.11.2000
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ МАТЕРИАЛ, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО МАТЕРИАЛА

Сущность изобретения: оптоэлектронный материал содержит однородную среду с управляемой электрической характеристикой и полупроводниковые сверхмелкозернистые частицы, диспергированные в упомянутой среде. Сверхмелкозернистые частицы имеют средний размер частиц 100 нм или менее, а упомянутая среда имеет специфическое сопротивление приблизительно такое же или больше, чем у полупроводниковых сверхмелкозернистых частиц. Технический результат - разработка оптоэлектронного материала, который содержит материал, запасы которого неограничены и который не загрязняет окружающую среду, и обладает свойствами, такими как спонтанное излучение света, быстрое срабатывание, возможность миниатюризации пикселя, низкие потери мощности, высокая стойкость к воздействиям окружающей среды. 15 с. и 21 з.п.ф-лы, 27 ил., 2 табл.
2152106
патент выдан:
опубликован: 27.06.2000
ИСТОЧНИК АТОМАРНОГО ВОДОРОДА ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, средства, обеспечивающие подведение электрического питания к этому расщепителю. Расщепитель выполнен из тонкой вольфрамовой фольги. Со стороны входного конца он имеет форму трубки, входной конец которой надет на наконечник внутренней трубы. Выходные концы полос, изогнутых в виде петель, продолжаются с внешней стороны трубки-расщепителя в сторону входного ее конца и соединяются с внешней трубой. Внутренняя и внешняя концентрические трубы являются электрическими контактами, обеспечивающими подвод электропитания к расщепителю. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности взаимодействия потока газа с расщепителем, исключение участка с пониженной температурой на выходном конце расщепителя и исключение столкновений молекул газа с элементами, имеющими более низкую температуру, чем расщепитель. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.
2148871
патент выдан:
опубликован: 10.05.2000
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ

Использование: в технологии изготовления микромеханических приборов, в частности микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур. Способ предусматривает изготовление микромеханических приборов из кремнийсодержащей полупроводниковой структуры, предусматривающий нанесение на подложку пленки из проводящего монокристаллического кремнийсодержащего материала, отделенного от подложки слоем диэлектрика, с последующим вытравливанием участков пленки для формирования измерительного узла, удалением слоя диэлектрика для освобождения подвижных элементов измерительного узла и созданием электрических контактов для средств измерения. В качестве исходного материала используют эпитаксиально выращенную полупроводниковую сэндвич-структуру, содержащую пленку из карбида кремния, отделенную от подложки слоем нитрида алюминия. Для установления момента окончания операции травления диэлектрика в пленке полупроводника дополнительно формируют изолированный тестовый участок с линейными размерами из расчета всплывания полупроводниковой пленки тестового участка при травлении расположенного под ним слоя диэлектрика в момент, гарантирующий достижение заданных размеров оставшихся частей изготавливаемого изделия. Технический результат изобретения - повышение механической, температурной и радиационной стойкости микромеханических приборов. 2 з.п.ф-лы, 3 табл., 4 ил.
2137249
патент выдан:
опубликован: 10.09.1999
ИСПАРИТЕЛЬНЫЙ ТИГЕЛЬ

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах. Сущность изобретения: в испарительном тигле, содержащем объем для испаряемого вещества и закрепленный на его горловине сепарирующий элемент, сепарирующий элемент выполнен в виде вставки с винтовым каналом. Использование изобретения позволяет снизить вероятности попадания остаточных паров вакуумного объема в тигель молекулярного источника без значительного уменьшения проводимости тигля и значительно снизить плотность дефектов в эпитаксиальных структурах. Использование изобретения позволило снизить плотность дефектов в пленке теллурида кадмия с величины 2 103 см-2 до величины, меньшей чем 1 102 см-2. 2 ил.
2133308
патент выдан:
опубликован: 20.07.1999
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка. Предварительно определяют соотношение энергии десорбции с поверхности подложки каждого из этих компонентов и создают корпускулярный поток осаждения из расчета избытка в стехиометрическом отношении компонента, обладающего наименьшей энергией десорбции. Предпочтительный избыток - от 3 до 10%. При получении многослойной композиции на основе карбида кремния и нитрида алюминия температуру подложки регулируют в диапазоне от 900 до 950oC и ведут осаждение в одну стадию из мишени с перемещаемыми рабочими зонами, содержащими по меньшей мере один из исходных компонентов напыляемого слоя композиции. Техническим результатом изобретения является обеспечение универсальности и повышение надежности управления процессом получения эпитаксиальных структур. 2 з.п. ф-лы, 5 табл.
2132583
патент выдан:
опубликован: 27.06.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ЛЕГИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ТИПА А*994В*996

Использование: в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, а именно технология получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6 включает в себя испарение материала при температуре испарителя 508 2oC и его осаждение на монокристаллическую подложку из фторида бария, находящегося при температуре 4572oC в квазизамкнутом объеме в вакууме. Для испарения берут материал состава (Pb1-xSnxTe1-y+Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 меньше/равно х меньше равно 0,31, 0,24 меньше/равно y меньше/равно 0,26, 0,012 меньше/равно z меньше/равно 0,016, 10-4 меньше/равно меньше/равно 10-3. 1 ил., 1 табл.
2065223
патент выдан:
опубликован: 10.08.1996
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР IN SB/GA AS

Использование: изобретение может быть использовано в производстве интегральных схем и приборов оптоэлектроники. Сущность изобретения: способ включает выращивание на полупроводниковой подложке из GaAS буферного слоя GaAS и последующую эпитаксию слоя lnSb в 3 стадии - твердофазная эпитаксия аморфного слоя, осажденного при комнатной температуре, низкотемпературная и высокотемпературная эпитаксия.
2063094
патент выдан:
опубликован: 27.06.1996
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Использование: при изготовлении квантово-размерных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ включает формирование квантово-размерных областей в процессе выращивания структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование производят посредством монохроматизации и фокусировки пучка атомов легирующей примеси с последующим направлением пучка атомов на дифракционный элемент, выделением из дифрагированного пучка первого дифракционного максимума и его направлением на поверхность эпитакисальной структуры. 7 з. п. ф-лы, 1 ил.
2053582
патент выдан:
опубликован: 27.01.1996
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ РОСТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Сущность: генератор 9 синхронно с вращением подложкодержателя 4 вырабатывает импульсы, отпирающие пушку 5 быстрых электронов, которая вырабатывает импульсы с периодом, равным периоду вращения подложки. Дифрагированный пучок электронов регистрируется детектором 6. Фильтр 10 выделяет из зарегистрированного детектором 6 дискретного сигнала низкочастотную составляющую, несущую информацию об изменении интенсивности дифрагированного с электронного пучка, по которому судят о скорости роста полупроводниковой пленки. 2 с. п. ф-лы, 3 ил.
2011973
патент выдан:
опубликован: 30.04.1994
Наверх