Конструктивные элементы электронных вакуумных приборов, отнесенных к группе  ,21/00: .элементы крепления и монтажа, являющиеся частью прибора – H01J 19/64

МПКРаздел HH01H01JH01J 19/00H01J 19/64
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
H01J 19/00 Конструктивные элементы электронных вакуумных приборов, отнесенных к группе  21/00
H01J 19/64 .элементы крепления и монтажа, являющиеся частью прибора

Патенты в данной категории

МИКРОПРОФИЛЬ СТРУКТУРЫ ВАКУУМНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СВЧ-СХЕМЫ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных микроблоков с вакуумными интегральными схемами (ИС), когда существует необходимость передачи электромагнитной энергии с одного слоя 3D схемы на другой и наоборот. Техническим результатом изобретения является получение межслойных переходов, уменьшение потерь электромагнитной энергии, распространение интегральности по третьей координате, послойно располагая активные топологические структуры. Сущность изобретения: в микропрофиле структуры вакуумной интегральной СВЧ-схемы, содержащей расположенные на расстоянии друг от друга пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, в котором выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией микрополость, с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и угла между ними и стенками - образующими микрополости, микрополость выполнена сквозной с углом в между ее стенками - образующими и нависающими кромками пленочных элементов рабочей топологии, пленочные элементы рабочей топологии имеют вертикальный изгиб между поверхностью диэлектрического носителя пленочных элементов рабочей топологии и гранью сквозной полости, выполненной воронкообразной, образуя скрученную стенку микропрофиля диэлектрического носителя на отрезке ребра микропрофиля, при этом угол между образующей и скрученной стенкой микропрофиля и нависающей над ней кромкой полосковой линии ' изменяется в пределах: 135°< '<150°. 2 н.п. ф-лы, 14 ил., 1 табл.

2476951
патент выдан:
опубликован: 27.02.2013
Наверх