Конструктивные элементы электронных вакуумных приборов, отнесенных к группе  21/00 – H01J 19/00

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к электронным приборам на основе автоэмиссионных катодов, таким как светоизлучающие элементы, дисплеи, высоковольтные разрядные устройства, коммутирующие устройства, СВЧ-приборы. Технический результат - защита эмиттеров от ионной бомбардировки за счет устранения фокусировки ионов на острие эмиттеров, обеспечения перехвата ионов, а также улучшения структуры формируемого потока автоэлектронов. В узле электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом, размещенном внутри вакуумной оболочки, содержащем, по крайней мере, одну ячейку, включающую управляющий электрод с потенциалом U_У, размещенный на диэлектрической пластине, на которой сформированы последовательно слой диэлектрика и слой эмиттер с потенциалом U_Э, образующими многослойную автоэмиссионную структуру, и противолежащую пластину с анодом, имеющим потенциал U_А, ячейка содержит дополнительный управляющий электрод с потенциалом U_У1, отделенный от эмиттера слоем диэлектрика, и защитный электрод с потенциалом U_З, отделенный от дополнительного управляющего электрода слоем диэлектрика, систему концентраторов напряженности электрического поля в виде наноразмерных структур из проводящего и/или диэлектрического материала, расположенных на свободной от слоя диэлектрика поверхности эмиттера, при этом управляющий электрод расположен вне многослойной автоэмиссионной структуры, потенциалы в режиме эмиссии удовлетворяют системе установленных соотношений, а пространство между управляющими электродами и анодами является зоной формирования электронного потока и его транспорта с эмиттеров на аноды. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Узел регистрации ионного тока в масс-спектрометрическом течеискателе предназначен для работы в качестве составной части гелиевых течеискателей. Устройство включает в себя расположенные в вакуумируемом объеме коллектор ионов (1) и усилитель (2), с выхода которого аналоговый сигнал идет на аналого-цифровой преобразователь (3), размещенный в том же объеме. Полученный цифровой сигнал поступает на дальнейшую обработку за пределы вакуумируемого объема через разъем (4). Технический результат заключается в резком увеличении чувствительности измерения ионного тока благодаря его отделению от токов утечек выходного разъема. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных микроблоков с вакуумными интегральными схемами (ИС), когда существует необходимость передачи электромагнитной энергии с одного слоя 3D схемы на другой и наоборот. Техническим результатом изобретения является получение межслойных переходов, уменьшение потерь электромагнитной энергии, распространение интегральности по третьей координате, послойно располагая активные топологические структуры. Сущность изобретения: в микропрофиле структуры вакуумной интегральной СВЧ-схемы, содержащей расположенные на расстоянии друг от друга пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, в котором выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией микрополость, с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и угла между ними и стенками - образующими микрополости, микрополость выполнена сквозной с углом в между ее стенками - образующими и нависающими кромками пленочных элементов рабочей топологии, пленочные элементы рабочей топологии имеют вертикальный изгиб между поверхностью диэлектрического носителя пленочных элементов рабочей топологии и гранью сквозной полости, выполненной воронкообразной, образуя скрученную стенку микропрофиля диэлектрического носителя на отрезке ребра микропрофиля, при этом угол между образующей и скрученной стенкой микропрофиля и нависающей над ней кромкой полосковой линии ' изменяется в пределах: 135°< '<150°. 2 н.п. ф-лы, 14 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов. Способ изготовления эмиттера электронов из вольфрама с легирующими добавками заключается в том, что вводят в вакуумную камеру смесь гексафторида вольфрама, водорода и летучего фторида или иодида легирующей добавки в соотношении, соответствующему заданному составу эмиттера, воздействуют на указанную смесь лазерным лучом и отводят продукты реакции из камеры, при этом формируют эмиттер осаждением восстановленных вольфрама и легирующей добавки на подложку, выполненную из вольфрама, и размещенную по центру лазерного луча на держателе, перемещая при этом подложку относительно лазера со скоростью, равной скорости осаждения вольфрама и легирующей добавки. Техническим результатом является повышение ресурса работы вольфрамовых эмиттеров электронов за счет гомогенного распределения легирующих добавок с более низкой, чем у вольфрама, работой выхода электронов, снижение эрозии эмиттера за счет исключения окисления, повышение и возможность регулирования концентрации легирующих добавок, регулирование структуры вольфрама, снижение расхода материалов. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Предметом изобретения является способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы. Способ плазменно-химической обработки из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней поверхности полого изделия (42), в особенности из неметаллического материала, имеющего протяженность в длину и одно отверстие (43), имеет следующие стадии. Полое изделие устанавливают в середину вакуумной камеры (40) с заземленной внутренней стороной так, что минимальное расстояние между внешней стенкой полого изделия и внутренней стенкой вакуумной камеры составляет 15 см. Внутри вакуумной камеры расположен высокочастотный электрод (41). Вводят газовую трубку (44), состоящую из трубы с внутренним диаметром в 0,001-10 мм, максимальным внешним диаметром в 12 мм, и концевое сопло с диаметром отверстия на конце в 0,002-6 мм через отверстие в полом изделии. Установка газовой трубки в полом изделии осуществлена так, что газовая трубка расположена посередине относительно поперечного сечения полого изделия, а сопло газовой трубки расположено на расстоянии, составляющем две трети длины полого изделия, от отверстия полого изделия. Герметизация вакуумной камеры и откачивание воздуха из нее осуществляется до остаточного давления 0,001-20 Па. Введение инертного рабочего газа, а также одного или нескольких реакционных газов через устройство для подачи газа и газовую трубку в полое изделие и зажигание плазмы полого пространства (45) изделия при образовании на наконечнике газовой трубки плазмы осуществляется посредством создания высокочастотного электрического поля на ВЧ-электроде. Достигаются улучшенная очистка полых изделий, улучшенная защита от коррозии поверхностей с нанесенным покрытием, снижение коэффициента трения внутренней поверхности и улучшение теплоотдачи. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 10 ил.

Данное изобретение относится к эмитирующему электроны устройству, имеющему слой борида лантана, и к панели отображения. Технический результат - обеспечение яркого высококачественного изображения с малыми изменениями яркости в течение более длительного периода времени. Достигается тем, что предложено эмитирующее электроны устройство, которое включает в себя электропроводный элемент и слой борида лантана на электропроводном элементе, а также включает в себя слой оксида между электропроводным элементом и слоем борида лантана. Оксид лантана может содержать лантан. Слой борид лантана может быть покрыт слоем оксида лантана. 9 н. и 14 з.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к технике электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в высоковольтных электровакуумных приборах с целью улучшения их эксплуатационных характеристик. Способ обработки электродов изолирующих промежутков высоковольтных электровакуумных приборов заключается в том, что рабочие поверхности электродов изолирующих промежутков оплавляют импульсным широкоапертурным электронным пучком с последующим нанесением на электроды покрытия из металла с низкой эмиссионной активностью и повторным оплавлением рабочей поверхности электродов импульсным широкоапертурным электронным пучком, при этом глубина расплавленного поверхностного слоя должна превышать толщину покрытия, а способ обработки осуществляют в едином вакуумном цикле. Технический результат - повышение электрической прочности изоляции в вакууме, достигаемое даже при использовании основного материала электрода, не обеспечивающего высокие электроизоляционные характеристики вакуумных промежутков. 1 ил.

Изобретение относится к авиаприборостроению и предназначено для разработки и изготовления прецизионных высоковакуумных приборов. Коммутирующая арматура герметичной колодки выполнена сварной, при этом одиночные гермовыводы содержат жесткие токоведущие контактные удлинители с плоским фланцем, а коаксиальные гермовыводы содержат упругие токоведущие контактные удлинители, установленные на стержни и сгруппированные на поверхности керамической пластины в ряды с разностью высоты верхних точек упругих токоведущих контактных удлинителей между первым и каждым последующим рядом h, определяемой по соотношению h=l·sin , где l - расстояние между первым и каждым последующим рядом, - угол наклона плоскости касания верхних точек упругих токоведущих контактных удлинителей к плоскости керамической пластины. Колодка содержит также установленные на экраны цилиндрические удлиняющие втулки с лепестками на обоих торцах, причем на нижнем торце лепестки изогнуты по радиусу на угол 90° в направлении от оси симметрии втулки и в центре каждого лепестка выполнена пуклевка, а на верхнем торце лепестки последовательно изогнуты два раза по радиусу на угол 90° в направлении к оси симметрии втулки. Для сварки арматуры в качестве источника нагрева используют импульсное лазерное излучение. Технический результат: обеспечение высокого уровня технологических и эксплуатационных свойств коммутирующего узла герметичной колодки. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к катодно-сеточным узлам (КСУ) преимущественно для импрегнированных малогабаритных и прямонакальных катодов электровакуумных приборов сверхвысокой частоты. КСУ содержит кольцевой катод и сетку, закрепленную по краю кольцевого держателя с одной стороны, что позволяет компенсировать тепловое расширение сетки без деформации ее структуры, путем свободного расширения в одну сторону. Элементы сетки выполнены синусоидальной формы из тонкой проволоки (диаметром 20...25 мкм). Технический результат - повышение надежности и долговечности катодно-сеточных узлов. 1 ил.

Предложенное изобретение относится к электронной технике, в частности к прямонакальным катодам электровакуумных приборов. Предложенный прямонакальный импрегнированный катод содержит подогреватель и непосредственно расположенный на нем эмиттер, в качестве материала которого использован слой пористого вольфрама, пропитанный термоэмиссионным веществом. В качестве рабочего тела подогревателя использована проволока (стержень) одного из тугоплавких металлов: W, Мо или их сплавов с Re, срезанная вдоль своей оси по диаметру или сегменту, при этом материал эмиттера нанесен на образующуюся при продольном срезе проволоки ее плоскую поверхность. Прямонакальный катод может иметь форму Архимедовой или цилиндрической спирали, или Т-образной, или U-образной кривых, или прямой линии, или круга. Предложенное изобретение позволяет увеличить адгезионную способность материала эмиттера к поверхности нагревателя, а также обеспечивать работоспособность эмиттера при относительно малых температурах нагрева нагревателя. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения качества катодов и электрической прочности электровакуумных приборов и конструкций. Способ повышения качества поверхности катода вакуумного промежутка заключается в воздействии одиночных импульсов наносекундной длительности при амплитудах, обеспечивающих время запаздывания пробоя, равное длительности воздействующего импульса. По заданным материалу катода и длительности импульса определяют критическую микронапряженность Е_кр электрического поля, измеряют предпробойные токи и определяют коэффициент усиления поля на микронеоднородностях катодной поверхности, рассчитывают амплитуду U воздействующего импульса, подают на промежуток импульс расчетной амплитуды U, затем измеряют предпробойные токи и повторяют все последующие операции до достижения требуемого значения коэффициента усиления , в случае недостаточной величины коэффициента уменьшают длительность импульса и повторяют все упомянутые операции. Технический результат: повышение эффективности способа за счет контроля состояния поверхности катода в процессе обработки и оптимизации амплитуды каждого импульса. 2 ил.

Изобретение относится к устройствам и способам получения отрицательно заряженных наночастиц для использования в медицине, бытовых приборах, биоинженерии и т.п. Сущность изобретения: устройство для получения отрицательно заряженных наночастиц состоит из источника питания, кожуха, контроллера и эмиттера электронов, где источник питания подсоединен к эмиттеру электронов и контроллеру, устройство имеет только один эмиттер электронов, названный сверхмалым эмиттером электронов, эмитирующая часть которого имеет размер микронного или субмикронного уровня, и являющийся электродом с только одним потенциалом, приложенным к электроду, при этом величина потенциала электрода выбрана в диапазоне от -2 кВ до -29 кВ, вследствие чего указанный электрод посредством туннельного эффекта излучает электроны, которые объединяются с наночастицами в воздухе, образуя отрицательно заряженные наночастицы. Предложен также способ получения отрицательно заряженных наночастиц. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области вакуумной техники и может быть использовано в лабораторных условиях для гашения вибраций в вакуумных установках при использовании различных ротационных откачивающих устройств. Устройство содержит свободно подвешенный к вакуумной камере виброгасящий сильфон с откачивающим устройством на конце. Под откачивающим устройством размещена платформа и уравновешивающий груз, обеспечивающие в интервале рабочих давлений условия зависания насоса и перемещения его вдоль вертикальной оси в пределах, ограниченных режимами упругой деформации сильфона. Для повышения эффективности гашения вибраций откачивающее устройство содержит дополнительно виброгасящую пружину и второй уравновешивающий груз, свободно подвешенный с помощью данной пружины к основанию откачивающего устройства. При этом виброгасящая пружина с грузом размещены вдоль оси, проходящей через центр тяжести откачивающего устройства, а параметры виброгасящей пружины с подвешенным на ней грузом должны удовлетворять условию: С=m ², где С - жесткость виброгасящей пружины, m - масса груза и - циклическая частота вращения ротора откачивающего устройства. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электровакуумных приборов, в частности к способу изготовления импрегнированных катодов. Способ изготовления импрегнированных катодов заключается в том, что порошок W замешивают на рениевой кислоте (HReO₄ ) до пастообразного состояния, укладывают эту пасту на керн катода из Мо, W или их сплавов с Re с очищенной и разрыхленной поверхностью и спекают при температуре 1800±50°С в атмосфере водорода в течение 3-5 минут, после чего пропитывают термоэмиссионно-активным веществом и зачищают безводной шлифовкой. Технический результат: упрощение технологии изготовления катодов, а также снятие ограничений на их размеры и формы. Работа выхода катода не более 2 эВ, долговечность при температуре 1150°С больше 11000 часов.

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции и разрядов в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения электрической прочности вакуумной изоляции высоковольтных электровакуумных и фотоэлектронных приборов и конструкций. Способ повышения электрической прочности вакуумной изоляции заключается в тренировке вакуумного промежутка одиночными импульсами высокого напряжения более короткой длительности, чем длительность эксплуатационного напряжения, полярностью, соответствующей полярности эксплуатационного напряжения, при амплитудах, поддерживающих время запаздывания пробоя равным длительности кондиционирующего импульса. По окончании тренировки уменьшают межэлектродный зазор до минимального, повторяют импульсную тренировку и увеличивают зазор до исходного значения. Технический результат заключается в повышении эффективности способа за счет повышения напряженности электрического поля при оптимальных режимах импульсной тренировки высоковольтных электровакуумных приборов и конструкций.

Настоящее изобретение относится к микроэлектронике, включая вакуумную микроэлектронику, в частности полевые эмиссионные приборы, особенно полевые эмиссионные катоды, так же, как и другие эмиссионные приборы, такие как полевые эмиссионные дисплеи, источники для электронных пушек, СВЧ-приборы и др. Технический результат изобретения: обеспечение стабильности и однородности электронных потоков. Сущность: предложен источник электронов, у которого полевой эмиттер образован вискером, выращенным на подложке эпитаксиально. В теле и/или на поверхности полевого эмиттера выполнены балластный резистор и активная область. Балластный резистор может быть реализован в форме полупроводниковых n-n⁺, р-р⁺, или р-n полупроводниковых переходов, или изолирующего слоя, поперечных потоку носителей заряда. Компоненты для управления такими источниками электронов располагаются вертикально. 6 н. и 42 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к плоскому излучателю. Плоский излучатель содержит переднюю пластину и заднюю часть, причем передняя пластина с помощью распорных элементов размещена на расстоянии от задней части и в промежутке между передней пластиной и задней частью введен газообразный наполнитель, который находится под давлением, меньшим атмосферного давления окружающей среды, при этом передняя пластина выполнена из стеклянного материала. Технический результат - уменьшение веса. Для изготовления таких плоских излучателей с небольшим собственным весом согласно изобретению предусмотрено, что передняя пластина и/или задняя часть выполнена в виде стеклянной пластины, которая, по меньшей мере, частично предварительно напряжена термическим или химическим способом или соответственно передняя пластина и/или задняя часть выполнена в виде стеклянной пластины, которая, по меньшей мере, частично снабжена покрытием, состоящим из пластичного полимерного материала. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 табл., 5 ил.

Изобретение относится к формированию покрытий и может быть использовано для получения антиэмиссионного покрытия на сетках мощных генераторных ламп. Предложенный способ включает формирование слоя карбида материала сетки, нанесение слоя карбида циркония из металлической плазмы вакуумно-дугового разряда при температуре сетки свыше 300°С, формирование поверхностного слоя платины и отжиг. Техническим результатом изобретения является разработка способа получения интерметаллического антиэмиссионного покрытия Pt₃Zr, обладающего повышенным качеством и повышенными эксплуатационными свойствами. 1 табл., 4 ил.

Использование: области микро- и наноэлектроники, а более конкретно при конструировании эмиттера, в том числе эмиссионного, у активных элементов микро- и наноэлектроники: диодов и транзисторов. Сущность изобретения: в эмиттере для интегральных приборов, содержащем основание эмиттера, расположенное на подложке и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы углеродные нанотрубки, расположенные перпендикулярно поверхности основания эмиттера, в качестве основания эмиттера использован торец слоя каталитического материала, находящегося между слоями некаталитического материала. Эта конструкция позволит создать планарный эмиттер в форме “лезвия”, толщину основания которого посредством изменения толщины каталитического слоя можно регулировать в пределах 1-50 нм и которое состоит из нанотрубок с диаметрами не более толщины основания. Техническим результатом изобретения является создание планарного эмиттера. 4 ил.

Изобретение относится к области вакуумной техники и может быть использовано в лабораторных условиях для гашения вибраций в вакуумных установках при использовании различных ротационных откачивающих устройств. Сущность: способ гашения вибраций в вакуумных установках основан на применении сильфона, размещаемого между камерой вакуумной установки и ротационным откачивающим устройством. Ротационное откачивающее устройство размещают непосредственно под рабочей камерой и подключают к ней снизу через виброгасящий сильфон. При этом откачку газов из камеры в интервале рабочих давлений ведут при условиях зависания ротационного откачивающего устройства и перемещении его вдоль вертикальной оси в пределах, ограниченных режимами упругой деформации сильфона. Сила разрежения, действующая при этом на нижнюю часть сильфона, компенсируется силой тяжести ротационного откачивающего устройства и прикладываемой к нему дополнительной уравновешивающей нагрузкой. Технический результат: повышение эффективности гашения вибраций, передаваемых рабочей камере ротационным откачивающим устройством. 1 ил.