Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: ...схемы программирования или ввода данных – G11C 16/10
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ИМС FLASH-ПАМЯТИ ТИПА NAND И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей программаторов ИМС flash-памяти типа NAND путем создания гибкого, настраиваемого пользователем интерфейса связи с ИМС flash-памяти типа NAND, обеспечивающего возможность работы со всеми ИМС flash-памяти типа NAND, а также за счет добавления функций чтения идентификационного номера ИМС, чтения статуса ИМС и функции сброса ИМС. Способ программирования ИМС flash-памяти типа NAND, в котором выполняют инициализацию устройства, при команде чтения данных выполняют цикл команды чтения, производят необходимое количество циклов установки адреса страницы, при команде записи данных выполняют цикл команды записи, производят необходимое количество циклов установки адреса страницы, при команде стирания данных выполняют цикл команды стирания, причем после приема команды выполняют извлечение параметров команды, а после выполнения заданного количества циклов чтения данных производят инкрементирование адреса страницы и выполняют проверку равенства количества прочитанных страниц с заданным количеством, при команде установки параметров ИМС выполняют сохранение параметров ИМС в регистре параметров flash-интерфейса, производят применение этих параметров и переходят в цикл ожидания приема следующей команды. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2454739 патент выдан: опубликован: 27.06.2012 |
|
| МАТРИЦА ФЛЭШ-ПАМЯТИ С ВНУТРЕННИМ ОБНОВЛЕНИЕМ Изобретение относится к матрице флэш-памяти, в частности к режиму внутреннего обновления матрицы флэш-памяти. Техническим результатом является возможность обновления одной строки ячеек памяти после каждой N-операции стирания и программирования, выполняемой для матрицы флэш-памяти. Способ функционирования матрицы флэш-памяти содержит операции выбора в матрице флэш-памяти строки, которая должна быть обновлена, стирания этой строки, программирования этой строки, создания приращения адреса упомянутой строки, которая должна быть обновлена, в матрице флэш-памяти. Другой вариант способа содержит операции считывания выбранной строки в матрице флэш-памяти и сохранения состояния выбранного бита из упомянутой выбранной строки, стирания этой строки в матрице флэш-памяти, программировании этой строки в матрице флэш-памяти и установки упомянутого выбранного бита в первое состояние, если его состояние, сохраненное на перовой операции, является первым состоянием. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 18 ил. | 2224303 патент выдан: опубликован: 20.02.2004 |
|
| СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОГО НАКОПИТЕЛЯ Изобретение относится к области программирования энергонезависимых накопителей. Техническим результатом является снижение потребления энергии. Способ состоит в том, что сначала прикладывают отрицательное программирующее напряжение ко всем шинам слов WLi, WLj, а затем ко всем неселектированным шинам слов WLj прикладывают положительное напряжение для компенсации на них отрицательных зарядов. 2 з.п.ф-лы, 2 ил. | 2162255 патент выдан: опубликован: 20.01.2001 |
|