Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти, элементы памяти для них: ..с использованием сегнетоэлектрических элементов – G11C 11/22

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах компьютеров различного назначения, в создании видеоаудиоаппаратуры нового поколения, в разработке систем ассоциативных запоминающих устройств, создании банков данных с прямым доступом. Техническим результатом является повышение скорости обмена информацией. Способ неразрушаемого считывания информации с ферроэлектрической ячейки памяти, снабженной электродами, заключается в выполнении следующих операций: подают считывающее электрическое напряжение на электроды для генерации упругой деформации ферроэлектрической ячейкой памяти и регистрирует данную упругую деформацию полевым транзистором с плавающим затвором и/или проводящим каналом, выполненных из материала с пьезоэлектрическими свойствами, и по величине тока, протекающего через транзистор, определяют степень и характер поляризации ферроэлектрической ячейки памяти. Ферроэлектрический элемент памяти содержит полевой транзистор, пьезоэлемент, являющийся ячейкой памяти. Плавающий затвор выполнен на основе пьезоэлектрического материала. Ячейка памяти имеет трехслойную структуру, состоящую из двух электродов, между которыми расположен пьезоэлектрик, выполненный из ферроэлектрического материала и расположенный поверх плавающего затвора транзистора. 6 н. и 14 з.п. ф-лы, 22 ил.

Изобретение относится к способу адресации к ферроэлектрической или электретной ячейке памяти путем выполнения операции считывания из ячейки или записи в нее. Техническим результатом является повышение качества хранения данных в краткосрочной перспективе. При осуществлении начальной операции записи ячейку памяти устанавливают в одно из двух устойчивых поляризационных состояний, которым приписывают соответствующие логические значения. Затем на ячейку памяти подают один или более импульсов напряжения для того, чтобы обеспечить релаксацию состояния импринтинга. После этого может быть проведена операция недеструктивного считывания путем подачи на ячейку одного или более соответствующих импульсов напряжения. Операция записи может быть осуществлена подачей аналогичных импульсов напряжения для записи на записанное значение того же или противоположного логического значения. Один или более аналогичных импульсов напряжения могут быть также поданы на ячейку, находящуюся в условиях импринтинга, без обеспечения ее релаксации, но таким образом, чтобы можно было считать недеструктивным образом логическое значение, записанное в нее первоначально. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством, использующим пассивную матричную адресацию. Техническим результатом является минимизация мешающих напряжений. Способ заключается в том, что перед и/или после исполнительного цикла, генерирующего помеху, осуществляют цикл, предшествующий помехе, и/или цикл, следующий за помехой, причем во время указанного цикла (указанных циклов) на ячейки, лежащие на неадресуемых управляющих линиях, подают непереключающие и, по меньшей мере, некоторые ненулевые напряжения с формированием на ячейках импульсов напряжения, подаваемых перед помехой и/или подаваемых после помехи, путем поддерживания разности потенциалов между неадресуемыми управляющими линиями и адресуемой управляющей линией, равной или меньшей, чем удвоенное коэрцитивное напряжение, и выбирают потенциалы на выбранных линиях данных и не выбранных линиях данных такими, чтобы разность между ними и потенциалом неадресуемой управляющей линии была меньше коэрцитивного напряжения, а также выбирают потенциал адресуемой управляющей линии таким образом, чтобы только адресуемые ячейки могли получить напряжения, превышающие коэрцитивное напряжение, в направлении, соответствующем поляризационному состоянию, уже установленному в адресуемых ячейках. 20 з.п. ф-лы, 14 ил.

В соответствии со способом управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством при считывании данных из ячеек памяти данного устройства на первый и второй наборы электродов подают первое множество разностей напряжения. При записи или обновлении данных в ячейках памяти на первый и второй наборы электродов подают второе множество разностей напряжения. В обоих этих случаях первое и второе множества разностей напряжения соответствуют массиву значений потенциала, задаваемых протоколом подачи импульсов напряжения, который включает временные последовательности импульсов напряжения. При этом производят определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика ячеек памяти, и используют этот параметр для определения, по меньшей мере, одного корректирующего фактора для импульсов напряжения. С использованием, по меньшей мере, одного корректирующего фактора осуществляют коррекцию, по меньшей мере, одного параметра подаваемых импульсов. Изобретение относится также к ферроэлектрическому или электретному запоминающему устройству для осуществления данного способа. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к способу изготовления ферроэлектрических ячеек памяти и к ферроэлектрическому запоминающему устройству. Техническим результатом является возможность обеспечения высокой плотности ячеек, а также возможность нанесения верхних электродов без повреждения ферроэлектрического запоминающего материала. Указанное запоминающее устройство содержит ферроэлектрические ячейки памяти, по меньшей мере, два набора электродов, параллельных другим электродам набора, причем электроды одного набора расположены, по существу, ортогонально электродам ближайшего следующего набора электродов. Способ изготовления указанных ячеек памяти в составе указанного запоминающего устройства заключается в том, что формируют первый электрод, содержащий, по меньшей мере, один слой металла и, по меньшей мере, один металлооксидный слой, поверх первого электрода наносят ферроэлектрический слой, состоящий из тонкой пленки ферроэлектрического полимера, а затем на этот ферроэлектрический слой наносят, по меньшей мере, второй электрод, содержащий, по меньшей мере, один слой металла и, по меньшей мере, один металлооксидный слой. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам сохранения данных в энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольной выборкой. Техническим результатом является возможность поддержания целостности хранящихся данных. Каждый из способов заключается в том, что записывают множество идентичных копий данных в множество зон памяти, производят считывание всей первой управляющей линии, содержащей, по меньшей мере, первую копию из множества идентичных копий данных, повторно записывают в ту же управляющую линию считанные данные, переносят считанные данные в логический контур управления памятью, производят считывание всей следующей управляющей линии, содержащей, по меньшей мере, следующую копию из множества идентичных копий указанных данных, повторно записывают данные в ту управляющую линию, с которой они были считаны, переносят эти данные в логический контур управления памятью, операции повторяют до тех пор, пока все идентичные копии данных не будут перенесены в логический контур управления памятью, выявляют ошибки в двоичном разряде, в случае обнаружения ошибок скорректированные данные повторно записывают в те зоны памяти, в которых были выявлены эти ошибки. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к устройству объемного хранения данных. Техническим результатом является высокая плотность хранения данных. Устройство содержит множество запоминающих устройств (М) с матричной адресацией, каждое из запоминающих устройств содержит две электродные решетки в виде слоев параллельных электродов, образующих управляющие шины и шины данных, при этом электроды каждой электродной решетки выполнены с высокой плотностью расположения и изолированы друг от друга барьерным слоем с толщиной, составляющей долю толщины электродов, причем верхняя поверхность одной электродной решетки, обращенная к следующей электродной решетке, снабжена параллельными канавками, ориентированными ортогонально по отношению к электродам и пространственно отделенными одна от другой промежутками, близкими к ширине электродов. 5 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к способу считывания информации из устройства с пассивной матричной адресацией и может быть применено в сенсорных устройствах с индивидуально адресуемыми ячейками на основе поляризуемого материала. Техническим результатом является устранение мешающих напряжений и токов утечки при деструктивном считывании ячеек и обеспечение параллельного считывания из нескольких ячеек. Устройство с пассивной матричной адресацией индивидуальных ячеек содержит электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, первый и второй наборы параллельных электродов, формирующих управляющие шины и шины данных, которые в зонах скрещивания в объеме поляризуемого материала образуют ячейки, содержащие структуры типа конденсатора, а также содержит средства управления и средства детектирования. Способ описывает процесс считывания данных из указанного устройства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Настоящее изобретение относится к устройствам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор. В электродной решетке, содержащей первый и второй тонкопленочные электродные слои (L1, L2) с электродами ( ) в форме полосковых электрических проводников в каждом слое, электроды ( ) отделены друг от друга только тонкой пленкой (6) из электрически изолирующего материала, толщина которой составляет небольшую долю ширины электродов и которая проходит, по меньшей мере, вдоль боковых краев электродов, образуя изолирующие стенки (6а) между ними. Электродные слои (L1, L2) подвергают планаризации для того, чтобы обеспечить высокую степень плоскостности слоев. В устройстве, содержащем одну или более электродных решеток (ЕМ), электродные слои (L1, L2) каждой решетки взаимно ориентированы таким образом, что их электроды (1, 2) скрещиваются или располагаются взаимно перпендикулярно. Между электродами (1, 2) заключена в виде цельного слоя функциональная среда (3), в результате чего формируется устройство с матричной адресацией (предпочтительно пассивной), которое может быть использовано, например, в качестве устройства обработки или хранения данных с матричной адресацией, содержащего индивидуально адресуемые функциональные элементы (5), соответственно в форме логических ячеек или ячеек памяти. При этом коэффициент заполнения цельного слоя функциональной среды (3) указанными ячейками близок к 1, а максимальное количество ячеек в устройстве приближается к А/f², где А - площадь поверхности функциональной среды, заключенной между электродными слоями (L1, L2), a f - минимальный технологически достижимый размер. Техническим результатом является обеспечение более эффективной адресации и обеспечение более высокой плотности записи сохраняемых данных. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Устройство содержит стопу запоминающих массивов, сформированных из двух или более ленточных конструкций, сложенных одна на другую или переплетенных одна с другой, при этом каждая ленточная конструкция содержит гибкую подложку из неэлектропроводящего материала, по меньшей мере, один электродный слой и слой запоминающего материала. 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. Техническим результатом является минимизация усталостных процессов в запоминающих устройствах, основанных на органических и, в частности, полимерных электретах и ферроэлектриках. Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур содержит ячейку памяти с ферроэлектрическим или электретным запоминающим материалом и два электрода, причем один из электродов содержит, по меньшей мере, один функциональный материал, способный физически и/или химически встраивать в свой объем атомные или молекулярные частицы, содержащиеся в электродном или в запоминающем материале ячейки памяти. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение степени поляризации ферроэлектрической ячейки памяти и снижение напряженности поля. Ферроэлектрический запоминающий контур содержит ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки, два электрода, при этом, по меньшей мере, один из электродов содержит, по меньшей мере, один контактный слой, который содержит проводящий полимер, находящийся в контакте с ячейкой памяти, и, в случае необходимости, второй слой в виде металлической пленки, находящейся в контакте с проводящим полимером. Способ изготовления ферроэлектрического запоминающего контура включает в себя операции нанесения на подложку первого контактного слоя в виде тонкой пленки проводящего полимера и нанесения тонкой ферроэлектрической полимерной пленки на первый контактный слой и второго контактного слоя на тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал. Техническим результатом является повышение надежности считывания данных из запоминающих устройств, содержащих ячейки с электрически поляризуемой средой, возможность разработки общих процедур и устройств для осуществления бездеструктивного считывания данных. Первое устройство для сопоставления фаз содержит генератор сигнала для подачи двух или более считывающих сигналов с заданными фазами на ячейку памяти, фазочувствительный детектор, источник опорного сигнала, дискриминаторно/логический контур. Второе устройство для сопоставления фаз содержит генератор сигнала для подачи первого периодического считывающего сигнала, наложенного на второй периодически считывающий сигнал меньшей частоты, фазочувствительный детектор/дискриминатор. Способ описывает работу указанных устройств. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти. Техническим результатом является возможность локализации погрешностей во время считывания или адресации в единственном информационном слове, устранение возмущений на неадресуемых ячейках. Энергонезависимое запоминающее устройство содержит электрически поляризуемый диэлектрический материал, находящийся в слое, расположенном между первым и вторым наборами адресации с параллельным расположением электродов в пределах каждого набора, управляющие шины и шины данных, средство считывания и средства для подсоединения каждой шины данных к ассоциированному средству считывания. Способ описывает работу указанного устройства. Устройство трехмерного хранения данных содержит множество образующих стопу слоев, каждый из которых содержит одно вышеуказанное энергонезависимое запоминающее устройство. 3 с. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал. Его использование позволяет получить технический результат в виде разработки протоколов подачи импульсов напряжения в функции от времени для управления шин х и у матрицы с пассивной адресацией в устройствах с постоянной памятью, характеризующихся кривыми гистерезиса ферроэлектрического типа, обеспечивающих минимизацию возмущений для невыбранных ячеек памяти при записи данных в память устройства, а также при считывании данных из памяти. Технический результат достигается за счет того, что потенциал на выбранных управляющих шинах данных задают таким образом, чтобы он был близким или совпадающим с одним из заданных n уровней потенциала. При этом управление потенциалами, подаваемыми на все управляющие шины и шины данных, осуществляют в соответствии с протоколом таким образом, что управляющие шины последовательно защелкивают на значениях потенциала, выбранных из n_WORD значений, в то время как шины данных либо последовательно защелкивают на значениях потенциала, выбранных из n_BIT значений, либо подключают на определенный период в пределах временной последовательности импульсов, задаваемой протоколом, к контуру для детектирования зарядов, текущих между шиной или шинами данных и ячейками, соединенными с этими шинами. 15 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа. Его использование позволяет получить технический результат в виде определения и контроля поляризации методами, в меньшей степени способствующими усталости, обеспечивающими большие скорости работы с данными и менее требовательными в отношении драйверных контуров. Технический результат достигается за счет того, что при выполнении операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, предпочтительно электрет или ферроэлектрик, причем логическое значение, хранящееся в ячейке памяти, выражается действительным состоянием поляризации в данной ячейке, степень поляризации во время каждого цикла записи или считывания ограничивают значением, определяемым контуром управления операциями считывания и записи. Данное значение находится в интервале между уровнем, превышающим нулевой, и верхним пределом, который выбирают меньшим, чем уровень насыщения поляризации, и соответствующим заданному критерию надежности определения логического состояния ячейки памяти. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 5 ил.