Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: ..кремнийсодержащие соединения – G03F 7/075

МПКРаздел GG03G03FG03F 7/00G03F 7/075
Раздел G ФИЗИКА
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/00 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/075 ..кремнийсодержащие соединения

Патенты в данной категории

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОРИЕНТАЦИИ (111)

Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера. Способ согласно изобретению включает обработку поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при этом предварительно монокристаллический кремний ориентации (111) помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 минут, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см2. Изобретение обеспечивает формирование периодических пирамидальных структур на поверхности монокристаллического кремния, имеющих монокристаллическую структуру и три кристаллографические грани ориентации (111). 1 табл., 5 ил.

2501057
патент выдан:
опубликован: 10.12.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ СОЗДАНИЯ МАТРИЧНОЙ ТРИАДЫ СВЕТОФИЛЬТРОВ

Изобретение относится к способу получения материала для формирования матричной триады светофильтров, предназначенных для создания активно-матричных жидкокристаллических экранов. Описывается способ получения термостойкого материала для создания матричной триады светофильтров для активно-матричных жидкокристаллических экранов, включающий последовательное формирование дискретного окрашенного микрорельефа из фоточувствительной композиции и красителя. В качестве фоточувствительной композиции используют фоторезист, включающий кремнийсодержащий поли(о-гидроксиамид) на основе, продукта поликонденсации 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис-(3-аминопропил)диметилсилоксана при их массовом соотношении от 9:1 до 1:9 с дихлоридом изофталевой кислоты, о-аминофенолом и эпихлоргидрином в амидном растворителе, фоточувствительный компонент , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана и фотогенератор кислоты - , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-4-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана, с последующим введением в фоточувствительную композицию красителя из ряда триады красителей, формированием на субстрате окрашенного микрорельефа и термозадубливанием при 200-220°С. Предложенный способ обеспечивает формирование высокоразрешенного окрашенного микрорельефа и полосовых фильтров на стеклянных подложках и узкополосные контрастные линии в активно-матричных жидкокристаллических экранах. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.

2404446
патент выдан:
опубликован: 20.11.2010
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКОГО ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА

Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах. Сущность способа получения позитивного термостойкого фоторезиста заключается в поликонденсации дихлорида изофталевой кислоты со смесью 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис-(3-аминопропил)диметилсилоксана в амидном растворителе при соотношении аминных компонентов от 9:1 до 1:9 мол.%. Раствор светочувствительного компонента , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана в амидном растворителе добавляют непосредственно в реакционную массу после завершения реакции поликонденсации. При этом для получения фоторезиста выбирают следующие соотношения компонентов, мас.%: реакционный раствор поли(о-гидроксиамида) - 80-90; , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропан - 1,5-6,5; амидный растворитель - остальное. Полученный термостойкий позитивный фоторезист надежно обеспечивает формирование высокоразрешенного, адгезионнопрочного, химически стойкого позитивного микрорельефа на смешанных, в том числе кремнийсодержащих, субстратах. 2 з.п. ф-лы.

2379731
патент выдан:
опубликован: 20.01.2010
НОВЫЕ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫЕ ПОЛИСИЛОКСАНОВЫЕ ФОТОИНИЦИАТОРЫ

Настоящее изобретение относится к новым поверхностно-активным полисилоксановым фотоинициаторам. Описаны полимерный фотоинициатор формулы I, способ его получения по реакции метилового эфира фенилглиоксалевой кислоты с обладающим концевой группой ОН-кремнийорганическим соединением формулы I'. Также описаны фотоотверждаемая композиция, включающая (А) по меньшей мере одно этиленненасыщенное свободнорадикально фотополимеризующееся соединение; и (В) по меньшей мере один поверхностно-активный фотоинициатор формулы I, указанный выше; (С) необязательно термически сшивающиеся соединения; (D) необязательно другие добавки; (Е) необязательно другие фотоинициаторы. Также описан способ получения покрытий, обладающих стойкими к образованию царапин и/или химически стойкими поверхностями, в котором указанная выше фотоотверждаемая композиция наносится на подложку, описано также применение соединений формулы I в качестве поверхностно-активных фотоинициаторов для фотополимеризации этиленненасыщенных соединений или смесей, и описана подложка с покрытием, содержащая по меньшей мере на одной поверхности покрытие из указанной выше фотоотверждаемой композиции. Технический результат - получение определенного силоксанового соединения, обеспечивающего улучшенное полное отверждение и стойкость к образованию царапин покрытий. 6 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

2351615
патент выдан:
опубликован: 10.04.2009
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СМОЛА ДЛЯ ГРАВИРУЕМОЙ ЛАЗЕРОМ ПЕЧАТНОЙ МАТРИЦЫ

Изобретение относится к гравируемой лазером печатной матрице, используемой для получения рельефного изображения известными методами. Описывается гравируемая лазером печатная матрица, полученная фотоотверждением композиции на основе фоточувствительной смолы (а), содержащей полимеризуемую ненасыщенную группу, имеющую средний молекулярный вес от 1000 до 20×104 , органическое соединение (b), имеющее полимеризуемую ненасыщенную группу и средний молекулярный вес менее 1000, и кремнийорганическое соединение (с), имеющее по крайней мере одну Si-О связь и не содержащее полимеризуемой ненасыщенной группы. Содержание кремнийорганического соединения (с) находится в диапазоне от 0,1 до 10% от веса композиции на основе фоточувствительной смолы. Описывается также получение гравируемой лазером печатной матрицы формованием указанной композиции в полотно или цилиндр с последующим сшиванием и отверждением под действием света. Изобретение обеспечивает простоту удаления липких обломков на стадии поверхностной обработки, а также повышенную устойчивость печатной матрицы к истиранию и к прилипанию на поверхность. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 табл.

2327195
патент выдан:
опубликован: 20.06.2008
ЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ОБЛУЧЕНИЮ КОМПОЗИЦИЯ, ИЗМЕНЯЮЩАЯ ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации. Описывается чувствительная к излучению композиция с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащая разлагаемое соединение (А), неразлагаемый компонент (В), включающий частицы неорганического оксида, устойчивые к кислоте или к основанию, которые вызываются источником кислоты или основания веществом (С), и чувствительное к облучению разлагающее вещество (С), причем показатель преломления пА разлагаемого соединения и показатель преломления пВ неразлагаемого соединения находятся в одном из нижеследующих отношений (1) и (2): п В-пА 0,05 (1), пА-пВ 0,05 (2), а количество компонента (В) составляет 10-90 мас.ч. в расчете на 100 мас.ч. от общего количества компонентов (А) и (В), и количество компонента (С) составляет 0,01-30 мас.ч. в расчете на 100 мас.ч. от общего количества компонентов (А) и (В). Полученная на основе указанной композиции модель позволяет простым способом изменять показатели преломления с достижением достаточно большой разницы между ними и их стабильности независимо от условий применения. 7 н. 5 з.п. ф-лы, 3 табл.

2281310
патент выдан:
опубликован: 10.08.2006
УНИВЕРСАЛЬНАЯ ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ПАЯЛЬНОЙ МАСКИ ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ С ПОВЫШЕННЫМИ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

Изобретение относится к фотополимеризующейся композиции пленочной паяльной маски для электронных печатных плат. Описывается универсальная фотополимеризующаяся композиция, содержащая вес.%: бутилакрилат 40-20, бутилметакрилат 30-35, нитрилакриловая кислота 15-5, метилметакрилат 0-20, метакриловая кислота 15-20, фталоцианиновый пигмент - в количестве 1-2% от веса указанного акрилового сополимера, и дополнительно следующие компоненты в количестве, % от веса указанного акрилового сополимера: глицидилметакрилат 5-10, триэтиленгликольметакрилат 10-20, -хлорантрахинон 0,05-0,1, диметилбензилкеталь 4-6, гидрохинон 0,1, монометиловый эфир гидрохинона 0,1, ацетат цинка 0,01-0,03, этиленгликоль 4-8, серная кислота 0,01, метакрилатметилметилдиэтоксисилан 7-15, которое в процессе термо- и фотополимеризации образуют гетероциклическую структуру полимерной части паяльной маски. Дополнительно композицию может содержать окись магния в количестве 0,01-2,0 вес. % от акрилового сополимера. Предложенная композиция позволяет повысить эксплуатационные характеристики, а именно термостабильность, разрешающую способность, работоспособность композиции в процессе ее хранения до момента использования. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.
2192661
патент выдан:
опубликован: 10.11.2002
ПОЛИОРГАНОСИЛАНЫ И ДВУХСЛОЙНАЯ ПОЗИТИВНАЯ МАСКА ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИОРГАНОСИЛАНА

Использование: в микроэлектронике. Полиорганосиланы ф-лы 1, где R1-этиладамантил, этил(диметиладамантил), R2-метил, фенил, R3-метил, фенил, циклогексил, m 2 - 3000, n 2 - 3000, м:n 1:(0,1 - 10) для изготовления позитивной маски для фотолитографии. 2 табл., 1 ил. Структура соединения ф-лы 1: л
2118964
патент выдан:
опубликован: 20.09.1998
Наверх