ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей: ..с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции – C30B 9/06

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 9/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей
C30B 9/06 ..с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

Патенты в данной категории

ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЭПИТАКСИИ (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств. В изобретении раскрыт объемный монокристалл нитрида, который представляет собой монокристалл нитрида галлия, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, имеет площадь поверхности больше 100 мм2 , его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокаций в плоскости С меньше 106 /см 2, в то время как его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной, пригодной для дальнейшей обработки пластины с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, по меньшей мере, 100 мм2. В более общем случае изобретение раскрывает объемный монокристалл нитрида, который представляет собой монокристалл нитрида, содержащего галлий, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, имеет площадь поверхности больше 100 мм 2, его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокаций меньше 106 /см 2. Вышеуказанные объемные монокристаллы нитрида, содержащего галлий, кристаллизуются с использованием способа, включающего растворение исходного материала, содержащего галлий, в сверхкритическом растворителе и кристаллизацию нитрида галлия на поверхности затравочного кристалла, при температуре выше и/или давлении ниже, чем используют в процессе растворения. Полученные объемные монокристаллы имеют плотность дислокации менее 106 /см 2, что говорит об их высоком качестве. 5 н. и 43 з.п. ф-лы, 20 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Crystal growth of gallium nitride in supercritical ammonia. "Journal of Crystal Growth", v.222, Issue 3, January 2001, p.431-434.

2312176
патент выдан:
опубликован: 10.12.2007
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНЫХ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ

Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Готовят шихту состава, определенного областью АВС диаграммы трехкомпонентной смеси Li2О-В2О3-МоО3 , где координаты составов определены следующими точками, мол. доли: A: Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B: Li2O - 0,20; В 2O3 - 0,20; МоО3 - 0,60; С: Li 2O - 0,3; В2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57. Шихту перемешивают и загружают в печь с двумя и более зонами нагрева. Расплавление ведут порциями при 850°С. Раствор-расплав выдерживают при перемешивании, затем охлаждают до температуры на 5°С выше температуры насыщения, вносят затравку и выращивают кристалл при снижении температуры путем управления скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста кристалла. Скорость снижения температуры на различных зонах печи может быть одинаковой (синхронный принцип) или различной (асинхронный принцип). Получают совершенные кристаллы массой не менее 400 г с незначительными включениями в периферийной зоне. До 90% общего объема кристалла пригодно для использования в нелинейной оптике. 5 ил.

2262556
патент выдан:
опубликован: 20.10.2005
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛИЙ ТИТАНИЛ АРСЕНАТА KTiOAsO4

Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения. Способ заключается в том, что при получении монокристаллов КТА на затравку охлаждением раствора-расплава из собственных арсенатных флюсов в системе K2O - TiO2 - As2O5 используют расплав с мольным соотношением компонентов растворителя K2O : As2O5 от 0,8 до 2,2 с добавлением примеси щелочноземельного металла MIIO, где МII = Mg2+, Ca2+, Sr2+ или Ba2+ в количестве от 1 до 10 мол.% и выращивание ведут при охлаждении расплава с вытягиванием затравки, ориентированной по направлению [100] , или [010], или нормально к плоскости {011} кристалла. Предлагаемый способ выращивания позволяет получать достаточно бездефектные монокристаллы KTiOAsO4 с размерами до 30 х 40 х 40 мм3 и более и весом до 70 г.
2128734
патент выдан:
опубликован: 10.04.1999
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ-ЛИТИЙ БОРАТА CSLIB6O10

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06; C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14; D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14; E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0. Используют затравку, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810-840 до 770-800oC со скоростью 1-2oC/сутки. Применение растворителя MoO3 с низкой вязкостью, а также проведение роста в направлении [011] обеспечивает возможность получения крупных монокристаллов CLBO с размером до 555017 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до 101015 мм3. 2 ил.
2119976
патент выдан:
опубликован: 10.10.1998
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ BI2Sr2CaCu2O8

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона. Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Sr2CaCu2O8 включает расплавление шихты, состоящей из оксидов и карбонатов, с последующей кристаллизацией расплава и отличается тем, что кристаллизацию проводят из шихты, рассчитанной на состав Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8, где 0,1x0,3. Кристаллы размером в плоскости (ab) 2...3 x 2...4 мм имели сразу после выращивания Tecnd 84. . .85 К и демонстрировали эффект периодических модуляций добротности резонатора в нулевом магнитном поле на частоте 10 ГГц. 1 табл.
2090665
патент выдан:
опубликован: 20.09.1997
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЯ СЛОЖНОГО ВИСМУТСОДЕРЖАЩЕГО ОКСИДА

1. Способ получения монокристаллов соединения сложного висмутсодержащего оксида, включающий смешивание оксида висмута с оксидным соединением металла, нагрев смеси до плавления, выдержку расплава и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения металла используют оксидное соединение щелочно-земельного элемента при мольном соотношении оксида висмута к оксидному соединению щелочно-земельного элемента, равном 2 : 1, расплав выдерживают при 1050oС в течение 1 ч, а охлаждение ведут до 650oС со скоростью 2 град/ч до 550oС со скоростью 10 град/ч, далее вместе с отключенной печью.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения щелочно-земельного элемента используют пероксид бария BaO2.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения щелочно-земельного элемента используют карбонат стронция SrCO3.
2078450
патент выдан:
опубликован: 27.04.1997
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O7-

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре. В начале процесса образуют питатель на дне тигля и ведут перекристаллизацию питателя на опущенные в расплав кристаллодержатели при градиенте температур, причем состав шихты берут в соотношении (моль.) : (0,041-0,155) Y2О3; (3,01-3,06) ВаО, (6,9-6,60) СuО, расплавляют, гомогенизируют и охлаждают со скоростью 1-5 град/час до температуры 910-960oС, перемешивая раствор-расплав вращением тигля со скоростью 1-40 об/мин при вертикальном градиенте 2-10o/см, обеспечивая дно холоднее поверхности расплава, а перекристаллизацию питателя ведут на опущенные кристаллодержатели (при необходимости с затравками) при обратном градиенте температур 0,5-2 град/см, скорости вращения тигля 1-40 об/мин и темпера - туре роста 910-960oС. Указанные условия обеспечивают получение более крупных объемных монокристаллов по сравнению с прототипом. 1 ил.
2064023
патент выдан:
опубликован: 20.07.1996
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники. Сущность изобретения: синтезирован ВТСП формулы Tl1,85Ba2Ca0,02Cu1,15O6 получение которого ведут в воздушной атмосфере, расплавляя шихту, содержащую Tl2O3 СаО, BaO2 и CuO в соотношении 1 1 2 2, разогревая расплав до 980 990°С с последующим охлаждением с постоянной скоростью 1 3°С/ч до 680 660°С и извлечением тигля из печи. Способ позволяет выращивать монокристаллы размерами 3 x 2 x 0,2 мм. Соединение Tl1,85Ba2Ca0,02Cu1,15O6 характеризуется высокой критической температурой перехода в сверхпроводящее состояние (110 К) и стабильностью состава по содержанию катионов. 2 с. п. ф-лы.
2051210
патент выдан:
опубликован: 27.12.1995
СПОСОБ БЕЗТИГЕЛЬНОГО ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O 7-

Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников. Целью изобретения является увеличение линейных размеров монокристаллов и повышение процента их выхода. Изобретение сводится к тому, что используется безтигельный способ получения монокристаллов YBa2Cu3O7- с применением диффузионных пар состава: смесь Y2BaCuO5+Ba3Cu5O8- - смесь Y2BaCuO5+xBa3Cu5O8- , где x 1,0-1,3, при этом происходит непосредственный прямой синтез сверхпроводящего соединения из жидкой фазы L и твердого Y2BaCuO5 по суммарной перетектической реакции Y2BaCuO5+L_ YBa2Cu3O7-. 3 ил., 1 табл.
2038430
патент выдан:
опубликован: 27.06.1995
Наверх