Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, устройства для этих целей: .контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии – C30B 31/04
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 31/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей
C30B 31/04 .контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ АЛМАЗОВ Изобретение относится к технологии получения сверхтвердых материалов, а именно искусственных алмазов, при непосредственном использовании высоких давлений и температур, развивающихся при детонации конденсированных взрывчатых веществ (ВВ). Сущность изобретения: способ получения легированных ультрадисперсных алмазов включает формирование заряда углеродосодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом, окружение заряда взрывчатого вещества охлаждающей жидкостью, размещение заряда взрывчатого вещества в герметичной взрывной камере, инициирование его детонации, извлечение из взрывной камеры конденсированных продуктов детонации и выделение ультрадисперсных алмазов. В качестве охлаждающей жидкости используют насыщенный раствор химического соединения, содержащего легирующий элемент. Для приготовления насыщенного раствора используют дистиллированную воду. При приготовлении насыщенного раствора дистиллированную воду нагревают до температуры не выше температуры плавления взрывчатого вещества. Технический результат - увеличение концентрации легирующего элемента в кристаллической решетке ультрадисперсных алмазов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2202514 патент выдан: опубликован: 20.04.2003 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНТЕРКАЛИРОВАННЫХ СОЕДИНЕНИЙ И СОЕДИНЕНИЯ, ПОЛУЧЕННЫЕ ЭТИМ СПОСОБОМ Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении. Предлагаемый способ отличается тем, что в качестве интеркалянта (внедряемого вещества) в нем используют сложные кристаллические вещества с цепочечной структурой кристаллической решетки, в частности полупроводники TlSe и ТlInSe2. При этом вещество интеркалянта поддерживают в состоянии расплава, а матрицу (интеркалируемый кристалл), находящуюся в контакте с расплавом, подвергают периодическому нагреванию и охлаждению в интервале между температурой плавления и затвердевания вещества интеркалянта с перемещением фронта горячей области вдоль матрицы в прямом и обратном направлениях. Физической основой предлагаемого способа является свойство "самозатравления", характерного для веществ с цепочечной структурой кристаллической решетки, особенно для соединений TlSe и TllnSe2, и обусловленного сильной анизотропией скоростей роста этих кристаллов. Это свойство позволяет реализовать иной, нежели в известных способах, механизм внедрения путем "прорастания" в матрицу кристаллов интеркалянта вдоль оси их максимальной скорости роста. Изобретение позволяет получить новую группу интеркалированных соединений, при этом достигается значительное сокращение времени процесса интеркаляции, а также особое состояние интеркалянта в матрице, когда сохраняется индивидуальность кристаллической структуры вещества интеркалянта при его внедрении в матрицу. 2 c. и 1 з.п. ф-лы. | 2156329 патент выдан: опубликован: 20.09.2000 |
|
| СПОСОБ ВВЕДЕНИЯ ЛИГАТУРЫ В РАСПЛАВ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ БЕРИЛЛА Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней. Техническим результатом является упрощение процесса введения легирующих компонентов в расплав при получении берилла. Легирующие компоненты вводят в расплав из футеровки стальной колбы, при этом футеровку выполняют из трех слоев. Первый слой, состоящий из смеси разлома огнеупорного кирпича и огнеупорной глины при соотношении 3 к 1 с добавлением воды, толщиной 20-25 мм наносят на стенки и дно стальной колбы, просушивают и обжигают. На первый слой наносят второй слой толщиной 10-15 мм, состоящий из огнеупорной глины и легирующих компонентов, необходимых для введения в расплав с добавлением для повышения твердости корунда. Второй слой также просушивается и обжигается, после чего наносят третий слой толщиной до 3 мм, который по составу аналогичен первому, после сушки и обжига замазывают трещины и производят заключительную сушку. | 2147049 патент выдан: опубликован: 27.03.2000 |
|