Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей – C30B 31/00

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Способ нейтронного легирования вещества включает замедление быстрых нейтронов источника веществом замедлителя, формирование потока тепловых нейтронов в выделенную область и облучение тепловыми нейтронами легируемого вещества, при этом быстрые нейтроны источника в процессе замедления сепарируют по углам их распространения, выделяют их потоки, двигающиеся в выделенном структурой вещества замедлителя направлении, суммируют выделенные структурой потоки, формируют в виде узкой полосы и направляют на легируемое вещество, которое управляемо перемещают в области фокуса потоков нейтронов. Техническим результатом изобретения является рост производительности процесса легирования и формирование областей с повышенной степенью легирования в заданных участках легируемого вещества. 2 н. и 3 з.п.ф-лы, 3 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов, легированных бором, которые могут найти применение в электронной промышленности для изготовления полупроводниковых устройств. Способ включает разложение твердых карбонильных соединений платиновых металлов в газовой среде при повышенной температуре в герметичном контейнере с образованием алмазов и их легирование бором при температуре 150°С÷500°С в течение 2-5 часов в газовой среде, содержащей монооксид углерода СО и диборан B₂H₆ при весовом соотношении в газовой смеси бора к углероду, равном 1:100÷1000. Техническим результатом изобретения является получение монокристаллов алмаза с полупроводниковыми свойствами высокого качества. 1 табл., 5 пр.

Изобретение относится к технической физике и нелинейной оптике и может быть использовано при создании параметрических преобразователей частоты лазерного излучения в средний инфракрасный (ИК) и терагерцовый (ТГц) диапазоны спектра. Изменение обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла GaSe осуществляют легированием малоразмерным по отношению к химическому элементу Ga химическим элементом Al в концентрации 0,005-0,05 мас.%. Технический результат изобретения заключается в увеличении показателя преломления для волн обыкновенной поляризации в кристаллах GaSe при минимальных изменениях значения показателя преломления для волн необыкновенной поляризации. 1 табл.

Изобретение относится к средствам и способам маркировки ценных изделий, преимущественно драгоценных камней, в частности ограненных алмазов (бриллиантов), и может быть использовано для последующей идентификации данных изделий. Метка 1 выполнена в виде сформированного на полированной поверхности 3 изделия 2 оптически визуализируемого в дифракционно-отраженном свете изображения. Структура изображения организована посредством модифицированной области поверхностного слоя изделия 2 с измененными, относительно исходных, оптическими свойствами в упомянутой области, функционально являющейся изображением метки 1. Модифицированная область выполнена в виде микроштрихов 8, пространственно организованных по типу отражательной дифракционной решетки, функционально являющейся средством повышения контраста визуального восприятия изображения метки 1, по меньшей мере, в одном из цветовых тонов спектра падающего на нее излучения. Структура микроштрихов модифицированой области включает, по меньшей мере, одну примесную добавку, выбранную из группы, включающей благородные металлы или бор, ионно-имплантированную в атомные решетки исходного материала изделия без разрушения межатомных связей этих решеток и, соответственно, без изменения качества полированной поверхности изделия, но с изменением комплексного показателя преломления этого материала. Согласно способу формирования метки 1, перед модифицированием на поверхность 3 наносят технологический слой (ТС) материала, удаляемый после модифицирования. В ТС формируют структуру, организованную по типу штриховой решетки. Модифицирование соответствующей области поверхностного слоя осуществляют посредством экспонирования этой области ионным пучком через маску с изображением метки 1 и образованную в ТС пространственную структуру, организуя тем самым технологический режим имплантации ионов модификатора в модифицируемую область поверхностного слоя материала изделия 2 без разрушения связей в атомных решетках этого материала и, соответственно, без изменения исходного качества полировки поверхностного слоя, но с изменением его исходных оптических свойств. В качестве модификатора используют примесные добавки, выбранные из группы, включающей благородные металлы или бор, ионы которых изменяют комплексный показатель преломления модифицированного слоя. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений А^IIIВ^V. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со скоростью 20÷40 град/мин до температуры отжига, определяемой по формуле Т _отж=450+(lgN_Sn-14)·7[°С], где N_Sn - концентрация вводимой легирующей примеси олова [см^-3], отжиг проводят в течение 20 минут, а последующее охлаждение ведут со скоростью 5÷10 град/мин до температуры 350÷400°С, а затем со скоростью 20÷40 град/мин до комнатной температуры. Изобретение позволяет производить легирование пластин антимонида индия оловом до высоких концентраций, повысить однородность распределения олова и подвижность электронов. 1 табл.

Изобретение может быть использовано в ювелирной промышленности для окрашивания вставок из фианита в зеленые, синие и коричнево-желтые цвета и в оптике для получения цветных светофильтров, выдерживающих температуры свыше 1000°С. Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что способ окрашивания фианитов включает предварительное нанесение в виде покрытия на окрашиваемую поверхность фианита кобальта и, по меньшей мере, одного металла, окисел которого способен к шпинелеобразованию с окисью двухвалентного кобальта, например железо и/или алюминий. Затем в кислородосодержащей атмосфере проводят термообработку при температуре выше 1000°С, но не превышающей температуру плавления фианита, не менее 3 часов. Преимущественно покрытие наносят методом термического распыления металлов в вакууме. Упомянутые металлы могут наносить как поочередно, так и одновременно. Для придания фианиту окраски сине-зеленой гаммы наносят кобальт и алюминий с атомным соотношением от 1:1 до 1:2. Для придания фианиту окраски желто-зеленой гаммы наносят кобальт, алюминий и железо с атомным соотношением 1:1:0,1-0,2. Для придания фианиту окраски желто-коричневой гаммы наносят кобальт и железо в атомном соотношении от 1:1 до 1:2. Способ обеспечивает получение устойчивой к высоким температурам и химическому воздействию воспроизводимой окраски. 6 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств. Предложены два варианта реализации формирования на поверхности облучаемого объекта многоэлементного пучка при условии отличающихся не более чем на 10% для каждого из ионов величины отношения их массы к заряду. Сущность изобретения по первому варианту заключается в том, что в объеме камеры одного источника, соединенной, по меньшей мере, с двумя автономными дозаторами фазообразующих атомов, формируют из них многоэлементную плазму высокозарядных ионов. С помощью электрического поля, сформированного постоянным по величине ускоряющим напряжением, экстрагируют из плазмы многоэлементный пучок многозарядных ионов и направляют его в магнитный массепаратор. Магнитный сепаратор выделяет ионные компоненты фазообразующих атомов с различающимися не более чем на 10% относительно друг друга значениями величины отношения массы иона к их заряду и сканируют данным многоэлементным пучком по поверхности облучаемого объекта. Сущность изобретения по второму варианту заключается в том, что в объеме камеры источника, соединенной по меньшей мере с двумя автономными дозаторами фазообразующих атомов, формируют из них многоэлементную плазму высокозарядных ионов. С помощью периодически и последовательно изменяющегося по амплитуде электрического поля, сформированного модулятором амплитуды ускоряющего напряжения, экстрагируют многоэлементный пучок многозарядных ионов с соответствующими энергиями. Ионы, периодически и последовательно ускоренные до выбранных энергий, направляются через магнитный сепаратор на облучаемый объект. Изобретение решает задачу повышения эффективности ионного легирования и сокращения времени облучения объекта путем его одновременного облучения многоэлементным пучком ионов из фазообразующих атомов. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области получения специальных сплавов в виде покрытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машиностроении, материаловедении и других отраслях. Способ легирования металла в пленках включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждение их субслоями поочередным повторяющимся пересечением потоков плазмы, при этом осаждение каждого субслоя ведут в виде островкового покрытия размером частиц металла и/или легирующего элемента менее критического, при котором частица находится в жидком состоянии при соосаждении. Технический результат заключается в значительном снижении температуры легирования - образования твердого раствора (около 100°С). 1 табл.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 10⁷ дефектов·см ^-2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК. Устройство содержит проходной тракт с сильфонным компенсатором, расположенную внутри проходного тракта и жестко соединенную с ним наружную оболочку в виде последовательно соединенных гильзы, тракта наращивания и головки, причем гильза верхней частью установлена на опорный бурт проходного тракта, а нижней частью расположена с зазором в расточке графитовых блоков отражателя нейтронов, при этом устройство снабжено внутренней трубой, смонтированной с зазором внутри наружной оболочки, и узлами подвода и отвода охлаждающей жидкости, образующими вместе с наружной оболочкой и внутренней трубой систему охлаждения, при этом снаружи и внутри наружной оболочки установлены средства защиты от ионизирующего излучения, а устройство снабжено расположенной во внутренней трубе телескопической подвеской облучательного контейнера, с которым соединена нижняя секция подвески, при этом подвеска снабжена приводом вертикального перемещения и вращения, расположенным в верхней части наружной оболочки, а с внешней стороны наружной оболочки размещена система контроля целостности гильзы. Изобретение позволяет улучшить свойства легированного кремния: равномерность легирования, вероятность возникновения дефектов. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии ювелирного производства, точнее к способам получения цветных ювелирных вставок, а также вставок с применением ювелирных эмалей, и предназначено для использования в ювелирной промышленности тиражом. Сущность изобретения: ювелирный материал - синтетический поликристаллический корунд состоит из глинозема, цветообразующих добавок и связки-парафина. Для получения нужного цвета к глинозему может быть добавлен оксид молибдена в количестве 0,03% для получения черного цвета; оксид вольфрама в количестве 0,01% для получения серого цвета; оксид неодима в количестве 0,01% для получения голубого цвета; оксид эрбия в количестве 0,01% для получения розового цвета; оксид хрома в количестве 0,05% для получения красного цвета. Способ получения изделий из ювелирного материала - синтетического поликристаллического корунда, состоящего из глинозема, цветообразующих добавок и связки-парафина, осуществляют путем формования на литьевых машинах при давлении 4 атм и обжига, причем первый обжиг проводят в печах непрерывного действия для выжига связки в течение 90 час при температуре Т-1150°С, а второй - в печах периодического действия в течение 170 час при температуре Т-1750°С для образования и спекания микрокристаллов, составляющих цветной полупрозрачный черепок изделия плотностью 4 г/см³ и твердостью 9 ед. по шкале Мооса, который затем полируют алмазными материалами. Изобретение позволяет получать в условиях промышленного производства готовые изделия в виде ювелирных вставок с высококачественным миниатюрным рельефом из цветного корунда, по твердости уступающего только алмазу. 2 с. и 5 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к композиционной поверхностной системе на материалах, содержащих натуральные и синтетические алмазы, обладающей высокой адгезионной способностью к связке в алмазных инструментах или изделиях, износостойкостью и химстойкостью. Покрытие алмазов и алмазосодержащих материалов представляет собой в преимущественном варианте сочетание внутреннего слоя из карбидов вольфрама и наружного вольфрамового слоя, легированных фтором. Покрытие позволяет обеспечить хорошую адгезию алмазов и алмазосодержащих материалов к подложке. Для нанесения покрытия из вольфрама подложку помещают в среду порошка вольфрама и шихты, содержащей фтор в количестве 0,003-5 вес.% от веса инертного наполнителя и нагревают до температуры 700-1200С. Для нанесения покрытия из карбида вольфрама подложку помещают в реактор, вакуумируют его до 10 Па, подают гексафторид вольфрама и водорода, выдерживают подложку в течение необходимого времени и отжигают подложку при температуре, необходимой для образования карбида вольфрама. 4 н. и 27 з.п. ф-лы.

Использование: при изготовлении светоизлучающих устройств на основе селенида цинка. Сущность изобретения: способ термической обработки полупроводникового соединения ZnSe включает формирование пленки алюминия на поверхности, по меньшей мере, одного кристалла ZnSe, размещение, упомянутого по меньшей мере одного кристалла ZnSe в камере для термической обработки, имеющей внутреннюю поверхность, сформированную по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы, состоящей из пиролитического нитрида бора, нитрида бора с гексагональной решеткой, сапфира, окиси алюминия, нитрида алюминия и поликристаллического алмаза; вакуумирование камеры и термическую обработку упомянутого по меньшей мере одного кристалла в газовой атмосфере, содержащей пары цинка. Также предложен кристалл полупроводникового соединения ZnSe, подвергнутый термической обработке с помощью указанного выше способа, и устройство для термической обработки полупроводникового соединения ZnSe, которое включает в себя компоненты для осуществления указанного выше способа. Техническим результатом изобретения является понижение удельного сопротивления полупроводникового соединения ZnSe без понижения степени кристалличности. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.