Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала: ..отложение образцов, например с использованием защитных слоев – C30B 23/04
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
C30B 23/04 ..отложение образцов, например с использованием защитных слоев
Патенты в данной категории
| ЗАТРАВОЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: поверхность (3) затравочного кристалла (2) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращиваемого из газовой фазы монокристалла (6) и во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), которое является химически стойким относительно затравочного кристалла (2) и газовой фазы и не плавится при температурах роста. За счет этого избегаются термические деградации затравочного кристалла (2) и повышается качество изготовленных монокристаллов (6). 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2163273 патент выдан: опубликован: 20.02.2001 |
|