композитный материал акустического демпфера

Классы МПК:H03H9/12 для схем с взаимодействием оптических и акустических волн 
H03H9/30 схемы задержки 
H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Воронежский научно-исследовательский институт связи
Приоритеты:
подача заявки:
1999-03-30
публикация патента:

Предлагаемый композитный материал относится к радиоэлектронным материалам и может быть использован в различных устройствах на поверхностных акустических волнах. Композитный материал акустического демпфера содержит в качестве эпоксидной смолы эпоксидную низкомолекулярную диановую смолу с мол. м. не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярный алифатический полиамид с мол. м. не более 1000, в качестве наполнителя - пылевидную двуокись кремния, причем максимум гранулометрического распределения зерен двуокиси кремния по размерам лежит между композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/4 и композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/2, где композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503 - длина поверхностностной акустической волны. Заявляемый композитный материал имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.: эпоксидная низкомолекулярная диановая смола 1,8 - 2,2; низкомолекулярный линейный алифатический полиамид 6,5 - 7,5; двуокись кремния 1 - 1,5. Техническим результатом является упрощение процесса приготовления композитного материала и повышение уровня подавления ложных сигналов. 1 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

Композитный материал акустического демпфера, содержащий эпоксидную смолу, отвердитель и минеральный наполнитель, отличающийся тем, что в качестве эпоксидной смолы используется низкомолекулярная диановая смола с мол.м. не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярный линейный алифатический полиамид с мол.м. не более 1000, в качестве наполнителя - пылевидная двуокись кремния (SiO2), причем максимум гранулометрического распределения зерен двуокиси кремния по размерам лежит между композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/4 и композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/2, где композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503 - длина поверхностной акустической волны (ПАВ), при следующем содержании компонентов, вес.ч.:

Эпоксидная низкомолекулярная диановая смола - 1,8 - 2,2

Низкомолекулярный линейный алифатический полиамид - 6,5 - 7,5

Двуокись кремния (SiO2) - 1 - 1,5

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиоэлектронным материалам и может быть использовано в различных устройствах на поверхностных акустических волнах (ПАВ).

Известен "Элемент для передачи упругих поверхностных волн", H 03 H 9/25, заяв. N 58-38971, Японии, где в качестве звукопоглощающего вещества используется смесь природной смолы с наполнителями из LiTaO3, LiNbO3, Gd3Ga5O12

Известна "Линия задержки на поверхностных акустических волнах", где в качестве наполнителя для акустопоглощающего материала использован оксид гадолиния (III), а.с. 1159155, H 03 H 9/42, SU

Недостатком известных аналогов является высокая стоимость наполнителей, недостаточная эластичность синтетической смолы в интервале рабочих температур (от -60 до +80)oC, а для природных смол характерно непостоянство состава и, как следствие, возможность выделения летучих компонентов при термоциклировании.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому материалу является композитный материал по а.с. N 1043816, H 03 H 9/12, СССР, принятый за прототип.

Композитный материал, принятый за прототип, содержит эпоксидную смолу, отвердитель, минеральный наполнитель (нитрид бора) и полидиенуретановый каучук при следующем соотношении компонентов, вес.ч

Эпоксидная смола - 100 - 110

Отвердитель - 30 -40

Минеральный наполнитель (нитрид бора) - 75 - 125

Полидиенуретановый каучук - 50 - 200

Недостатком материала-прототипа является весьма трудоемкая операция получения гомогенной смеси из вязкой эпоксидной смолы и полидиенуретанового каучука.

Кроме того, уровень подавления ложных сигналов данного композитного материала в интервале рабочих температур является не достаточно высоким.

Для устранения указанного недостатка в композиционном материале, содержащем эпоксидную смолу, отвердитель, минеральный наполнитель, в качестве эпоксидной смолы используется низкомолекулярная диановая смола с молекулярной массой не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярные алифатические полиамиды (полигексаметиленсебацинамид, полидодеканамид и др.), в качестве наполнителя - пылевидная двуокись кремния (SiO2), причем максимум гранулометрического распределения зерен SiO2 по размерам лежит между композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/4 и композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503/2, где композитный материал акустического демпфера, патент № 2159503 - длина поверхностной акустической волны (ПАВ). Заявляемый композитный материал имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.:

Эпоксидная низкомолекулярная диановая смола - 1,8-2,2

Низкомолекулярный линейный алифатический полиамид - 6,5 - 7,5

Двуокись кремния (SiO2) - 1 - 1,5

Принятые меры позволяют упростить процесс приготовления композитного материала, а также повысить уровень подавления ложных сигналов.

Предлагаемый композитный материал акустического демпфера получают путем механического смешения компонентов. Двуокись кремния получают путем помола в шаровой мельнице с последующим просеиванием через соответствующий набор сит.

Сравнение акустопоглощающих свойств материалов (прототипа и предлагаемого) проводилось на пьезоэлектрическом звукопроводе (см. чертеж), между встречно-штыревыми преобразователями 1 (ВШП) которого наносился акустопоглощающий материал 2.

Сигнал подавался на один ВШП и снимался с другого и измерялся уровень подавления прошедшего сигнала. Результаты измерений приведены в таблице.

Из приведенных данных видно, что предлагаемый композитный материал наряду с более простой технологией приготовления обладает и лучшими акустопоглощающими свойствами.

Класс H03H9/12 для схем с взаимодействием оптических и акустических волн 

Класс H03H9/30 схемы задержки 

Класс H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн

термостабильный узкополосный фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2523958 (27.07.2014)
полосовой режекторный фильтр, телекоммуникационная базовая станция и терминал, дуплексер и способ согласования импедансов -  патент 2497272 (27.10.2013)
термостабильный узкополосный фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2464701 (20.10.2012)
лестничный фильтр на поверхностных акустических волнах с повышенной избирательностью -  патент 2457614 (27.07.2012)
резонатор магнитоэлектрический -  патент 2450427 (10.05.2012)
фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2427072 (20.08.2011)
фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2351063 (27.03.2009)
фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2340080 (27.11.2008)
многоканальный фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2333596 (10.09.2008)
фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2308799 (20.10.2007)
Наверх