полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура с высоким временем жизни
Классы МПК: | H01L21/20 нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание |
Автор(ы): | Величко Александр Андреевич, Илюшин Владимир Александрович |
Патентообладатель(и): | Величко Александр Андреевич, Илюшин Владимир Александрович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-03-10 публикация патента:
27.09.1995 |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксильная структура расположена на полупроводниковой монокристаллической подложке с гетероэпитаксиальным слоем n-типа и нарушенным слоем на границе раздела. Гетероэпитаксиальный слой содержит n+ -слоя, причем первый с толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, а второй выполнен туннельно-непрозрачным для неосновных носителей и размещен на расстоянии, большем удвоенной длины экранирования Дебая от первого. Гетероэпитаксиальный слой дополнительно содержит сильно легированный p+ -слой толщиной, большей удвоенной длины экранирования Дебая, расположенный между первым и вторым сильно легированными слоями. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2
Формула изобретения
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА С ВЫСОКИМ ВРЕМЕНЕМ ЖИЗНИ, включающая монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой и полупроводникового материала n-типа с нарушенным слоем на границе раздела с подложкой, отличающаяся тем, что гетероэпитаксиальный слой дополнительно содержит два сильно легированных n+-слоя, первый толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, второй выполнен туннельно-непрозрачным для неосновных носителей дырок и размещен на расстоянии от первого, большем удвоенной длины экранирования Дебая, а в промежутке между первым и вторым n+-слоями расположен p+-слой.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры. Известны полупроводниковые гетероэпитаксиальные структуры (ПГС), например Si (сапфир, Si/CaР2/Si, InAs/GaAs, InSb/GaAs, GaAs/Si, которые используются для создания ИС. Недостатком известных структур является малое время жизни неосновных носителей PN, которое определяется высокой плотностью дислокаций несоответствия (ДН) и других структурных дефектовPN= ND-1 [c] (1) где ND плотность дислокаций несоответствия в [см-2] Плотность NDдостигает на границе раздела (ГР) значений 1012 см-2, соответственно PN 10-12c С удалением от границы раздела ND уменьшается по гипеpболическому закону. Малое время жизни PN делает невозможным создание биполярных и других приборов, работающих на неосновных носителях в гетероэпитаксиальных структурах. В монокристаллических полупроводниках при отсутствии высокой плотности структурных дефектов обратный ток p=n-перехода определяется выражением S W + V, (2) где V=eni2Lp/NDp (3) величина диффузионного тока, определяемая концентрацией и временем жизни p неосновных носителей в электронейтральной области n/n, а
W= eniW/g (4) генерационный ток дырок в области пространственного заряда (ОПЗ);
g и p генерационное и время жизни соответственно. В модели Шокли-Рида g p [1] Для большинства монокристаллических полупроводников p 10-6c. В гетероэпитаксиальной пленке полупроводника на границе раздела с подложкой идет мощная генерация неосновных носителей на дефектах (генерационных уровнях, создаваемых этими дефектами), откуда они диффундируют к поверхности пленки, где формируется прибор. Приповерхностную область с относительно низкой плотностью дефектов будем называть активной областью. Таким образом, для учета составляющей генерационного тока, возникающей за счет диффузии дырок от границы раздела, необходимо в выражение (2) добавить член
VW=(eni2Lp/Nd PN)exp(-d/Lp), (5) учитывающий образование дырок у ГР с временем жизни PN и их диффузию к активной области, где Lp диффузионная длина (обычно Lp=10-20 мкм); d толщина эпитаксиальной пленки за вычетом толщины активного слоя. Таким образом, ток через p-n-переход в гетероструктуре можно записать в виде
S= W+ V+ VW. (6)
Видно, что при p >> pN величина обратного тока S за счет последнего члена возрастает примерно в 106 раз. Из формулы (6) следует, что величина обратного тока фактически определяется временем жизни дефектной области у ГР. Таким образом, время жизни в активной области гетероструктуры будет в 106 раз ниже по сравнению с бездислокационным материалом, соответственно в 106 раз возрастает обратный ток через p-n-переход, на несколько порядков снижаются характеристики всех видов приборов, работающих на неосновных носителях. Наиболее близкой к предлагаемой является полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура, включающая подложку из арсенида галлия n-типа и размещенный на ней слой арсенида индия n-типа [2]
Недостатком известной полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры является интенсивная генерация неосновных носителей в нарушенном слое на границе раздела с подложкой, следствием чего является низкое значение времени жизни в активном слое. Технический результат изобретения достижение высоких значений времени жизни в активной области полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры при высоких рабочих температурах. Этот результат достигается тем, что полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура, включающая подложку из арсенида галлия n-типа и размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой арсенида индия n-типа, содержит дополнительно два сильно легированных n+-слоя: первый с толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, второй выполнен туннельно непрозрачным для неосновных носителей дырок и размещен на расстоянии, большем удвоенной длины экранирования Дебая от первого, в промежутке между первым и вторым n+-слоями сформирован p+-слой. Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что гетероэпитаксиальная структура с высоким временем жизни содержит дополнительно три сильно легированных слоя n+-p+-n+. Таким образом, предлагаемая структура соответствует критерию "новизна". На фиг.1 и 2 представлены поперечное сечение гетероэпитаксиальной структуры и ее зонная диаграмма соответственно. На монокристаллической подложке 1 последовательно расположены n+-слой 2 толщиной d1, слой p+-полупроводника 3 толщиной d2, второй n+-слой 4 толщиной d3 и активный слой 5. На фиг. 2 изображена зонная диаграмма гетероэпитаксиальной стpуктуры с сильно легированными слоями и показаны Ес, Еv, Ef, Eg дно зоны проводимости, потолок валентной зоны, уровень Ферми и ширина запрещенной зоны соответственно, а также - величина потенциального барьера для дырок. Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура работает следующим образом. Дырки, возникающие вблизи границы раздела пленка-подложка и диффундирующие к активной области гетероэпитаксиального слоя, будут интенсивно рекомбинировать за счет высокой концентрации электронов в первом n+-слое, толщина которого выбирается равной толщине нарушенного слоя, которая является областью с высокой плотностью дислокаций несоответствия ND. Плотность ND на границе раздела достигает значений ND=1012 см-2 для гетеросистемы InAs/GaAs, быстро уменьшается с ростом толщины до ND=108 см-2, а затем плавно уменьшается с толщиной по гиперболическому закону. При достаточном (3-5 мкм) удавлении от границы раздела ND уменьшается настолько, что PN=ND-1 становится равным времени жизни слиточного бездислокационного материала. Это происходит при толщинах 3-5 мкм. Область Р+ служит для стока генерированных в дефектном слое дырок. Собственная концентрация дырок в этой области определяется степенью легирования и составляет обычно примерно 1018 см-3, что существенно превышает концентрацию дырок, попадающих из дефектной области за счет генерации. Поэтому концентрация дырок во втором n+-слое 5 будет определяться величиной потенциального барьера Еg+ гдe величина барьера, определяемая сдвигом Мосс-Бурштейна. Для InAs при Т=300 К Eg 0,4 эВ 0,1 эВ, соответственно 0,5 эВ и концентрация дырок в области 4 равна
P(4)=P+exp(-/kT) 109 см-3 (7)
Это меньше, чем собственная концентрация неосновных носителей в InAs при Т=300 К. Толщина p+-слоя и второго n+-слоя выбирается одинаковой и равной удвоенной длине дебаевского экранирования. При меньших толщинах глубина потенциальной ямы p+-области и потенциального барьера второй n+-области уменьшаются за счет экранирования свободными носителями. Большие толщины неэффективны из соображений экономичности. Предлагаемая конструкция обладает следующими преимуществами по сравнению с прототипом. За счет наличия потенциальных барьеров, образованных сильно легированными слоями n+-p+-n+ в активном слое, где могут быть сформированы любые приборы, работающие на неосновных носителях заряда, их время жизни не ниже, чем в слиточном материале. Поскольку собственная концентрация дырок в активной области растет как pi e с ростом температуры, а заброс дырок из области 3 в область 4 определяется выражением (7): P(4) то очевидно, что концентрация неосновных носителей в активном слое будет определяться в первую очередь собственной концентрацией Рi. Наличие первого n+-слоя приводит к снижению контактного сопротивления и снижает поглощение излучения (при формировании ФПУ с засветкой через подложку). Наличие второго n+-слоя в совокупности с Р+-областью приводит к низкому значению сопротивления тройного n+-p+-n+- слоя за счет образования резких туннельных переходов n+-p+ и p+-n+, включенных последовательно навстречу друг другу. Поскольку уравнения, описывающие генерационно-рекомбинационные процессы и диффузионные процессы, одинаковы для всех типов полупроводников, а дислокации несоответствия возникают во всех без исключения гетероэпитаксиальных пленках, у которых имеется рассогласование постоянных решеток пленки и подложки, то указанная конструкция обеспечивает увеличение времени жизни в активном слое во всех полупроводниковых пленках на любых подложках. В качестве примера использования различных гетероэпитаксиальных пленок типа Si/CaF2/Si, InAs/GaAs, InSb/GaAs, GaAs/Si можно рассмотреть первый случай: Si/CaF2/Si. Расчеты по формуле (7) показывают высокую эффективность использования слоев n+-p+-n+ для увеличения времени жизни в активном слое эпитаксиальной пленки Si на буферном слое CaF2. Действительно, как и в других гетероэпитаксиальных пленках, в слоях Si, выращенных на диэлектрическом буферном слое CaF2, плотность дислокаций соответствия и других структурных дефектов быстро снижается с ростом толщины пленки Si. Создавая понтенциальный барьер для неосновных носителей на расстоянии, от границы раздела, равном толщине дефектного слоя, получим в активном слое кремния концентрацию неосновных носителей, равную
Pn P+exp(- /kT), Eg+
В то же время концентрация неосновных носителей, обусловленная тепловой генерацией в самом активном слое Si, будет существенно выше и будет более быстро расти с температурой
Pi NcNv.exp(-Eg/2kT). Таким образом, предлагаемая конструкция гетероэпитаксиальной структуры позволяет достигнуть времени жизни в активном слое, равного времени жизни в бездефектном (слиточном) материале. Это утверждение справедливо не только для арсенида индия, кремния или арседина галлия но и для любого другого полупроводникового материала (слоя), осажденного на любую монокристаллическую подложку из полупроводника (Si, GaAs, CdTe) или диэлектрика (CaF2, BaF2, SrF2, сапфир) или на любую другую гетероэпитаксиальную структуру типа СаF2/Si, BaF2/CaF2/Si или другие. Поэтому формуле изобретения в качестве подложки указан монокристаллический материал, на котором возможна гетероэпитаксия, а в качестве пленки полупроводниковая пленка.
Класс H01L21/20 нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание