компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Классы МПК:H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Царева Людмила Георгиевна
Приоритеты:
подача заявки:
1991-07-15
публикация патента:

Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий роливсан МВ-1 и толуол, отличающийся тем, что в его состав введен вюрцитный нитрид бора при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Роливсан МВ-1 70

Толуол 5

Вюрцитный нитрид бора 25

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла.

Известны электроизоляционные кремнийорганические лаки типа КО-916, КО-916А, КО-918, КО-921, КО-922, КО-926, КО-928, КО-945, которые представляют собой растворы кремнийорганических полимеров, модифицированных или немодифицированных органическими соединениями в органических растворителях. Лаки не имеют механических включений, массовая доля нелетучих веществ колеблется от 45компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223962% для одних лаков до 70компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223962% для других. Продолжительность желатинизации, например, для лака КО-926 - 5-20 мин, для КО-928 - 1-10 мин, удельное объемное эл. сопротивление пленки лака не менее 1012 Омкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 м; эл. прочность пленки лака не менее 60-70 МВ/м (см. ГОСТ 16508-70, лаки кремнийорганические электроизоляционные).

Недостаток лаков - низкий коэффициент теплопроводности.

Широко распространена эмаль ЭП-91, представляющая собой суспензию пигментов в эпоксидном лаке с добавлением карбомидоформальдегидной смолы (см. эмаль электроизоляционная ЭП-91 ГОСТ 15943-80) где массовая доля летучих веществ 36-40%; удельное объемное сопротивление 1015 Ом компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396см при f = 106 Гц; при Т = (20компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223962)оС tg компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 0,045; после действия относительной влажности (98компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223962)оС при Т = (40компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223962)оС в течение 48 ч tg (компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 0,055.

Недостатком лака является низкая теплопроводность.

Известен лак ПАИ-М (см. ШКФЛО 020.010 ТУ), который представляет собой однокомпонентную систему с содержанием нелетучих компонентов от 20 до 30% с концентрацией следующих ионных примесей,%: Na+ 2 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 10-4 K+ 2 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 10-4 Cl 5 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396 10-4

Для получения требуемой вязкости лак ПАИ-М разбавляется диметилацетомидом, диметилформамидом. Недостатками лака ПАИ-М являются необходимость использования осушенных либо с минимальным содержанием влаги растворителей; хрупкость при таблетировании; низкая теплопроводимость; большое количество летучих компонентов (70-80%).

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к заявляемому изобретению является теплостойкий компаунд роливсан МВ-1 [1] , который представляет собой глицериноподобную мономерно-олигомерную композицию в исходном состоянии, состоящую из ненасыщенных эфиров и олигоэфиров: бис (4-винилфениловый) эфир, метакриловый эфир - 4-винил-4- - (1-оксиэтил) дифенилоксида, диметакриловый эфир бис 4 - (1-оксиэтил) фенилового эфира, олигоэфиры общей формулы:

компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396xAкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396CH=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396CHArCH=CH)компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396Ar, где X = - CH = CH2 или

CH2=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396OOкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396

Ar = - n - Ph OPh; n = 0 - 3; толуол

Компаунд отверждается с помощью полимеризационно-полициклоконденсаци- онного метода, когда имеет место трехмерная совместная полимеризация ненасыщенных компонентов системы. В процессе отверждения при Т = 120-250оС выделяется лишь 4-6% летучих продуктов (в основном воды и метакриловой кислоты). Недостатком компаунда является невысокая теплопроводность.

Целью изобретения является повышение удельной теплопроводности компаунда.

Цель достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен вюрцитный нитрид бора, мас.%: Роливсан МВ-1 70 Толуол 5 Вюрцитный нитрид бора 25 (BNВ) Тетраэдрическая структура BNВ построена по принципу плотнейших шаровых упаковок. Базис решетки BNВ содержит четыре атома с координатами: B - 0,0,0; 1/3, 2/3, 1/2; N - 0,0 3/8; 1/3, 2/3, 7/8 (см. фиг. 1)

Межслоевое расстояние в структуре - 0,2115 нм при равенстве межатомных расстояний в слое. BNВ высокоустойчив при действии HCl, H2SO4, HNO3, HF, H3PO4, смеси H2SO4 + K2SO4, обладает высоким электросопротивлением и теплопроводностью, приближающейся теоретически к 1300 Вт/м. К (см. Boron Nitride. Catalog H 8745 Union Carbige Corp., 1966, р. 8). Из всех модификаций нитрида бора BNВ проявляет наименьшую стойкость против окисления, что обусловлено его высокой дисперсностью (фиг. 2), где приведена кривая окисления BNB с ростом температуры.

Изготовление компаунда продемонстрировано на следующем примере.

Компаунд составляет из следующих компонентов.%: Роливсан МВ-1 70 Толуол 5 Вюрцитный нитрид бора 25

Роливсан МВ-1 помещается в емкость, которая нагревается в воздушном термостате (ТУ 16531 40972) или в жидком ультратермостате УТ-15 (ТУ 64-1-26-22-75) при Т = 60-70оС до получения гомогенной массы при периодическом взбалтывании.

Производится отбор необходимого количества роливсана в стеклянную, фарфоровую или из нержавеющей стали емкость и взвешивание на лабораторных равноплечных весах 3-го класса ВЛР-1 кг.

При тщательном перемешивании соединяются расчетные количества толуола и вюрцитного нитрида бора, а затем - с подогретым роливсаном. Жизнеспособность подготовленного компаунда составляет 24 ч.

Для проведения испытаний подготовлены макетные образцы в виде таблетки диаметром 14компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223961 мм и высотой h = 4компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223961 мм с различным содержанием (%) BNB в композиции. В качестве материала формы использовалось кварцевое стекло. Отверждение компаунда производилось в термостате при Т=+200оС в течение 2 ч.

Измерение коэффициента теплопроводности производилось на измерителе теплопроводимости экспресс-методом ИТЭМ-1М.

Результаты измерений коэффициента теплопроводности, состав компаунда, габариты отвержденной таблетки, режим отверждения компаунда сведены в таблицу.

Дальнейшее увеличение дозы вюрцитного нитрида бора приводит к увеличению вязкости, препятствующей растеканию нанесенного компаунда по поверхности.

Использование компаунда существенно повышает способность передачи тепла от разогретого объема в окружающее пространство, обеспечивает значение интенсивности отказов в течение минимальной наработки полупроводниковых приборов компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022396э = 3 х 10-7 1/ч.

Класс H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

способ изготовления микроэлектромеханических структур и устройство для его осуществления -  патент 2511282 (10.04.2014)
способ сборки трехмерного электронного модуля -  патент 2492549 (10.09.2013)
изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером -  патент 2472247 (10.01.2013)
невоспламеняющиеся композиции, содержащие фторированные соединения, и применение этих композиций -  патент 2469016 (10.12.2012)
способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария -  патент 2459012 (20.08.2012)
повышение разборчивости речи с использованием нескольких микрофонов на нескольких устройствах -  патент 2456701 (20.07.2012)
ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура -  патент 2425184 (27.07.2011)
способ пассивации и защиты граней резонатора полупроводниковых лазеров -  патент 2421856 (20.06.2011)
способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии -  патент 2407101 (20.12.2010)
способ изготовления детектора короткопробежных частиц -  патент 2378738 (10.01.2010)