способ контроля процесса термообработки фоторезиста
Классы МПК: | H01L21/66 испытания или измерения в процессе изготовления или обработки |
Автор(ы): | Шворобей Ю.Л., Абдусаламов В.М., Шворобей В.Ю., Буланов И.М. |
Патентообладатель(и): | Государственное научно-производственное предприятие "Импульс" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1990-10-15 публикация патента:
15.03.1994 |
Назначение: изобретение относится к электронной технике, в частности к способам контроля технологических процессов в производстве гибридных интегральных схем и печатных плат, и может быть использовано на операциях контроля отверждения. Сущность изобретения: регистрируют зависимость изменения диэлектрической постоянной от времени термообработки. Об окончании процесса судят по достижении диэлектрической проницаемости постоянного значения. 1 ил, 2 таб.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Формула изобретения
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ТЕРМООБРАБОТКИ ФОТОРЕЗИСТА на основе поливинилацетатной эмульсии и поливинилового спирта, включающий регистрацию зависимости изменения электрофизиологического параметра фоторезиста от времени термообработки, по которой судят об окончании процесса, отличающийся тем, что, с целью упрощения контроля, в качестве контролируемого параметра используют диэлектрическую проницаемость, а об окончании процесса судят по достижении диэлектрической проницаемостью постоянного значения.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам контроля технологических процессов в производстве гибридных интегральных схем (ГИС) и печатных плат (ПП), и может быть использовано на операции контроля отверждения (полимеризации) пленок фоторезиста, полимерных паст и других полимерных материалов, наносимых на металлические и диэлектрические подложки. Известен способ контроля качества термообработки пленок фоторезиста, включающий регистрацию и анализ спектра пропускания пленкой электромагнитного излучения, преимущественно, инфракрасного. В нем регистрируют интерференционную картину в спектре пропускания пленки фоторезиста, сравнивают ее с интерференционной картиной в спектре пропускания эталонного образца и по фазовому сдвигу и изменению интенсивности в интерференционных максимумах и минимумах определяют качество термообработки пленки фоторезиста [1] . Известный способ контроля обладает высокой точностью, однако он неприменим при нанесении фоторезиста на диэлектрическую подложку в связи с нестабильностью ее свойств как до, так и после тепловой обработки, что, практически, исключает возможность выделения спектра пропускания пленки фоторезиста из спектра пропускания металлической или диэлектрической подложки с нанесенной на нее пленкой фоторезиста с приемлемой достоверностью регистрации данного параметра. Известен способ контроля глубины прохождения реакции отверждения полимеров, основанный на регистрации и анализе изменения при термообработке одного или нескольких свойств, чувствительных к изменению частоты химических узлов полимерной сетки. При этом кинетика изменения этих свойств принимается за кинетику отверждения, а достижение оптимальных показателей данного свойства указывает на окончание процесса отверждения в выбранных условиях [2] . Для реализации известных способов требуется наличие специальной измерительной аппаратуры и вспомогательного оборудования. Таким образом, целью предложения является упрощение контроля степени полимеризации фоторезиста. Цель достигается тем, что в способе контроля термообработки на основе поливинилацетатной эмульсии и поливинилового спирта, включающем регистрацию зависимости изменения электрофизического параметра фоторезиста от времени термообработки, по которой судят об окончании процесса, в качестве контролируемого параметра используют диэлектрическую проницаемость, а об окончании процесса судят по достижении диэлектрической проницаемостью постоянного значения. На чертеже показана зависимость


Класс H01L21/66 испытания или измерения в процессе изготовления или обработки