Способы и устройства для изготовления печатных схем: ..очистка и(или) полировка токопроводящей схемы – H05K 3/26

Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению фотошаблонных заготовок, предназначенных для формирования интегральных схем. Техническим результатом изобретения является улучшение качества поверхности заготовок при интенсификацияи процесса очистки поверхности стеклянных и маскированных пластин. Способ получения фотошаблонных заготовок содержит операции предварительной и финишной обработки пластин, а также операцию обработки маскированных пластин в нейтральной водной среде, которые осуществляются при ламинарном потоке деионизированной воды с числом Рейнольдса 500-1100, при температуре 15-25°С, в течение 4-6 минут, при воздейстии ультразвука в частотном диапазоне 20-50 кГц. Расход потока воды при проведении очистки стеклянных и маскированных пластин сокращается в 2,5-3 раза. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, где требуется вскрытие контактных площадок для соединения проводящих слоев разных уровней печатных плат. Техническим результатом изобретения является разработка условий травления полностью полимеризованного полиимида, обеспечивающих точность формы и размеров вытравленных участков при более технологичных условиях. В изобретенном способе в качестве раствора травления используют раствор, содержащий в мас.%: моноэтаноламин - 20,4-71,26, щелочь - 30-50, тетраметиламмоний гидрат или тетрабутиламмоний гидрат - 10-14, воду - остальное, а травление незащищенных участков пленки осуществляют при температуре 100±5°С. 1 табл.

Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой. В предложенном способе образец фольгированного полиимида с адгезивным слоем из эпоксидной смолы с нанесенной фоторезистивной маской обрабатывают в растворе моноэтаноламина при температуре около 100°С. для удаления полиимидного слоя, после чего осуществляют удаление адгезивного слоя из эпоксидной смолы в две стадии, при этом на первой стадии образец обрабатывают раствором диметилформамида со спиртом или диметилформамида с этиленгликолем для набухания, а на второй - раствором неорганической кислоты, при этом обе стадии осуществляют при температуре 20-50°С. Техническим результатом изобретения является возможность удаления адгезива при низких температурах, не изменяя размер и форму контактных площадок, вытравленных в слое полиимида, т.к. растворы, используемые для удаления эпоксидной смолы, не взаимодействуют с полиимидным слоем.

Изобретения относится к микроэлектронике, в частности к способу получения фотошаблонных заготовок. Способ включает подготовку поверхности маскирующего слоя окиси железа в щелочном окислительном составе, содержащем гипохлориты, при поддержании их постоянной концентрации, что позволяет проводить процесс подготовки поверхности с подтравливанием приповерхностного слоя за счет образования атомарного кислорода в процессе разложения гипохлоритов к последующей операции нанесения резиста. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности отмывки маскирующих слоев на основе окиси железа. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к электронной промышленности. Предлагается способ получения фотошаблонных заготовок, связанный со значительной экономией изопропилового спирта (ИПС), применяемого в качестве осушителя, путем введения в осушаемую смесь метилэтилкетона (МЭК). Технический результат - уменьшение расходов ИПС и трудоемкости процесса. Эффект достигается за счет образования тройной постояннокипящей (азеотропной) смеси ИПС-вода-МЭК, что позволяет удалять из рабочей зоны постоянно вносимые примеси воды, «отравляющие» осушитель. 1 табл.

Изобретение относится к способам очистки керамических изделий от примесей, в частности к способу очистки поверхности и объема изделий из керамики ВеО от примеси углерода, в том числе подложек для микросхем и мощных резисторов, транзисторов, окон для СВЧ-радаров, каналов газоразрядных лазеров, поверхности и объема вакуумно-плотных изоляторов, применяемых в камерах с магнитным обжатием-МАГО, для получения высокотемпературной замагниченной водородной плазмы. Способ очистки изделий из керамики ВеО от примеси углерода заключается в бомбардировке поверхности положительно заряженными ионами инертного газа, отличающийся тем, что облучение ионами проводят при щадящих режимах: U=0,5÷2,0 кВ, I=5,0÷40,0 мкА, =10÷20 мин. После этой обработки изделие нагревают в вакууме 10 ^-7-10^-9 Па до температуры 450÷500°С, выдерживают в течение 15÷20 мин и затем обрабатывают поверхность высокочастотной водородной плазмой при следующих режимах: давление плазмы не более 10^-5 Па, ток разряда не более I=10,0 мкА, энергия атомов водорода 5,0÷10,0 эВ. Техническим результатом является создание надежной технологии очистки поверхности и объема изделий от углерода без значительного разрушения структуры их поверхности; сокращение времени очистки объема изделий от примеси углерода, а также уменьшение время облучения ионами, а следовательно, и загрязнение, разрушение и распыление материала керамики ВеО, сохранение механической прочности электросопротивления и вакуумной плотности керамических изделий. 1 ил.