Логические схемы, т.е. устройства, имеющие не менее двух входов, работающих на один выход: ...расположенных в матричной форме – H03K 19/177

Изобретение относится к схемам матриц ячеек памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory) с передачей спинового значения. Технический результат заключается в увеличении плотности размещения отдельных транзисторных структур технологии МОП и запоминающих ячеек матрицы, а также повышении стойкости к нестационарным переходным процессам от воздействия ионизирующих излучений. Устройство матричного типа содержит множество устройств на магнитных туннельных переходах («MTJ») с передачей спинового вращения, организованных в матрицу запоминающих ячеек; устройство организации записи/чтения информации для конкретного устройства «MTJ», соединенное с соответствующими устройствами «MTJ» для изменения полярности намагниченности свободного слоя каждого устройства «MTJ», блок усилителя чтения данных на выходе матрицы запоминающих ячеек, выполненный с возможностью обнаруживать уровень сигнала и формировать двоичный выходной сигнал на основе сравнения уровня сигнала в разряде матрицы запоминающих ячеек в компараторе. При формировании топологии устройство «MTJ» выполнено в виде эллипса с осью легкого намагничивания, направленной по его большой оси. 11 з.п. ф-лы, 37 ил., 11 табл.

Раскрыты системы, схемы и способы для программно-управляемой логической схемы, использующей технологию магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращения (STT-MRAM). Запоминающие элементы на магнитном туннельном переходе могут быть сформированы в матрицы ввода и матрицы вывода. Матрицы ввода и матрицы вывода могут быть соединены вместе для формирования сложных матриц, которые обеспечивают возможность реализации логических функций. Технический результат - расширение функциональных возможностей. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 табл.