Схемы с электромеханическими или электроакустическими элементами, электромеханические резонаторы: .конструктивные элементы – H03H 9/02
Патенты в данной категории
| УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может использоваться в акустоэлектронных устройствах для обработки сигналов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Достигаемый технический результат заключается в обеспечении уменьшения апертуры устройства в 2-3 раза и соответственно во столько же раз обеспечивается уменьшение размеров пьезоэлектрического звукопровода. Устройство содержит пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи. Устройство содержит дополнительные элементы, такие как отражатели с короткозамкнутыми электродами и/или экранирующие структуры. Внутренняя область шины, примыкающая к активной области, имеет сплошную металлизацию. Средняя область шины выполнена в виде периодически расположенных окон, свободных от металлизации. Внешняя область шины имеет сплошную металлизацию, при этом ее ширина выбирается исходя из условия минимизации омического сопротивления всей шины в целом. 4 ил. |
2295193 патент выдан: опубликован: 10.03.2007 |
|
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, касается пьезоэлектронной промышленности, выпускающей резонаторы, генераторы, фильтры и другие приборы, работающие на объемных акустических волнах в диапазоне частот от 50 до 1000 МГц. Техническим результатом является улучшение электрофизических параметров устройств, работающих на объемных акустических волнах, а также обеспечивание их миниатюризации. Сущность изобретения состоит в выполнении высокочастотного пьезоэлемента, имеющего топологию инвертированной мезаструктуры "открытого" типа. Пьезоэлемент выполнен в форме профилированной монолитной пьезоэлектрической пластины с утонченной вибрирующей областью. Пластина имеет форму многогранника с вертикальным сечением Т- или Г-образной формы, при этом активная область ограничена кристаллографическими плоскостями (XZ). 1 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2234186 патент выдан: опубликован: 10.08.2004 |
|
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области пьезоэлектроники и может быть использовано при производстве пьезоэлементов для высокочастотных пьезорезонаторов и монолитных фильтров. Высокочастотный пьезоэлемент типа обратной мезаструктуры изготовлен из монокристаллической пластины в виде утонченной центральной части с более толстым окружающим ее буртиком, при этом буртик выполнен с разрывом, ширина которого составляет от 20 до 400 толщин утонченной части пьезоэлемента. 4 ил. | 2099858 патент выдан: опубликован: 20.12.1997 |
|
КРИСТАЛЛ ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ РАСПРОСТРАНЕНИЯ АКУСТИЧЕСКОЙ ВОЛНЫ, УСТРОЙСТВО, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЕ ЕГО, И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Кристалл танталата лития, определяемый углами Эйлера -  равным примерно 0o, и m равным примерно 90o, и углом q направления распространения колебания в диапазоне от +130o до +150o и предпочтительно равным 141,25o, за счет чего получаются уникальные устройства поверхностной акустической волны. 6 с. и 6 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
2060581 патент выдан: опубликован: 20.05.1996 |
|