Способы и устройства для изготовления цепей с активными и реактивными сопротивлениями, резонансных контуров или резонаторов: ...с обеспечением требуемой частоты и(или) температурного коэффициента – H03H 3/04

Изобретение относится к области технологии изготовления пьезоэлектрических резонаторов и может быть использовано для изготовления кварцевых термочувствительных пьезоэлектрических датчиков-измерителей, применяемых в качестве прецизионных измерителей. Технический результат: повышение качества изготовления, упрощение и удешевление технологического процесса, повышение выхода годных, обеспечение идентичности и повторяемости температурно-частотной характеристики, обладающей высокой линейностью, при групповом изготовлении. Сущность: способ включает нанесение металлических электродов на поверхность пьезопластины АТ-среза, монтаж полученного пьезоэлемента на основание, настройку резонансной частоты пьезовибратора, после каждой операции термообработку в изопропиловом спирте при температуре жидкого азота. После охлаждения пьезовибратор нагревают в герметичной капсуле с подачей элегаза под давлением. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к пьезотехнике, и может быть использовано при изготовлении кварцевых резонаторов, кварцевых фильтров и кварцевых генераторов. Технический результат - увеличение долговременной стабильности частоты. Достигается тем, что способ изготовления пьезоэлектрического устройства включает изготовление пьезоблока со смонтированным в держателе пьезоэлементом с последующей тренировкой и герметизацией. Тренировка проводится циклами, в каждом цикле измеряют частоту пьезоблока, в нормальных условиях при фиксированной температуре, вакуумируют объем с помещенным в него пьезоблоком до давления порядка 1·10 ^-2...1·10^-3 мм рт.ст., нагревают вакуумированный объем до температуры 110±10°С, выдерживают при этой температуре 120 ч, затем понижают температуру и повышают давление вакуумированного объема, далее измеряют частоту пьезоэлектрического устройства и при той же фиксированной температуре нормальных условий определяют изменение частоты пьезоблока за цикл тренировки. Циклы тренировки повторяют до получения изменения частоты за последний цикл тренировки, равного заданной величине нестабильности частоты за срок эксплуатации. Время пребывания пьезоблока вне вакуумированного объема при измерениях частоты не должно превышать 6-8 ч. Изобретение более чем на порядок увеличит долговременную стабильность частоты пьезоэлектрического устройства.

Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат: улучшение монотонности ТЧХ кварцевых резонаторов в стеклянных корпусах с сохранением их основных параметров. Сущность: воздействуют на пьезоэлемент вне области размещения электродов сфокусированным импульсным излучением лазера с модуляцией добротности с плотностью энергии в перетяжке лазерного луча, превышающей порог лазерного разрушения кварцевого пьезоэлемента, для создания в нем микроразрушений размером 30...100 мкм. Точки воздействия выбирают на расстоянии L=(3t+0,5) мм от края электрода пьезоэлемента, где t - толщина пьезоэлемента в миллиметрах. Плотность энергии излучения лазера меньше порога лазерного разрушения стеклянного корпуса резонатора, находящегося вне области перетяжки лазерного луча. 1 ил.

Изобретение относится к электрорадиотехнике, в частности к технологии обработки кварцевых кристаллических элементов при изготовлении высокочастотных кварцевых резонаторов. Техническим результатом изобретения является получение кристаллических элементов с высоким качеством обработки поверхности, до 14 класса, со значительным сокращением при этом времени и трудоемкости их изготовления. Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов включает двухстороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением зерна абразива до М5, двустороннее полирование двуокисью церия на подложках из листовых полимеров, например, полиуретана, и проведение после шлифования перед полированием глубокое химическое травление кристаллических элементов в кислотном травящем растворе на основе плавиковой кислоты и бутанола на глубину, превышающую величину разрушенного при шлифовании слоя.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для изготовления изделий акустоэлектроники, высокочастотных кварцевых резонаторов и монолитных кварцевых фильтров. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности изготовления кварцевого кристаллического элемента с инвертированной мезаструктурой, уменьшение разброса по толщине в рабочей области. Способ включает операции механической обработки кварцевых пластин, нанесения защитного покрытия, глубокое химическое травление, при этом после механической обработки кварцевых пластин выполняют операции химической полировки в низкоскоростном травящем растворе на основе фтористороводородной кислоты и механической полировки, а после напыления защитного покрытия производится щелочное травление кварцевого кристаллического элемента в форме инвертированной мезаструктуры, затем повторяют операцию напыления защитного покрытия для защиты рабочей области инвертированной мезаструктуры от воздействия скоростного травящего раствора при делении заготовки на кристаллические элементы с инвертированной мезаструктурой, окончательную доводку по частоте кварцевых кристаллических элементов производят при помощи глубокого химического травления в плавиковой кислоте. 2 ил.

Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано для изготовления высокочастотных кварцевых резонаторов. Техническим результатом является увеличение точности изготовления пьезоэлемента кварцевого резонатора, уменьшение разброса по значению динамических параметров и улучшение спектральных характеристик кварцевых резонаторов. Способ изготовления высокочастотного фильтрового кварцевого резонатора включает операции нанесения на кристаллический элемент yx1/+35° (AT-) среза тонкопленочных электродов методом термовакуумного испарения серебра с подслоем нихрома, монтажа кристаллического элемента в кристаллодержатель, цикла термотренировки, подстройки частоты ионно-плазменным травлением электродов с контролем значения частоты и герметизацию в корпус. Тонкопленочные электроды в форме эллипса на обеих сторонах кристаллического элемента выполняются методом фотолитографии, при этом электроды ориентируются относительно кристаллографических осей при помощи фигур травления кварцевого кристаллического элемента в области инвертированной мезаструктуры, причем диаметры элемента ориентируются по кристаллографическим осям кристаллического элемента yx1/+35° (AT-) среза. Наибольший диаметр эллипса ориентируют параллельно фигуре травления, что соответствует его протяженности вдоль кристаллографической оси XX', а наименьший диаметр ориентируют перпендикулярно оси ZZ'. 3 ил.