Полупроводниковые лазеры: .размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах  ,5/02 – H01S 5/40

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ заключается в том, что на линейку лазерных диодов (1) с коллимирующей цилиндрической линзой (2) помещают резонансное решеточное волноводное зеркало (3) под углом к выходному торцу линейки лазерных диодов (1) с дифракционной решеткой на одной или нескольких поверхностях раздела сред резонансного решеточного волноводного зеркала (3), выполненной в виде гофра. При этом угол наклона, параметры резонансного решеточного волноводного зеркала (3) и дифракционной решетки подбирают таким образом, чтобы в резонансном решеточном волноводном зеркале (3) при падении на него +1 или -1 порядка дифракции излучения линейки лазерных диодов (1) возбуждались две моды, распространяющиеся в противоположных направлениях, при взаимодействии которых с дифракционной решеткой резонансного решеточного волноводного зеркала (3) они излучаются в прилегающие к упомянутому резонансному решеточному волноводному зеркалу (3) среды. Резонансное решеточное волноводное зеркало (3) обладает просветляющими свойствами, исключающими паразитную генерацию на френелевском отражении и обеспечивающую выход излучения в виде -1 или +1 порядка дифракции излучения линейки лазерных диодов (1). Технический результат заключается в обеспечении возможности формирования выходного излучения в виде одного +1 или -1 порядка дифракции от линейки лазерных диодов с расходимостью, определяемой ее полной апертурой. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Линейка лазерных диодов состоит из параллельно включенных лазерных диодов на основе полупроводниковых А₃В₅ лазерных гетероструктур, многослойных окислов и многослойной контактной металлизации на верхней и нижней плоскостях линейки, при этом внешние проводящие слои металлизации выполнены из германия. Технический результат заключается в обеспечении снижения механических напряжений, возникающих в линейке лазерных диодов в процессе ее изготовления. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для изготовления мощного, с равномерной диаграммой направленности излучения, излучателя лазерного полупроводникового инжекционного импульсного режима работы с нормированной силой излучения в телесном угле с расходимостями в двух взаимно перпендикулярных направления _у и _х, превышающими расходимость излучения используемых блоков лазерных диодов соответственно в плоскостях перпендикулярной и параллельной || плоскостям их р-n-переходов по уровню 0,5. Технический результат - увеличение расходимости излучения в вертикальной и горизонтальной плоскостях без дополнительных потерь оптической мощности. Предложен излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку одинаковых блоков лазерных диодов с излучающими зеркалами, установленных на корпусе, число блоков лазерных диодов n определено выражением n=n·n||, где n - число звеньев излучателя, n|| - число блоков лазерных диодов в каждом звене. При этом в вертикальной плоскости все n|| блоков лазерных диодов каждого звена n развернуты на один и тот же для данного звена угол. А в горизонтальной плоскости излучателя все n|| блоков лазерных диодов каждого звена развернуты на разные углы. Причем направления р-n-переходов на излучающих зеркалах всех блоков лазерных диодов ориентированы параллельно горизонтальной плоскости излучателя. При этом все блоки лазерных диодов расположены так, что координаты центра каждого блока лазерных диодов относительно оси излучателя в плоскости, перпендикулярной оси излучателя, последовательно увеличены с ростом угла разворота указанных симметричных рядов углов относительно оси излучателя, причем эти координаты выбраны минимальными. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Предлагаемое изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к оптическим лазерным источникам излучения. Технический результат - создание источника излучения, не содержащего дополнительных оптических элементов, суммирующих световой поток, и, как следствие, не требующего сложных юстировок и высокоточных операций по их установке, что обеспечит снижение его стоимости. Предложен источник излучения, содержащий основной полупроводниковый лазер и оптическую систему формирования требуемых оптических характеристик светового излучения, например, объектив. Введен дополнительный полупроводниковый лазер, идентичный по своим оптическим и механическим характеристикам основному полупроводниковому лазеру, установленному от последнего на расстоянии порядка размеров излучающей части лазера в пределах кружка рассеяния оптической системы симметрично относительно оптической оси источника излучения. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.