Полупроводниковые лазеры: ...в соединениях типа A_IIIB_V, например AlGaAs-лазер – H01S 5/323

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Линейка лазерных диодов состоит из параллельно включенных лазерных диодов на основе полупроводниковых А₃В₅ лазерных гетероструктур, многослойных окислов и многослойной контактной металлизации на верхней и нижней плоскостях линейки, при этом внешние проводящие слои металлизации выполнены из германия. Технический результат заключается в обеспечении снижения механических напряжений, возникающих в линейке лазерных диодов в процессе ее изготовления. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Сущность изобретения: туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура включает подложку (1) GaAs n-типа проводимости, на которую последовательно нанесены буферный слой (2) GaAs n-типа проводимости, по меньшей мере две лазерные диодные структуры (3), разделенные туннельным переходом (4), и контактный слой (5) GaAs p⁺-типа проводимости. Каждая лазерная диодная структура (3) содержит первый широкозонный эмиттерный слой (6) AlGaAs n-типа проводимости, широкий волновод (7) GaAs, в центре которого расположена узкозонная квантоворазмерная активная область (8) InGaAs и второй широкозонный эмиттерный слой (9) AlGaAs p-типа проводимости. Туннельный переход (4) содержит слой (10) GaAs p⁺-типа проводимости, нелегированный квантоворазмерный сплошной слой (11) GaAs толщиной 40-50 ангстрем и слой (12) GaAs n-типа проводимости. Использование гетероструктуры позволяет увеличить мощность изготовленного на ее основе прибора и срок его службы. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.