Полупроводниковые лазеры: .устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду – H01S 5/06

МПКРаздел HH01H01SH01S 5/00H01S 5/06
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01S Устройства со стимулированным излучением
H01S 5/00 Полупроводниковые лазеры
H01S 5/06 .устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду

Патенты в данной категории

ДРАЙВЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

Изобретение относится к области оптоэлектроники. Драйвер полупроводникового лазера 1 выполнен с возможностью подключения к его выходу оптического волокна 2, и содержит регулируемый источник 3 тока, блок 4 управления, датчик 5 тока и датчик 6 мощности излучения лазера 1. При этом выход датчика 6 мощности 1 подключен к первому входу блока 4 управления, к оптическому входу датчика 6 мощности 1 подключен первый оптический выход лазера 1, ко второму оптическому выходу лазера 1 подключено оптическое волокно 2, выход регулируемого источника 3 тока подключен к электрическому входу лазера 1 и ко входу датчика 5 тока, выход которого соединен со вторым входом блока 4 управления, выход которого соединен со входом регулируемого источника 3 тока. Дополнительно содержится инфракрасный фотодиод 7, спектр чувствительности которого не перекрывает длину волны излучения лазера 1, усилитель-преобразователь 8 тока инфракрасного фотодиода 7 и блок 9 обработки сигнала и передачи данных. При этом оптическое волокно 2 выполнено с ответвлением 10, выход которого подключен ко входу инфракрасного фотодиода 7, выход которого соединен со входом усилителя-преобразователя 8 тока инфракрасного фотодиода 7, выход которого соединен со входом блока 9 обработки сигнала и передачи данных и третьим входом блока 4 управления. Технический результат заключается в обеспечении возможности контроля и поддержания заданного уровня температуры торца рабочего оптического волокна. 1 ил.

2529053
патент выдан:
опубликован: 27.09.2014
СПОСОБ СИНХРОНИЗАЦИИ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ заключается в том, что на линейку лазерных диодов (1) с коллимирующей цилиндрической линзой (2) помещают резонансное решеточное волноводное зеркало (3) под углом к выходному торцу линейки лазерных диодов (1) с дифракционной решеткой на одной или нескольких поверхностях раздела сред резонансного решеточного волноводного зеркала (3), выполненной в виде гофра. При этом угол наклона, параметры резонансного решеточного волноводного зеркала (3) и дифракционной решетки подбирают таким образом, чтобы в резонансном решеточном волноводном зеркале (3) при падении на него +1 или -1 порядка дифракции излучения линейки лазерных диодов (1) возбуждались две моды, распространяющиеся в противоположных направлениях, при взаимодействии которых с дифракционной решеткой резонансного решеточного волноводного зеркала (3) они излучаются в прилегающие к упомянутому резонансному решеточному волноводному зеркалу (3) среды. Резонансное решеточное волноводное зеркало (3) обладает просветляющими свойствами, исключающими паразитную генерацию на френелевском отражении и обеспечивающую выход излучения в виде -1 или +1 порядка дифракции излучения линейки лазерных диодов (1). Технический результат заключается в обеспечении возможности формирования выходного излучения в виде одного +1 или -1 порядка дифракции от линейки лазерных диодов с расходимостью, определяемой ее полной апертурой. 4 ил.

2488929
патент выдан:
опубликован: 27.07.2013
СПОСОБ СИНХРОНИЗАЦИИ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ И ФАЗОВОЕ РЕШЕТЧАТОЕ ЗЕРКАЛО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Способ заключается в том, что перед линейкой лазерных диодов, имеющей глухое заднее зеркало и просветляющее покрытие на выходной апертуре, располагают коллимирующую линзу, Фурье-объектив и выходное зеркало. Фурье-объектив осуществляет прямое преобразование Фурье-апертуры линейки лазерных диодов. Выходное зеркало, размещенное в Фурье-плоскости упомянутого Фурье-объектива представляет собой фазовое решетчатое зеркало, содержащее прозрачную подложку с гофрированной поверхностью прямоугольного сечения и диэлектрическое зеркало. Период прямоугольного гофра , где D - расстояние между центрами соседних лазерных диодов линейки лазерных диодов, f2 - фокусное расстояние упомянутого Фурье-объектива. Глубина канавок упомянутой гофрированной поверхности, на которую нанесено диэлектрическое зеркало, равна четверти рабочей длины волны в вакууме. Технический результат заключается в уменьшении дополнительных потерь в резонаторе при обеспечении коллективной синфазной генерации всех лазерных диодов линейки. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

2433516
патент выдан:
опубликован: 10.11.2011
СПОСОБ СИНХРОНИЗАЦИИ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ И РЕЗОНАНСНОЕ РЕШЕТЧАТОЕ ВОЛНОВОДНОЕ ЗЕРКАЛО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Способ заключается в том, что непосредственно за коллимирующей цилиндрической линзой установленной перед просветленным выходным торцом линейки лазерных диодов помещают резонансное решетчатое зеркало в виде планарного волновода с дифракционной решеткой на его поверхности. Указанная решетка выполнена в виде гофра, причем параметры волновода и дифракционной решетки подбирают таким образом, чтобы в волноводе возбуждались две моды, распространяющиеся в противоположных направлениях. При этом при взаимодействии указанных мод с гофрированной поверхностью волновода они излучаются в прилегающие к упомянутому волноводу среды. Гофрированная поверхность волновода обладает просветляющими свойствами, исключающими паразитную генерацию на Френелевском отражении. Технический результат заключается в обеспечении пространственной когерентности излучения и в повышении компактности устройства. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

2429555
патент выдан:
опубликован: 20.09.2011
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ С ПОЛОСОЙ МОДУЛЯЦИИ В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ

Полупроводниковый лазерный излучатель включает в себя лазерный кристалл с положительным и отрицательными электрическими выводами и узел электрического ввода со сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Лазерный кристалл подсоединяется к заземляющим проводникам копланарной полосковой СВЧ-линии отрицательными выводами, а другим выводом - к сигнальному проводнику той же копланарной полосковой СВЧ-линии передач. В лазерном кристалле положительный и отрицательные выводы выполнены на одной стороне с расположением вывода одной полярности между выводами другой полярности, лазерный кристалл установлен методом «перевернутого монтажа» и при помощи пайки закреплен на конце сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Копланарная полосковая СВЧ-линия передачи расположена под лазерным кристаллом так, чтобы совместить соответствующие выводы лазерного кристалла и сигнальную и заземляющие полоски копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Технический результат заключается в расширении полосы модуляции. 7 ил.

2421857
патент выдан:
опубликован: 20.06.2011
МОЩНЫЙ РЕГУЛИРУЕМЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к лазерной технике и медицинской электронике, а именно к приборам на основе лазерных диодов. Мощный регулируемый лазерный прибор содержит группу лазерных диодов, встроенные фотоприемники контроля мощности диодов, блок питания диодов с модулями управления токов диодов, блок установки мощности излучения прибора. В состав прибора входят также двухвходовые компараторы, модуль управления током соответствующих лазерных диодов и управляемый электронный коммутатор с управляющей цепью. Технический результат изобретения состоит в повышении эффективности работы прибора во всем диапазоне значений мощности излучения, а также ресурса работы. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

2233519
патент выдан:
опубликован: 27.07.2004
ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР И ЛАЗЕРНАЯ ДИОДНАЯ ЛИНЕЙКА

Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам. Предложенный лазер включает гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по крайней мере часть мезаполоски и пассивные области с основаниями вблизи границы ограничительного слоя, ближайшей к активной области. При этом по крайней мере часть основания каждой пассивной области является рельефной структурой, примыкающей к мезаполоске, имеющей в направлении, перпендикулярном продольной оси резонатора, протяженность, превышающую расстояние, обеспечивающее рассеяние излучения, распространяющегося в упомянутом направлении, перпендикулярном продольной оси резонатора. Каждая рельефная структура имеет амплитуду не менее 0,1 мкм и отдалена от упомянутой границы ограничительного слоя на расстояние, не превышающее 0,5 мкм. Лазерная диодная линейка выполнена на основе лазерной гетероструктуры с волноводными слоями и включает чередующуюся последовательность, состоящую из активной секции и пассивной области, основания которых расположены в одном и том же ограничительном слое. В результате увеличивается выходная мощность излучения, сужается и улучшается пространственная диаграмма выходного излучения в плоскости р-n-перехода до одномодовой, улучшается спектр излучения до одночастотного. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 2 табл., 12 ил.

2230410
патент выдан:
опубликован: 10.06.2004
Наверх