Полупроводниковые лазеры: ..покрытия – H01S 5/028

При реализации способа лазерную гетероструктуру расщепляют на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере, обеспечивая сколотые грани резонатора. Затем линейку или кристалл лазерного диода помещают в вакуумную камеру с остаточным давлением по кислороду не более 10^-10 торр, где с целью удаления образовавшихся окислов грани резонатора обрабатывают ионами плазмы аргона при отрицательном потенциале на образцах (-5) - (-10) В. Создают пассивирующий нитридный поверхностный слой на гранях резонатора с использованием плазмы, содержащей азот, при отрицательном потенциале на образцах (-20) - (-30) В. Напыляют, по меньшей мере, один слой блокирующего кислород и взаимную диффузию покрытия Si₃N₄ толщиной 20-30 нм на каждую обрабатываемую грань резонатора при отрицательном потенциале на образцах (-10) - (-15) В. После обработки ионами плазмы азота проводят локальный прогрев обрабатываемых граней резонатора ускоренными электронами плазмы ионов аргона при положительном потенциале на образцах 20-30 В. Технический результат заключается в увеличении оптической прочности выходных зеркал и выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров, увеличении долговременной надежности полупроводниковых лазеров, в упрощении процесса изготовления надежных полупроводниковых лазеров. 1 ил.

Изобретение относится к способу получения поверхностей, лишенных загрязнений, из материалов, выбранных из группы, содержащей GaAs, GaAlAs, InGaAs, InGaAsP и InGaAs на зеркальных фасетках кристалла для резонаторов лазеров на основе GaAs. Технический результат изобретения: обеспечение способа пассивации фасетки, который отличается простотой, экономичностью и в то же время дает высокий выход за счет повышенной воспроизводимости, обеспечении такой подготовки фасетки, которая удовлетворяет требованиям минимизации поглощения света и поверхностной рекомбинации. Сущность: зеркальные фасетки лазера кристалла скалывают во внешней атмосфере, содержащей воздух, либо сухой воздух, либо сухие азотные среды. Оксиды и другие загрязнения, полученные в ходе воздействия внешней атмосферы на зеркальных фасетках, удаляют сухим травлением в вакууме. Затем на зеркальных фасетках в результате обработки азотом выращивают естественный нитридный слой. 4 н. и 33 з.п. ф-лы, 5 ил.