Мазеры, т.е. квантовые устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных колебаний с длиной волны, превышающей длину волны колебаний в инфракрасной области спектра: .содержащие твердое активное вещество – H01S 1/02

Изобретение относится к квантовой электронике. Активный материал для мазера с оптической накачкой содержит кристалл карбида кремния, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты. Мазер с оптической накачкой включает генератор (1) сверхвысокой частоты (СВЧ), циркулятор (2), магнит (3), между полюсами которого размещен резонатор (4) со светопрозрачным окном (5), активный материал (6) в виде кристалла карбида кремния, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты, помещенный внутри резонатора (4), и источник (7) импульсного или непрерывного света, оптически связанный через светопрозрачное окно (5) резонатора (4) с активным материалом (6). Технический результат заключается в обеспечении возможности работы мазера при комнатной температуре. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к квантовой радиофизике, более конкретно к твердотельным квантовым генераторам, генерирующим сигналы в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах (30 - 1500 ГГц) и может быть использовано в физике для радиоспектроскопии, для коммуникационных технологий, в радиоастрономии и локации, в биологии и химии. Мазер включает активный элемент и инжектор, прилегающие друг другу своими контактными поверхностями, имеющими степень шероховатости не более 1 мкм. На каждой из поверхностей, противоположной контактной, закреплен соответствующий токоподвод. Активный элемент выполнен в форме пластины из монокристалла антимонида индия, толщиной 0.5 - 1 мм, концентрация носителей в нем составляет 10¹⁴-10¹⁵ см ^-3. Инжектор выполнен в виде пластины из проводящего ферромагнитного материала с высокой степенью спиновой поляризации электронов проводимости, с удельным сопротивлением не более чем 10 ^-2 Ом·см, толщиной 0,5 мкм - 1 мм с температурой Кюри выше рабочей температуры. Технический результат: расширение диапазона излучения в сторону миллиметровых волн с сохранением возможности излучения в субмиллиметровом диапазоне за счет использования спиновых степеней свободы инжектируемых электронов при расширении диапазона рабочих температур в сторону более высоких температур. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.