Пьезоэлектрические приборы вообще, электрострикционные приборы вообще, магнитострикционные приборы вообще, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов и их частей, конструктивные элементы таких приборов: .выбор материалов – H01L 41/16
Патенты в данной категории
| МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОМПОНЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к материалам для изготовления компонентов радиоэлектронных приборов, таких как датчики магнитного поля, электрически перестраиваемые фильтры СВЧ, линии задержки СВЧ и др. Сущность: материал является двухфазной композицией магнитострикционного материала с градиентом намагниченности и сегнетоэлектрического материала с градиентом поляризации, скрепленных между собой. Технический результат: упрощение конструкции устройств на основе материала в связи с возможностью исключения элементов, создающих внешнее подмагничивающее поле, и упрощение технологического процесса получения материала в связи с возможностью исключения предварительной поляризации образца материала. 2 ил. |
2363074 патент выдан: опубликован: 27.07.2009 |
|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ СИЛЫ И ДВИЖЕНИЯ ПУТЕМ УПРАВЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИЕЙ ДВОЙНИКОВЫХ ЗОН МАТЕРИАЛА И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ Настоящее изобретение относится к способу изменения формы, осуществления движения и/или создания силы в материалах с двойниковой структурой. В соответствии с данным способом достаточно высокое внешнее магнитное поле, воздействующее на материал, переориентирует двойниковые зоны, тем самым производя движение или создавая силу. Выполнение полезной работы возможно в том случае, когда энергия магнитокристаллической анизотропии выше или сравнима с энергией переориентации двойниковых зон для получения определенной деформации. Устройства, основанные на данном способе, имеют более высокие характеристики, более надежны и менее дороги. 4 с. и 26 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2161853 патент выдан: опубликован: 10.01.2001 |
|
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
Для акустических систем поверхностных волн используют термокомпенсированные пьезоэлектрические кристаллические элементы с по меньшей мере одной плоской поверхностью. Элемент кристалла состоит из GaPO4 и его плоская поверхность определена углами Эйлера:  в области 0o,  в области 40-75o, предпочтительно 50-60o, и  в области 0o. Техническим результатом является повышение термостабильности. 2 c. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
2127484 патент выдан: опубликован: 10.03.1999 |
|