Приборы с использованием сверхпроводимости, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей: ...мощные криотроны – H01L 39/20

Изобретение относится к сверхпроводящим переключателям. Сущность изобретения: переключатель, осуществляющий переключение обмотки между резистивным и сверхпроводящим режимами работы, содержит корпус, который включает в себя обмотку, навитую вокруг бобины, и внутреннюю полость с хладагентом, охлаждающим обмотку. Перегородка отделяет внутреннюю полость с хладагентом от наружного резервуара с хладагентом. Перегородка имеет малые отверстия, позволяющие потоку жидкого хладагента поступать во внутреннюю полоть для охлаждения обмотки. Размер одного или нескольких малых отверстий сопоставим с размером пузырьков газообразного хладагента в жидком хладагенте при нормальных рабочих уровнях давления в системе охлаждения сверхпроводящего магнита. Изобретение позволяет усовершенствовать управление условиями охлаждения сверхпроводящего переключателя. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к высокотемпературным сверхпроводящим проводам. Сущность изобретения: сверхпроводящий провод содержит, по меньшей мере, первый и второй сверхпроводящие слои, размещенные на основе в виде многослойной структуры, при этом первый сверхпроводящий слой содержит первый высокотемпературный сверхпроводящий оксид, выбранный таким образом, чтобы обеспечить первое заданное соотношение критических токов в магнитных полях: параллельном поверхности сверхпроводящего слоя и перпендикулярном поверхности сверхпроводящего слоя, второй сверхпроводящий слой, содержит второй высокотемпературный сверхпроводящий оксид, выбранный таким образом, чтобы обеспечить второе заданное соотношение критических токов в магнитных полях: параллельном и перпендикулярном поверхности сверхпроводящего слоя, причем первый и второй сверхпроводящие слои, в комбинации обеспечивают заданную общую величину критического тока при выбранной ориентации магнитного поля, причем первый сверхпроводящий слой выбирается для обеспечения повышенной величины критического тока в магнитном поле, перпендикулярном поверхности сверхпроводящего слоя, по сравнению со вторым сверхпроводящим слоем, а второй сверхпроводящий слой выбирается так, чтобы обеспечить повышенную величину критического тока в магнитном поле, параллельном поверхности сверхпроводящего слоя, по сравнению с первым сверхпроводящим слоем. Техническим результатом изобретения является обеспечение сверхпроводящему проводу оптимальных эксплуатационных качеств в магнитных полях. 29 з.п. ф-лы, 12 ил.