Приборы с использованием сверхпроводимости, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей: ..криотроны – H01L 39/18

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом изобретения является реализация непрерывной перестройки частоты криогенного генератора для обеспечения возможности фазовой подстройки частоты к опорному синтезатору на произвольной частоте во всем диапазоне перестройки. В криогенном генераторе гетеродина для интегральных приемных устройств субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, изготовленного на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона подложки выполнена шероховатой, с размером неоднородностей соизмеримой с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания логических схем. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и способа изготовления криотрона. Указанный технический результат достигается тем, что функции экрана и управляющей шины совмещаются и выполняются нижней сверхпроводниковой дорожкой, нанесенной на поверхность подложки, частично изолированной от верхней дорожки с джозефсоновским контактом, и гальванически соединенной с ней. Технический результат достигается также тем, что состояния криотрона определяются его параметрами и протекающим током. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является расширение рабочей области частот сверхпроводникового генератора гетеродина. Сущность изобретения: в криогенном генераторе гетеродина для интегрального спектрометра субмиллиметровых волн с системой фазовой автоподстройки частоты, выполненном в виде интегральной микросхемы, содержащей длинный переход Джозефсона, гармонический смеситель, выполненный на отдельном переходе Джозефсона, и сверхпроводниковые элементы для их соединения и согласования импедансов, оба джозефсоновских перехода выполнены на основе сверхпроводниковой туннельной структуры Nb-AlN-NbN. 8 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов с регулируемой скважностью. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости и сложности устройства и его регулировки за счет использования симметричного двухвходового криотрона. Технический результат достигается за счет того, что на первую управляющую шину криотрона подается преобразуемый сигнал, на вторую - управляемое постоянное напряжение, а выходной сигнал выделяется в виде падения напряжения на вентиле и затем усиливается. Управляющий ток может увеличивать или уменьшать скважность импульсов. 4 ил.