Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...содержащих мышьяк, сурьму или висмут – H01L 35/18

МПКРаздел HH01H01LH01L 35/00H01L 35/18
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 35/00 Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01L 35/18 ...содержащих мышьяк, сурьму или висмут

Патенты в данной категории

СПОСОБ ЭКСТРУЗИИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ

Изобретение относится к получению термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом горячей экструзии. Материал может использоваться для термоэлектрического преобразования энергии. Пресс-заготовку из термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы нагревают до температуры экструзии 370-470°С пропусканием через нее переменного униполярного импульсного электрического тока и прикладывают давление 26-36 МПа. Обеспечивается снижение давления экструзии в 10-20 раз и повышение термоэлектрических, механических и структурных свойств материала. 1 ил., 2 табл., 2 пр.

2475333
патент выдан:
опубликован: 20.02.2013
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА, ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ БРУСОК, КОМПОНЕНТ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения. Сущность: кристаллические пластины из термоэлектрического слоистого материала ромбоэдрической сингонии (твердые растворы на основе АVBVI) получают методом направленной кристаллизации в поле вертикального градиента температур. При этом используют матрицу вертикально ориентированных графитовых пластин. Каждая пластина имеет входной канал для ввода расплавленного сырьевого материала и полость, сопряженную в нижней части с зигзагообразным каналом. Полость и зигзагообразный канал имеют плоскую конфигурацию и лежат в одной плоскости. Направленную кристаллизацию ведут со скоростью не более 0,5 мм/мин путем снижения температуры нагревателя. Полученные кристаллические пластины характеризуются наличием множества кристаллографических плоскостей спайности, имеющих практически одно кристаллографическое направление с образованием текстуры с углом разориентации 6° и ориентированных практически параллельно базовым плоскостям, имеющим ориентацию {0001}. Технический результат: уменьшение углов разориентации плоскостей спайности. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

2402111
патент выдан:
опубликован: 20.10.2010
СПЛАВ ВНЕДРЕНИЯ НА ОСНОВЕ СКУТТЕРУДИТА, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО, ИЗГОТОВЛЕННОЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТАКОГО СПЛАВА

Изобретение относится к термоэлектрическим материалам. Сущность: расплавляют при температуре от 800 до 1800°С исходный материал сплава, содержащего редкоземельный металл R, который является по меньшей мере одним элементом, выбранным среди La, Се, Pr, Nb, Sm, Eu и Yb, переходный металл Т, который является по меньшей мере одним элементом, выбранным среди Fe, Co, Ni, Os, Ru, Pd, Pt и Ag, и металлическую сурьму Sb. Быстро охлаждают расплав посредством ленточного литья со скоростью охлаждения от 10 2 до 104 °C/с, измеряемой в пределах диапазона температуры расплава до 800°С с образованием затвердевшего продукта. Продукт представляет собой сплав внедрения на основе скуттерудита, пригодный к использованию в термоэлектрическом элементе. Технический результат: получение большого количества сплава с почти однородной металлографической структурой без дополнительной термообработки, снижение затрат на производство термоэлементов. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

2300160
патент выдан:
опубликован: 27.05.2007
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический материал и термоэлектрический элемент составляют из многослойного тела, изготовленного из ламинарного тела из металла или синтетической смолы, а также из ламинарного тела из полуметалла. Средняя толщина ламинарных тел находится в пределах от 0,3 до 1000 нм. Примеры комбинации ламинарных тел: Bi-Al, Bi - смола из ряда полиамидов и Ag-Fe. Такое многослойное тело изготавливают посредством формирования исходного многослойного тела, составленного из всех типов ламинарных тел, образующих многослойное тело, и посредством вальцевания или одноосного прессования стопки таких исходных многослойных тел. Технический результат: термоэлектрический материал имеет высокий коэффициент Зеебека и высокий коэффициент преобразования мощности, а также превосходные свойства в отношении ударопрочности, сопротивления температурной деформации и способности к формоизменению. 4 с. и 14 з.п. ф-лы, 14 ил., 2 табл.
2223573
патент выдан:
опубликован: 10.02.2004
ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.
2186439
патент выдан:
опубликован: 27.07.2002
МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.
2130216
патент выдан:
опубликован: 10.05.1999
Наверх