Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...несъемные, например склеенные, спеченные, припаянные – H01L 35/08

МПКРаздел HH01H01LH01L 35/00H01L 35/08
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 35/00 Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01L 35/08 ...несъемные, например склеенные, спеченные, припаянные

Патенты в данной категории

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к способу изготовления термоэлектрического элемента, имеющего термопары, содержащие полупроводник n-типа и полупроводник р-типа. Оба полупроводника приваривают к электропроводному контактному материалу. Полупроводники n-типа и полупроводники p-типа термопар приваривают к контактному материалу в ходе отдельных процессов сварки. Причем одновременно сваривают все полупроводники n-типа одной стороны термоэлектрического элемента и/или все полупроводники p-типа одной стороны термоэлектрического элемента. Технический результат - повышение надежности соединения полупроводников с контактным материалом. 2 н. и 39 з.п. ф-лы, 12 ил.

2475889
патент выдан:
опубликован: 20.02.2013
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОДУЛЕЙ ПЕЛЬТЬЕ, А ТАКЖЕ МОДУЛЬ ПЕЛЬТЬЕ

Изобретение относится к термоэлектричеству, а именно к изготовлению модулей Пельтье с расположенными между двумя подложками (2) несколькими элементами Пельтье (4). Сущность: элементы Пельтье (4) при изготовлении соединяют на токоподводящей стороне посредством спекаемого слоя (15) или приваривания спеканием с контактной поверхностью (3). Причем изготовление элементов Пельтье (4) и приваривание спеканием осуществляют в ходе совместной операции с использованием маски (22), содержащей множество отверстий (23). Маску (22) наносят соответственно на подготовленную керамическую подложку (2) с контактными поверхностями (3) таким образом, что каждое отверстие (23) находится над контактной поверхностью (3). Отверстия (23) заполняют материалом для изготовления элементов Пельтье, который затем путем спекания и приложения давления превращают в элементы Пельтье (4). При этом отверстия (23) заполняют материалом для изготовления элементов Пельтье в виде порошковой смеси. Спекание и приваривание спеканием осуществляют посредством искроплазменного способа спекания при приложении давления спекания. Технический результат: упрощение изготовления, улучшение термических свойств и эффективности модуля. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 18 ил.

2433506
патент выдан:
опубликован: 10.11.2011
ТЕРМОЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии. Сущность: Термоэлемент содержит по меньшей мере один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой одного или нескольких примесных полупроводников. N-слой (слои) и р-слой (слои) расположены таким образом, что образуют, по меньшей мере, один р-n-переход. По меньшей мере, один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой селективно контактируют электрически. Градиент температур прилагается или снимается параллельно граничному слою между, по меньшей мере, одним n- и р-слоем. По меньшей мере, один р-n-переход образован по существу вдоль общей, предпочтительно наиболее длинной протяженности n-слоя (слоев) и р-слоя (слоев), и, тем самым по существу вдоль их общего граничного слоя. 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

2248647
патент выдан:
опубликован: 20.03.2005
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Использование: в термоэлектрических преобразователях энергии. Сущность изобретения: множество термоэлектрических полупроводников n- и р-типа регулярно расположены таким образом, что обе их торцевые грани образуют расположенные приблизительно на одном уровне торцевые поверхности межсоединения и соединены вместе через изоляцию .Электроды межсоединения для попеременного электрического соединения термоэлектрических полупроводников n- и р-типа образованы на обеих торцевых поверхностях межсоединения. Пара соединительных электродов образована для электрического соединения с термоэлектрическими полупроводниками, соответствующими одному концу и другому концу множества термоэлектрических полупроводников. Одна из торцевых поверхностей межсоединения блока термоэлектрических элементов вставлена в отверстие гибкой печатной схемы и затем прикреплена к верхней грани пластины теплопроводности через изоляционный слой. Пара соединительных электродов электрически соединена с парой входной/выходной электродов, образованной на гибкой печатной схеме. Технический результат: облегчение электрического соединения между внешней схемой и компактным термоэлектрическим устройством. 12 з.п. ф-лы, 8 ил.
2173007
патент выдан:
опубликован: 27.08.2001
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Сущность изобретения: термоэлектрический элемент обладает повышенной прочностью сцепления между полупроводниковой матрицей из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se и слоем диффузионного барьера, нанесенным для предотвращения диффузии материала припоя в полупроводниковую матрицу. Между полупроводниковой матрицей и слоем диффузионного барьера из Мо, W, Nb и Ni предусмотрен слой из сплава олова, который позволяет повысить прочность сцепления. Этот слой из сплава олова образуется на границе раздела с полупроводниковой матрицей путем взаимодиффузии олова и по крайней мере одного элемента полупроводника. Технология изготовления термоэлектрического элемента включает следующие этапы: а) подготовка термоэлектрического полупроводника из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se с противолежащими гранями; b) нанесение слоя олова на каждую из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника; с) взаимодиффузия олова и по крайней мере одного элемента термоэлектрического полупроводника для образования слоя из сплава олова на каждой из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника; d) нанесение слоя диффузионного барьера из Мо, W, Nb или Ni на каждый слой из сплава олова. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 15 ил., 2 табл.
2151450
патент выдан:
опубликован: 20.06.2000
Наверх