Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..со структурой с релаксацией напряжений, например буферный слой – H01L 33/12

Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных температурах и уровнях мощности, а также для приема и генерирования света в видимом и ультрафиолетовом диапазоне длин волн. Прибор имеет в своем составе электроды, монокристаллическую кремниевую подложку с ориентацией рабочей поверхности (111), на которой расположена слоистая структура, в состав которой входит буферный слой карбида кремния кубической модификации, и слой широкозонного полупроводника гексагональной модификации, выполненный из нитрида металла третьей группы Периодической таблицы элементов Д.И.Менделеева. Согласно изобретению прибор дополнительно имеет слой карбида кремния гексагональной модификации, который расположен на упомянутом слое широкозонного полупроводника и эпитаксиально с ним сопряжен. Новая конструкция позволяет снизить уровень дислокации в активной области полупроводникового прибора, получить новую структуру прибора с двумя жесткими слоями карбида кремния и мягким слоем нитрида, например, галлия между ними. 3 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а более конкретно к полупроводниковым светодиодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (A^IIIN). Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе нитридов металлов третьей группы, включает подложку, а также сформированные в процессе эпитаксиального роста последовательно расположенные буферный слой и слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с р-n-переходом. При этом буферный слой расположен непосредственно на подложке и, по меньшей мере, в зоне, примыкающей к подложке, содержит поры, сформированные в процессе эпитаксиального роста буферного слоя. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и технологии изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора. 1 ил.