Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода – H01L 31/072

Изобретение относится, в основном, к области фотоэлектрических элементов, а конкретно к фотоэлектрическим элементам для солнечного излучения (солнечным элементам). Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит по меньшей мере один переход (120, 124); причем упомянутый по меньшей мере один переход включает в себя базу (120), сформированную посредством эпитаксиального легированного полупроводникового материала первого типа проводимости, и эмиттер (124), сформированный посредством легированного полупроводникового материала второго типа проводимости, противоположного первому. Упомянутый эмиттер накладывают на базу в соответствии с первым направлением (х), а база по меньшей мере одного упомянутого по меньшей мере одного перехода имеет понижающийся градиент (С(х)) концентрации примеси вдоль упомянутого первого направления. Упомянутая база содержит первую часть на удалении от эмиттера, вторую часть в непосредственной близости к эмиттеру и третью часть между первой частью и второй частью. В первой части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от 9·10¹⁷см^-3/мкм до 4·10¹⁷ см^-3/мкм. Во второй части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -3·10¹⁷см^-3/мкм до -9·10 ¹⁶ см^-3/мкм. В третьей части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -2·10 ¹⁷см^-3/мкм до -5·10¹⁶ см ^-3/мкм. Также предложен способ изготовления описанного выше фотоэлектрического элемента. Изобретение обеспечивает возможность изготовления фотоэлектрических элементов повышенной эффективности. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике. Многокаскадный лавинный фотодетектор содержит не менее двух каскадов умножения на основе полупроводниковых p⁺-n (n⁺-p) гетероструктур, включающих, по крайней мере, два полупроводниковых слоя. Толщины первых слоев гетероструктур не превышают диффузионную длину неосновных носителей тока. Концентрация легирующей примеси в первых слоях гетероструктур превышает концентрацию легирующей примеси во вторых слоях. На каждом первом слое структуры и втором слое последней структуры расположены омические контакты. Ширина запрещенной зоны первых слоев гетероструктур меньше ширины запрещенной зоны вторых слоев, ширина запрещенной зоны первого слоя первой гетероструктуры не превышает ширину запрещенной зоны первых слоев остальных гетероструктур, а ширина запрещенной зоны вторых слоев гетероструктур одинакова. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента умножения и отношения сигнал/шум фотодетектора с одновременным расширением спектрального диапазона фоточувствительности в длинноволновую область спектра, сохранением рабочей температуры и подавлением паразитной фоточувствительности. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.