Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник – H01L 31/062
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/062 ...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник
Патенты в данной категории
| ЗАЩИТНОЕ КОЛЬЦО ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ТЕМНОВОГО ТОКА Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности за счет снижения темнового тока на граничной поверхности между обедненным слоем и прозрачной изоляционной областью. Сущность: фотодиод (200) включает изолирующую область (202), которая пропускает через себя свет. Фотодиод (200) также включает область подложки (204) с проводимостью первого типа и область кармана (206) с проводимостью второго типа. Карман (206) образован в подложке (204) ниже изолирующей области (202). Карман (206) отграничивается от подложки (204) первой поверхностью (216). Фотодиод (200) далее включает сильнолегированную область (220) с проводимостью второго типа. Сильнолегированная область (220) образована в изолирующей области (202) в первом положении (222). Первая поверхность (216) встречается с сильнолегированной областью (220) по существу, в первом положении (222). 6 с. и 16 з. п. ф-лы, 9 ил. | 2178600 патент выдан: опубликован: 20.01.2002 |
|
| КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. Ячейка памяти согласно изобретению содержит первый транзисторный инвертор, имеющий первый вход и первый выход, и второй инвертор, имеющий второй вход и второй выход. Первый и второй транзисторы связаны с первым и вторым пересекающимися соединениями. Первое пересекающееся соединение соединяет первый вход со вторым выходом. Второе пересекающееся соединение соединяет второй вход с первым выходом. Два пересекающихся соединения содержат разные проводящие слои в процессе изготовления полупроводника. Данное изобретение выполняет пересечения в разных материалах на разных слоях устройства. Поэтому пересечения могут размещаться вертикально друг над другом, тем самым сокращая площадь ячейки памяти. Технический результат: снижение себестоимости за счет уменьшения размера элемента, повышение надежности ячейки памяти в запоминающих устройствах. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил. | 2156013 патент выдан: опубликован: 10.09.2000 |
|
| ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть применено при конструкции полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в фоточувствительном элементе, содержащем полупрозрачный электрод, изолирующий слой, расположенный на полупроводниковой подложке, и электрод к полупроводниковому слою, изолирующий слой выполнен туннельно-прозрачным из аморфного углеродсодержащего материала. 4 ил. | 2022410 патент выдан: опубликован: 30.10.1994 |
|