Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .предназначенные для работы в качестве преобразователей – H01L 31/04

Изобретение относится к оптике и радиофизике. Устройство для регистрации электромагнитного излучения содержит источник электромагнитного излучения, электрическую цепь, состоящую из источника ЭДС, амперметра и приемника электромагнитного излучения с фоточувствительным фоторезистором. Приемник электромагнитного излучения выполнен в виде замкнутой кюветы с окном для ввода электромагнитного излучения внутрь кюветы; внутри кюветы имеются два электрода и трехмерный фотонный кристалл, состоящий из плотно упакованных монодисперсных диэлектрических шариков, прозрачных для регистрируемого электромагнитного излучения, в порах между которыми присутствуют ультрадисперсные частицы фоточувствительного полупроводникового материала - фоторезистора. Размеры шариков внутри кюветы сравнимы с длиной волны регистрируемого электромагнитного излучения или существенно превышают ее значение. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности приемника электромагнитного излучения. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к красителю, содержащему закрепляющую группу в своей молекулярной структуре, причем указанная закрепляющая группа обеспечивает ковалентное связывание указанного красителя с поверхностью, и указанная закрепляющая группа представлена формулой 1 , в которой место присоединения указанной закрепляющей группы внутри указанной молекулярной структуры указанного красителя находится при терминальном атоме углерода, помеченном звездочкой в указанной выше формуле. При этом G выбирают из -COOH, -SO ₃H, -PO₃H₂, -BO₂H ₂ -SH, -ОН, -NH₂, А выбирают из группы, состоящей из H, -CN, -NO₂, -COOR, -COSR, -COR, -CSR, -NCS, -CF ₃, -CONR₂, -OCF₃, C₆H _5-mF_m, в которой m=1-5, R представляет собой Н или любую линейную или разветвленную алкильную цепочку общей формулы -C_nH_2n+1, n=0-12, предпочтительно 0-4, или любой замещенный или незамещенный фенил или бифенил, где указанный краситель представлен формулой (2) или формулой (4)

Изобретение относится к области фотоэлектроники и предназначено для преобразования потока солнечного излучения в электроэнергию. Изобретение направлено на увеличение активной площади солнечного модуля с одновременным увеличением КПД. Солнечный модуль включает каркас, солнечные элементы, структурированное стекло и текстурированную отражающую панель с геометрическим рельефом. Конструктивные особенности солнечной панели заключаются в том, что солнечные элементы выполнены с двухсторонней чувствительностью и установлены с зазором перпендикулярно структурированному стеклу, а текстурированная отражающая панель с геометрическим рельефом установлена за солнечными элементами. Установка солнечных элементов перпендикулярно способствует увеличению выработки электроэнергии и стабилизации их температурного режима. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам, преобразующим энергию частиц, испускаемых изотопами, в электрический ток, и может быть использовано в качестве элемента питания в различных электронных устройствах, потребляющих небольшой ток, но вынужденных работать без замены источников питания в течение десятка лет. Сущность изобретения заключается в том, что ядерная батарейка содержит корпус, наполненный материалом изотопа, куда помещен, по крайней мере, один полупроводниковый детектор, у которого в объеме созданы колодцы, причем все размеры колодцев меньше длины свободного пробега частиц, испускаемых газообразным изотопом, при этом детектор выполнен в виде чередующихся слоев n⁺ , i (либо , либо ) и p⁺-типов проводимостей в такой последовательности n⁺-i-p⁺-i- -n⁺-i-p⁺, причем эти слои лежат в плоскостях, перпендикулярных стенкам колодцев; к слоям n+-типа созданы омические контакты, электрически соединенные между собой, такие же контакты созданы и к слоям p⁺-типа, которые тоже соединены. Технический результат - упрощение технологии изготовления полупроводникового детектора, преобразующего энергию бета-частиц в электрический ток. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом эпитаксиального выращивания слоев n-типа проводимости и p-типа проводимости, образующих не менее двух сопряженных друг с другом двухслойных компонентов с n-p или p-n переходами между слоями, согласно изобретению каждые два соседних компонента сопряжены друг с другом посредством введенных в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения. Изобретение обеспечивает повышение эффективности фотоэлектрического преобразования. 1 з.п. ф-лы, 1 пр.

Солнечный элемент содержит: подложку, обладающую оптической прозрачностью; предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования. Причем низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом. Между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой. Толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм, а показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм. Изобретение обеспечивает возможность улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможность сдерживать увеличение технологических процессов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Предлагается конструкция полупроводникового преобразователя бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного вещества на текстурированной поверхности. Текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество, содержащее радионуклид никель-63, тритий или оба вместе, покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа и снижения стоимости изготовления бета преобразователя, а также повышения его удельной электрической мощности и надежности в эксплуатации. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием изготовлен на основе многослойной полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge. Фотоэлектрический преобразователь содержит тыльный и лицевой омические контакты и многослойное наноструктурное просветляющее покрытие, сформированное на фронтальной поверхности структуры в свободных от омических контактов местах, состоящее из трех слоев: SiO₂ толщиной 70-80, Si ₃N₄ толщиной 25-35 нм и TiO_x, где х=1,8-2,2, толщиной 20-30 нм. Каскадный фотоэлектрический преобразователь имеет повышенный КПД и низкий коэффициент отражения в коротковолновой и длинноволновой области солнечного спектра. 1 ил.

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. В кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащем n⁺-р (р⁺-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р⁺ (n-n⁺) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, просветляющая пленка выполнена так, что плотность встроенного электрического заряда не менее 1·10¹¹ см ^-2, знак этого заряда совпадает со знаком заряда основных носителей тока в базовой области, причем n⁺-р (р ⁺-n) переход и изотипный р-р⁺ (n-n⁺ ) переход под контактной сеткой выполнены на большей глубине, чем в промежутках контактной сетки. Также предложены еще один вариант и два варианта способа изготовления. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотопреобразователей. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии производства литого кремния: моно- или поликристаллического, используемого в фотоэлектрических элементах и других полупроводниковых устройствах. Один из вариантов раскрыт в способе получения литого кремния, включающем приведение расплавленного кремния в контакт по меньшей мере с одним затравочным кристаллом кремния в сосуде, имеющем одну или несколько боковых стенок, нагретых по меньшей мере до температуры плавления кремния, и по меньшей мере одну охлаждаемую стенку, и образование твердого массива монокристаллического кремния, необязательно по меньшей мере с двумя измерениями, каждое по меньшей мере примерно по 10 см, путем охлаждения расплавленного кремния при регулировании кристаллизации, причем образование массива включает формирование границы раздела твердого тела с жидкостью по ребру расплавленного кремния, которая по меньшей мере сначала параллельна по меньшей мере одной охлаждаемой стенке, и граница раздела регулируется во время охлаждения таким образом, что она перемещается в направлении, при котором увеличивается расстояние между расплавленным кремнием и по меньшей мере одной охлаждаемой стенкой. Представлены также другие варианты. Предлагаемые способы являются более быстрыми, эффективными и менее дорогими и позволяют регулировать размер, форму и ориентацию зерен кристаллов в литом массиве кристаллизующегося кремния. С их помощью получают литой массив кремния большого размера (например, слитки с площадью поперечного сечения по меньшей мере 1 м² и до 4-8 м²), не содержащий или практически не содержащий радиально распределенных примесей и кислород-индуцированных дефектов упаковки. 10 н. и 24 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит матрицу из скоммутированных параллельно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью и легированными областями п⁺-р-п⁺(p⁺-п-р ⁺) структур, плоскости р-п переходов и контактов к легированным п⁺(р⁺) областям перпендикулярны к рабочей стороне, на которую падает излучение, один или два линейных размера каждого микроэлемента соизмеримы с удвоенной диффузионной длиной неосновных носителей заряда в базовой области, и на тыльной стороне каждого микроэлемента расположены контакты к базовой области, каждый микроэлемент содержит вдоль рабочей и тыльной сторон области с дополнительными изотипными р-р⁺(п-п⁺) переходами, отделенными от р-п переходов промежутком, ширина которого, по меньшей мере, в 10 раз меньше размера микроэлемента, а участки базовой и легированной областей, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. Предложены еще варианты выполнения описанного выше фотопреобразователя и варианты способа выполнения фотопреобразователя. Изобретение обеспечивает повышение КПД и повышение эффективности фотопреобразования за счет снижения потерь на поверхностную рекомбинацию. 7 н. и 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Система фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения относится к солнечной энергетике. Система содержит оптическую систему, разделяющую излучение солнечного спектра на четыре световых потока с разными спектральными диапазонами, и четыре фотоэлектрических преобразователя (27)-(30) с одиночным р-n-переходом. Фотоэлектрические преобразователи (27)-(30) расположены рядом друг с другом и электрически соединены между собой. Первый фотоэлектрический преобразователь (27) выполнен на основе полупроводникового материала с E_g=1,8-2,3 эВ; второй фотоэлектрический преобразователь (28) выполнен на основе полупроводникового материала с E_g=1,3-l,5 эВ; третий фотоэлектрический преобразователь (29) выполнен на основе полупроводникового материала с E _g=0,9-1,1 эВ, и четвертый фотоэлектрический преобразователь (30) выполнен на основе полупроводникового материала с E _g=0,6-0,75 эВ. Изобретение позволяет увеличить общий КПД фотопреобразования солнечного излучения. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Настоящее изобретение может быть применено в наземных и космических солнечных энергоустановках на основе кремниевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечного излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения. Конструкция фотоэлектрического модуля включает нижнее защитное покрытие, на котором с помощью скрепляющей полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы с антиотражающим просветляющим покрытием, и расположенное над лицевой поверхностью солнечных элементов верхнее защитное покрытие из оптически прозрачного стекла или полимерного материала, которое скреплено с солнечными элементами промежуточной пленкой из оптически прозрачного полимерного материала, при этом со стороны лицевой поверхности кремниевых солнечных элементов дополнительно введен оптически активный слой, представляющий собой оптически прозрачный полимер, содержащий антистоксовый люминофор. Предлагаемая конструкция фотоэлектрического модуля обеспечивает увеличение эффективности преобразования падающего светового излучения на 3÷6%. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой (9), сплошной нижний электрод (2) и верхний электрод в виде контактной сетки, содержащей по меньшей мере одну токосъемную шину (10), расположенную по периметру фоточувствительной области (12), и токосъемные полоски (11). Токосъемные полоски (11) эквидистантно выходят из по меньшей мере одной токосъемной шины (10) под углом 35-55° к боковой грани (13) солнечного элемента (8). Токосъемные полоски (11) параллельны друг другу в пределах каждого из четырех сегментов (а, б, в и г), лежащих между взаимно перпендикулярными плоскостями, проведенными через середины противолежащих сторон прямоугольника солнечного элемента (8). Изобретение обеспечивает создание концентраторного солнечного элемента, имеющего повышенный КПД за счет уменьшения сопротивления верхнего контакта и, следовательно, уменьшения омических потерь. 11 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей энергии, а более конкретно к солнечным элементам со сверхтонким поглощающим слоем. Конструкция данного солнечного элемента состоит из твердотельного гибкого проводящего носителя и расположенной на нем многослойной структуры. Твердотельный носитель выполнен из титана и является одновременно слоем нижнего электрода. Многослойная структура содержит слой акцептора электронов из пористого оксида титана, функциональный слой для генерации и разделения неравновесных носителей заряда, выполненный в виде тонкой пленки халькогенида металла n-типа проводимости, планаризующего слоя акцептора дырок, выполненного в виде пленки вырожденного полупроводника р-типа проводимости, и верхний прозрачный электрод. Изобретение обеспечивает расширение температурного диапазона работоспособности, повышение надежности и улучшение эксплуатационных свойств солнечного элемента. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию с помощью охлаждаемых фотоэлектрических преобразователей. Изобретение может быть использовано для обеспечения электрической и тепловой энергией отдельных автономных объектов, например систем связи, наблюдения и т.д., потребляющих мощность 1-50, а также для нагрева хладагента, используемого в системе охлаждения фотоэлектрического преобразователя на основе непланарной структуры. Нагретый хладагент может использоваться для обогрева помещений. Указанный технический результат в изобретении достигается следующим образом. Фотоэлектрический преобразователь на основе непланарной эпитаксиальной структуры содержит корпус, в котором расположена цилиндрическая эпитаксиальная структура, выполненная из цилиндрической полой подложки из полупроводникового материала, на внешней поверхности которой расположен, по крайней мере, один эпитаксиальный слой из полупроводникового материала. На поверхности этого слоя расположен внешний цилиндрический металлический контакт. На внутренней стороне подложки расположен внутренний цилиндрический металлический контакт. К цилиндрическим металлическим контактам подсоединены токосъемные элементы. Под цилиндрической эпитаксиальной структурой расположен фокусирующий отражатель, выполненный в виде выгнутой пластины параболоцилиндрической формы. На внутренней поверхности пластины нанесен отражающий слой. Над цилиндрической эпитаксиальной структурой расположена прозрачная фокусирующая линза выгнутой параболоцилиндрической формы, закрепленная на фокусирующем отражателе. Диаметр линзы меньше диаметра фокусирующего отражателя. Преобразователь снабжен системой циркуляции воды, проходящей через внутреннюю полость цилиндрической эпитаксиальной структуры. Улучшение основных электрических характеристик фотоэлектрического преобразователя на основе непланарной структуры (КПД, напряжение холостого хода, тока короткого замыкания) достигается за счет отсутствия краевых эффектов в цилиндрической эпитаксиальной структуре, улучшения характеристик эпитаксиальных цилиндрических слоев (однородность толщины, состава), обеспечиваемое равномерным распределением температурных полей в реакторе при проведении процесса эпитаксии на цилиндрическую подложку. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Фотоэлемент содержит монокристаллическую подложку кремния дырочной или электронной проводимости, на которой расположены слои полупроводника n+ и p+ типа с p-n-переходом и прозрачный полупроводящий слой, в который введены наночастицы металла, при этом каждая частица находится в углублении (ямке), а между наночастицей и поверхностью p-n-перехода подложки находится тонкий, менее 10 нм, диэлектрический слой. Предлагаемый высокоэффективный фотоэлемент с улучшенной фиксацией металлических наночастиц на поверхности кремниевой подложки и увеличенной площадью взаимодействия металлических наночастиц с поверхностью кремния, так как каждая частица находится в углублении (ямке), кроме того, такая упорядоченная структура поверхности (порядка 100 нм) позволит получить дополнительный просветляющий слой. 1 ил.

Изобретение относится к конструкции и способу изготовления фотоэлектрических элементов для получения электрической энергии, способных работать в низких широтах. Фотоэлектрический преобразователь на основе монокристаллического кремния изготавливают следующим образом: методом потенциостатического циклирования наносят полимерную пленку, которая состоит из смеси токопроводящих полимеров полисиланоанилина и полианилина, модифицированных комплексом хлорида меди [CuCl ₄]^2- при массовом соотношении вышеуказанных полимеров 2:10 соответственно. Также предложен способ изготовления данного модуля. Изобретение обеспечивает работоспособность фотоэлектрического модуля при температуре более 100°С с высоким КПД, не снижая своих свойств, а также упрощение его изготовления. 2 н.п. ф-лы.

Изобретение предназначено для получения тепла, света, электроэнергии при сжигании топлива внутри радиационной рекуперативной горелки. Радиационная рекуперативная горелка состоит из корпуса, внутри которого находится горелочный туннель, противоточного рекуператора, имеющего, как минимум, один туннель для продуктов сгорания и, как минимум, один туннель для окислителя, узла ввода топлива в туннели горелки, соединенного с внешним трубопроводом для подвода топлива, узла ввода окислителя в туннели горелки, соединенного с внешним трубопроводом для подвода окислителя и узла вывода продуктов сгорания, соединенного с внешним трубопроводом для отвода продуктов сгорания, запала, при этом часть корпуса горелки, в которой находится горелочный туннель, выполнена из огнестойких и тугоплавких материалов, туннели рекуператора для окислителя имеют поверхность теплового контакта с туннелями для продуктов сгорания, по разные стороны от которой направление движения газа в туннелях противоположно, выход туннеля для окислителя соединен с горелочным туннелем, вход туннеля для продуктов сгорания соединен с горелочным туннелем, узел ввода топлива герметично соединен с горелочным туннелем, узел ввода окислителя герметично соединен с входом туннеля рекуператора для окислителя, узел вывода продуктов сгорания герметично соединен с выходом туннеля рекуператора для продуктов сгорания. Горелочный туннель выполнен внутри корпуса герметичным и изолированным от внешней среды, в рекуператоре дополнительно выполнены один или несколько туннелей для топлива, имеющих поверхность теплового контакта с туннелями рекуператора для продуктов сгорания, по разные стороны от которой направление движения газа в туннелях противоположно, при этом рекуператор размещен внутри корпуса горелки, стены туннелей рекуператора в той его части, которая примыкает к горелочному туннелю, изготовлены из огнестойких и тугоплавких материалов, узел ввода топлива герметично соединен с горелочным туннелем через туннели рекуператора для топлива, а часть внешней поверхности корпуса вблизи горелочного туннеля является радиационной поверхностью горелки. Изобретение позволяет создать устройство, в котором происходит полное сжигание топлива и передача тепла при температурах выше 2000°С. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 31 ил.

Изобретение относится к преобразователям электромагнитного излучения. Согласно первому варианту преобразователь содержит по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью первого типа и по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды. При этом на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа выполнено N>1 областей с проводимостью первого типа, каждая из которых расположена относительно других областей с той же проводимостью на расстоянии F<2f, где f - величина, соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных неосновных носителей заряда. Согласно второму варианту преобразователь содержит одну собирающую область с проводимостью первого типа и по крайней мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды. При этом первый электрод соединен с указанной областью с проводимостью первого типа, расположенной на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа, причем первый электрод содержит Т>1 участков и расстояние между каждыми двумя такими участками меньше 2f, где f - величина, соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных неосновных носителей заряда, и при этом указанные участки первого электрода объединены во внутренней цепи преобразователя в токовый узел посредством по крайней мере одной токопроводящей шины. Изобретение обеспечивает повышение эффективности энергоконверсии (повышение КПД). 2 н. и 31 з.п. ф-лы, 29 ил., 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления высокоэффективных широкополосных преобразователей электромагнитного излучения как видимого, так и невидимого диапазона. Преобразователь электромагнитного излучения согласно изобретению содержит собирающие области первого и второго типа проводимости, а также соединенные с этими областями первый и второй электроды. При этом преобразователь содержит N 1 собирающих областей с проводимостью первого типа, расположенных на лицевой стороне полупроводниковой подложки с проводимостью второго типа с образованием N р-n переходов. Первый электрод соединен с указанными N собирающими областями с проводимостью первого типа, образуя токовый узел. Лицевая сторона подложки содержит, по меньшей мере, один участок с проводимостью второго типа, прилегающий к зоне расположения N 1 собирающих областей с проводимостью первого типа. Указанное выполнение преобразователя обеспечивает его работу в более широком диапазоне частот электромагнитного излучения, способствует повышению его КПД и мощности, а также позволяет достичь высокой точности и стабильности его выходных характеристик. 58 з.п. ф-лы, 3 табл., 113 ил.

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в видеокамерах и фотоаппаратурах высокого разрешения, использующих цифровую обработку для оптимизации сигналов. Фотоприемная ячейка с вертикальным разделением цветов содержит схему считывания, детекторы голубой, зеленой и красной составляющих принимаемого излучения, выполненные в полупроводниковой структуре, имеющие горизонтальные области первого типа проводимости, расположенные на первой, второй и третьей глубинах по отношению к поверхности структуры, соответственно оптимизированных по максимальному поглощению голубой, зеленой и красной составляющих излучения, соединенные через p-n переходы областями первого и/или второго, противоположного первому, типа проводимости с приповерхностными областями второго типа проводимости, окруженные областями первого типа проводимости с распределением концентрации примеси, создающим потенциальный барьер для распространения в них неосновных носителей тока. При этом горизонтальная область, расположенная на третьей глубине, выполнена в общем для всех ячеек слое на подложке первого типа проводимости, а к областям второго типа проводимости примыкают на любой из глубин дополнительные области второго типа проводимости, расположенные вне облучаемых областей. Настоящее изобретение обеспечивает увеличение и/или выравнивание динамического диапазона детекторов, упрощение технологии и, следовательно, снижение стоимости. 2 ил.

Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в данном солнечном элементе, сформированном на высоколегированной подложке, эмиттер является основной поглощающей и генерирующей носители областью, причем эпитаксиальный эмиттер состоит из двух областей, каждая из которых имеет переменный по толщине профиль легирования. Низколегированная область, примыкающая к pn-переходу, обеспечивает основное поглощение света, высоколегированная область служит для формирования контакта. В качестве кремниевой подложки может быть использован монокристаллический или мультикристаллический кремний p- или n-типа проводимости. Использование данной конструкции солнечного элемента позволяет повысить эффективность преобразования солнечной энергии. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, полупроводниковые слои, просветляющее покрытие, металлические контакты. При этом согласно изобретению на лицевой стороне генератора расположено множество осажденных слоев, образующих диодные планарные n ⁺-р-р⁺ или р⁺-n-n⁺, или n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области. Толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале. Также предложен способ изготовления фотоэлектрического генератора описанной выше конструкции. Изобретение обеспечивает увеличение выходного напряжения и повышение эффективности преобразования концентрированного излучения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов. Фотоэлемент состоит из металлической пластины-катода и электроконтактной сетки-анода с расположенными между ними прозрачным электропроводящим слоем и фоточувствительным слоем из прозрачного полупроводникового полимера n-типа, содержащего полупроводниковые нанокристаллы р-типа и металлические наночастицы. Согласно изобретению обращенные внутрь фотоэлемента поверхности металлической пластины-катода и электроконтактной сетки-анода снабжены серебряными зеркальными покрытиями, при этом в прозрачный электропроводящий слой фотоэлемента введены сферические микрокапсулы из прозрачного диэлектрика в количестве n, определяемом приводимым выражением, а в сферические микрокапсулы из прозрачного диэлектрика помещены микрочастицы кристаллофосфора. Изобретение обеспечивает возможность выработки фотоэлементом электрической энергии в течение заданного времени после прекращения подачи на него внешнего электромагнитного излучения. 1 ил.

Фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, включенные последовательно слои монокристаллического кремния, с участками различного типа проводимости. Слои монокристаллического кремния толщиной 5-15 мкм расположены планарно на диэлектрической подложке и изолированы друг от друга. Участки одного типа проводимости каждого слоя монокристаллического кремния соединены с участками противоположного типа проводимости одного из соседних слоев монокристаллического кремния металлическими перемычками. На одном участке монокристаллического слоя кремния одного типа проводимости и на другом участке монокристаллического слоя кремния противоположного типа проводимости сформированы контактные выводы. Фотопреобразователи согласно изобретению при освещении красным светом или зеленым светом при мощности облучения 100 мВт/см² могут развивать выходное напряжение свыше 1000 В. 2 ил.

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов. Преобразователь по изобретению содержит по крайней мере один фоточувствительный слой, обеспечивающий генерацию фототока при поглощении электромагнитного излучения, а также токосъемные электроды. При этом преобразователь также содержит металлические наночастицы размером порядка или менее длины волны в максимуме спектра падающего излучения, обеспечивающие концентрацию падающего излучения в ближней зоне около наночастиц и генерацию фототока при поглощении указанного излучения. В результате обеспечиваются усиление фототока и повышение КПД преобразователя. 22 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов. Гетероэлектрический фотоэлемент, преобразующий в электрическую энергию падающее на него электромагнитное излучение, содержит расположенные на металлической пластине слои полупроводника р- и n-типа с p-n-переходом между ними, с введенными в полупроводник n-типа наночастицами металла размером, много меньшим длины волны указанного излучения, при концентрации указанных наночастиц в указанном слое (1-5)10^-2 объемных долей. В указанный слой полупроводника n-типа наночастицы введены заключенными в оболочку, имеющую форму, подобную форме поверхности указанных наночастиц, выполненную из полимера, например, ПВП (поли 2-винилпиридина), толщиной порядка характерного размера указанных наночастиц. Изобретение позволяет существенно повысить кпд. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Система для производства электрической энергии содержит матрицу одного или большего количества модулей преобразования, соединенных последовательно или параллельно, каждый из которых содержит: камеру сгорания, инжекционное устройство, соединенное с камерой сгорания посредством инжекционной трубки, контроллер частоты инжекции, средство подачи субстанции, поддерживающей горение, в камере сгорания, средство удаления газообразных продуктов сгорания, средство избирательного испускания излучения на внешнюю поверхность камеры сгорания, средство преобразования энергии излучения в электрическую энергию, средство зажигания реакции горения, при этом камера сгорания заключена в камеру преобразования, внутри которой поддерживаются условия субатмосферного давления так, чтобы существенная часть тепла, вырабатываемого реакцией горения преобразовывалась в электромагнитное излучение. Изобретение обеспечивает высокую эффективность преобразовантя тепловой энергии в электрическую. 36 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к солнечным кипятильникам для получения горячей воды и пара для бытовых и технологических нужд. Технический результат изобретения: обеспечение высокой эффективности работы кипятильника с автоматическим слежением за азимутом солнца. Сущность: солнечный кипятильник представляет собой параболоцилиндрический концентратор солнечного излучения, по фокальной оси которого установлен трубопровод для нагрева воды, при этом концентратор установлен с возможностью вращения вокруг трубы с ограничителями правого и левого поворотов и снабжен реверсивным электроприводом азимутального слежения за солнцем, управляемый схемой электроавтоматики от солнечных фотобатарей. С восхода до заката солнца происходит азимутальное слежение концентратора и обеспечивается постоянный нагрев воды в трубопроводе, находящемся в фокальной оси концентратора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.