Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IVB_IV, например SiC – H01L 31/0312

МПК Раздел H H01 H01L H01L 31/00 H01L 31/0312

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

H01L 31/0312 ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IVB_IV, например SiC

Патенты в данной категории

	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА СВИНЦА Изобретение может быть использовано в излучателях или в фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона. Способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца, содержащей подложку и пленку селенида свинца, включает формирование поликристаллической пленки селенида свинца и ее последующую термическую обработку в кислородсодержащей среде, при этом согласно изобретению поликристаллическую пленку селенида свинца формируют на подложке, выполненной из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения, лежащий в диапазоне от 10·10^-6 °С^-1 до 26·10^-6 °С^-1. Изобретение обеспечивает возможность создания фоточувствительных и излучающих структур на основе селенида свинца, у которых максимум спектральных характеристик находится в диапазоне длин волн 4,0< 5,0 мкм. 5 з.п. ф-лы, 3 пр., 3 ил.	2493632 патент выдан: опубликован: 20.09.2013
	СХЕМА, УПРАВЛЯЕМАЯ ИНФРАКРАСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ (ВАРИАНТЫ), ДАТЧИК ЭНЕРГИИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ SIC Использование: измерение мощности или энергии инфракрасного излучения, а также для измерения температуры. Технический результат изобретения - обеспечение возможности работы при высокой температуре без воздушного или водяного охлаждения, измерение инфракрасного излучения большой мощности, противостояние тепловому удару, при минимизации размеров самого устройства. Сущность: тело кристалла SiC реагирует на падающее инфракрасное излучение, изменяя свою реакцию на электрический сигнал. Тело SiC закреплено в монтажной конструкции, включающей в себя подложку из AlN и электропроводный монтажный слой, содержащий W, WC или W₂С, который электрически и механически соединяет тело кристалла SiC с подложкой. 4 с. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.	2218631 патент выдан: опубликован: 10.12.2003