Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы – H01L 31/028
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/028 ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы
Патенты в данной категории
| ПОЛУПРОВОДНИК, ИМЕЮЩИЙ БОЛЬШУЮ ФРАКЦИЮ ВЕЩЕСТВА С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ПОРЯДКОМ Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность: высококачественное немонокристаллическое вещество кремниевого сплава, содержащее области вещества кремниевого сплава с промежуточным порядком (ПП), но которое не включает в себя величину объемного процента, требуемую для образования перколяционного канала внутри вещества. Причем остальная часть вещества является или аморфной, или смесью аморфного и микрокристаллического вещества. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности контроля локального порядка полупроводника, который имеет полезные свойства, отличные и от аморфного, и от кристаллического состояний. 16 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил. | 2197035 патент выдан: опубликован: 20.01.2003 |
|