Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...плоскостные резисторы с p-n-переходом – H01L 29/8605

Изобретение может быть использовано, например, для ограничения пиков тока в электрической цепи. Полупроводниковый элемент содержит сильнолегированную подложку, которая на одной из своих основных поверхностей имеет первый, нанесенный металлизацией металлический слой, а со стороны другой своей основной поверхности соединена со слабее легированной зоной с проводимостью того же типа и имеет еще один сильнее легированный слой с проводимостью того же типа, а также второй, нанесенный металлизацией металлический слой, образующий эту другую основную поверхность полупроводникового элемента. При этом на отдельных участках сильнее легированного слоя предусмотрены области с проводимостью обратного типа, причем р-n-переходы, образующиеся у второй основной поверхности полупроводникового элемента между сильнее легированным слоем, с одной стороны, и областями с проводимостью обратного типа, с другой стороны, накоротко замкнуты через второй нанесенный металлизацией металлический слой. Также предложен способ изготовления полупроводникового элемента, списанного выше. Изобретение обеспечивает возможность настраивать сопротивление полупроводникового элемента на требуемое значение и даже задавать определенную температурозависимую характеристику изменения его сопротивления. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано при разработке высоковольтных полупроводниковых резисторов с заданной зависимостью их сопротивления от приложенного напряжения. Техническим результатом изобретения является разработка конструкции резистивных элементов высоковольтных полупроводниковых резисторов, у которых относительное изменение величины сопротивления ( R_U), при изменении приложенного к нему напряжения в заданном диапазоне напряжений, не превышает заданное значение ( R_Uз). Сущность изобретения: в резистивном элементе высоковольтного полупроводникового резистора, изготовленном из монокристаллического полупроводника с заданным типом проводимости, в котором созданы приконтактные области, омические контакты и предусмотрена защита краевого контура от поверхностного пробоя, толщину резистивного элемента (L_з) определяют из определенных соотношений. 1 табл.