Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток – H01L 29/86

МПКРаздел HH01H01LH01L 29/00H01L 29/86
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/86 ..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток

Патенты в данной категории

ОГРАНИЧИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ УЧАСТКОМ ДИНАМИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к полупроводниковым ограничителям напряжения, и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений. Сущность изобретения: в ограничителе напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, содержащем многослойную кремниевую структуру, слои которой образуют последовательно расположенные р-n переходы, и контакты, структура содержит не менее пяти слоев, в которых время жизни носителей имеет значение из интервала =0,01-1 мксек, концентрация легирующей примеси в слоях находится в интервале 1·1015-1·1020 см-3, а слои выполнены таким образом, что для по крайней мере одного слоя структуры соблюдено условие h i> Di i, где hi - толщина указанного слоя, Di - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, i - время жизни носителей заряда в этом слое, и по крайней мере для одного слоя структуры соблюдено условие hj< Dj j, где hj - толщина этого слоя, D j - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, j - время жизни носителей заряда в этом слое. Техническим результатом изобретения является создание ограничителя напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, а также повышение максимально допустимой рассеиваемой мощности при фиксированном напряжении ограничения. 7 з.п. ф-лы.

2484553
патент выдан:
опубликован: 10.06.2013
ТРАНЗИСТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ КЛЮЧ НА ИСТОЧНИКЕ ПИТАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

Изобретение относится к переключающим устройствам и может быть использовано в электротехнике для замыкания и размыкания электрической цепи переменного тока в заданные промежутки времени. Сущность изобретения: транзисторный биполярный ключ на источнике питания переменного тока содержит биполярный транзистор, нагрузочный резистор, первый контакт которого подключен к эмиттеру биполярного транзистора, а второй контакт подсоединен к первому входу источника питания, коллектор биполярного транзистора подключен ко второму входу источника питания. Эмиттер введенного в устройство фототранзистора соединен с базой биполярного транзистора. У введенного в устройство подстроечного резистора подвижный контакт подключен к коллектору фототранзистора, первый неподвижный контакт подключен ко второму контакту нагрузочного резистора и к первому входу источника питания, второй неподвижный контакт подключен к коллектору биполярного транзистора и ко второму входу источника питания. Обеспечивается возможность коммутации цепей переменного тока на одном транзисторе, причем ключевой режим при таком включении поддерживается автоматически при различных значениях переменного синусоидального напряжения. 2 ил.

2465686
патент выдан:
опубликован: 27.10.2012
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕРЫВАТЕЛЬ ТОКА

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и может быть использовано для генерирования мощных наносекундных импульсов высокого напряжения в схемах с индуктивным накопителем и прерывателем тока. Технический результат изобретения заключается в уменьшении времени обрыва обратного тока и увеличении коэффициента перенапряжения при формировании импульса. Сущность: полупроводниковый прерыватель тока образован набором последовательно соединенных полупроводниковых структур, каждая из которых содержит сильнолегированные р+- и n+-области, расположенные по краям структуры, слаболегированную n-область и р-область с умеренным легированием, расположенные внутри структуры и образующие р-n-переход, глубина залегания р-n-перехода в структурах 180-200 мкм. 1 табл., 5 ил.
2156014
патент выдан:
опубликован: 10.09.2000
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Использование: микроэлектроника. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть выполнены управляемые напряжением линии передачи. Полупроводниковый прибор содержит низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), на другой поверхности которого сформирован полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости (1) с омическим контактом, на поверхности которого выполнен слой (2) из полупроводника или (и) металла, образующий с (1) p - n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя (1) ограничен условием полного обеднения слоя (1) либо его части основными носителями заряда до пробоя р - n-перехода либо (и) барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения



где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1); y - координата, отсчитываемая от металлургической границы р - n-перехода или барьера Шоттки вдоль толщины слоя (1); q - элементарный заряд; Ni(x,y,z)-профиль распределения примеси в слое (1); d(x, z) - толщина слоя (1); z, х - координаты на поверхности пленки; s - диэлектрическая проницаемость слоя (1); Uk - встроенный потенциал. Р - n-переход или (и) барьер Шоттки может быть сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления X, выбранного на поверхности слоя (1). На поверхности полупроводникового слоя (1) сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски (3), образующие с (1) невыпрямляющий контакт, которые либо соединены с омическим контактом к (1), либо выполнены с зазором относительно омического контакта, полоски (3) либо соединены с проводящими участками (4), выполненными на свободной поверхности слоя (5), либо слой (5) сформирован поверх полосок (3). Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами, а также регулировать величину сопротивления низкопроводящего полупроводникового слоя. 2 з.п. ф-лы, 21 ил.
2139599
патент выдан:
опубликован: 10.10.1999
СПОСОБ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР КЛЮЧЕВОГО ТИПА (ВАРИАНТЫ)

Использование: полупроводниковая техника, способы переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа. Сущность изобретения: в способе переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа импульс управления, совпадающий с полярностью рабочего напряжения, подают на полупроводниковую структуру до момента ее переключения, причем скорость нарастания импульса управления удовлетворяет соотношению dU/dt > 2E0W/s, где Eo - характеристическое поле полупроводниковой кремниевой структуры, равное 105 В/см; W - толщина высокоомного слоя полупроводниковой структуры, характеризующаяся уровнем легирования акцепторной Na или донорной Nd примесями, не более 1015 см-3 каждая. Толщина слоя W не превышает 0,2 см; s - пролетное время подвижных носителей заряда через высокоомный слой толщиной W, равное s = W/Vs, где Vs - насыщенная скорость дрейфа носителей в полупроводниковой структуре. Во втором варианте способа импульс управления с полярностью, противоположной полярности рабочего напряжения, подают на полупроводниковую структуру до момента ее переключения, причем скорость нарастания импульса управления удовлетворяет соотношению dU/dt > 4E0W/s, где Eo - характеристическое поле полупроводниковой кремниевой структуры, равное 105 В/см; W - толщина высокоомного слоя полупроводниковой структуры, характеризующаяся уровнем легирования акцепторной Na или донорной Nd примесями, не более 1015 см-3 каждая. Толщина слоя W не превышает 0,2 см; s - пролетное время подвижных носителей заряда через высокоомный слой толщиной W, равное s = W/Vs, где Vs - насыщенная скорость дрейфа носителей в полупроводниковой структуре. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и эффективности способа переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа за счет уменьшения коммутационных и остаточных потерь в структуре и увеличения коммутируемых напряжения и тока. 2 с.п.ф-лы, 7 ил.
2113744
патент выдан:
опубликован: 20.06.1998
ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ

Использование: создание твердотельных полупроводниковых приборов для аппаратуры связи, радиоэлектронной аппаратуры и в медицине. Сущность изобретения: генератор электромагнитных колебаний СВЧ- и КВЧ-диапазонов, в котором активный элемент -преобразователь энергии источника постоянного напряжения в электромагнитные колебания содержит резонансно-туннельную структуру с участком отрицательной дифференциальной проводимости на ее вольт-амперной характеристике. Резонансно-туннельная структура расположена на проводящей подложке и содержит область резонансной проводимости. К ней и к проводящей подложке через омические контакты подсоединен источник постоянного напряжения. Пассивная цепь генератора - резонатор колебаний в виде проводящего слоя подложки. Кратчайшее расстояние между контактом к проводящему слою подложки и областью резонансной проводимости больше, чем отношение проводимости проводящего слоя подложки к абсолютному значению отношения разности плотности токов к разности напряжений в точках экстремума вольт-амперной характеристики области с резонансной проводимостью. 1 ил.
2113743
патент выдан:
опубликован: 20.06.1998
СВЧ-ДИОД С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ

Использование: в полупроводниковой электронике, в частности, в приборах с балочными и объемными выводами при создании смесительных, детекторных и других СВЧ-диодов и диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения: в слое эластичного диэлектрика, расположенного под анодными и катодными выводами и являющимся несущей основой диода, убирается его центральная часть, покрывающая анод и прилегающие к нему области анодного и катодного выводов. Слой диэлектрика принимает форму рамки, опирающейся на балочные выводы и скрепленной с ними, за счет чего сохраняется прочность конструкции. 2 ил.
2061980
патент выдан:
опубликован: 10.06.1996
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЙ ДИОД

Использование: изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ- и КВЧ-диапазонов, в частности к разработке приборов, предназначенных для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств. Сущность изобретения: устройство содержит слаболегированную область первого типа проводимости, в которой расположены две сильнолегированных области первого типа проводимости и одна сильнолегированная область второго типа проводимости. Сильнолегированная область второго типа проводимости отделена от слаболегированной области сильнолегированым и легированным слоями первого типа проводимости. Сильнолегированная область второго типа проводимости соединена с одной из сильнолегированных областей первого типа проводимости металлическим проводником, отделенном от слаболегированной области слоем диэлектрики. 4 ил.
2024997
патент выдан:
опубликован: 15.12.1994
Наверх