Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......с затвором типа барьера Шотки – H01L 29/812

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полевой транзистор СВЧ содержит полупроводниковую подложку со структурой слоев, которая выполнена в виде прямой последовательности полуизолирующего слоя, n⁺ типа проводимости слоя, стоп-слоя, буферного слоя, активного слоя, с толщиной полуизолирующего и буферного слоев не менее 30,0 и 1,0-20,0 мкм соответственно, часть металлизированного отверстия для заземления общего электрода истока с лицевой стороны полупроводниковой подложки на глубине, равной сумме толщин активного, буферного и стоп слоев, выполнена с металлизированным дном, а другая часть металлизированного отверстия с обратной стороны полупроводниковой подложки на глубину, равную сумме толщин полуизолирующего и n ⁺ типа проводимости слоев, выполнена глухой в виде сплошного слоя из высоко тепло- и электропроводящего материала, при этом асимметрично в сторону общего электрода стока относительно вертикальной оси металлизированного отверстия, с размером поперечного сечения, равным размеру поперечного сечения топологии элементов активной области полевого транзистора, упомянутые части металлизированного отверстия перекрываются полностью либо частично в горизонтальной плоскости места их соприкосновения, а интегральным теплоотводом одновременно является сплошной слой из высоко тепло- и электропроводящего материала другой части металлизированного отверстия. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности и коэффициента усиления, уменьшение массогабаритных характеристик, снижение стоимости, повышение выхода годных и, соответственно, производительности. 3 з.п. ф-лы, 1 ил, 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных электродов истока, затвора, стока. Между парами единичных электродов исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия, а в парах единичных электродов исток-сток расположены каналы с канавками, в последних расположены единичные электроды затвора. Единичные электроды затвора расположены асимметрично в сторону единичных электродов истока, одноименные единичные электроды истока, затвора, стока соединены электрически. При этом полевой транзистор с барьером Шотки, согласно изобретению, в канале каждой из пар единичных электродов исток-сток со стороны единичного электрода истока дополнительно содержит диэлектрический слой, имеющий низкую диэлектрическую проницаемость, толщиной, равной 0,15-0,25 мкм, а каждый из единичных электродов затвора относительно его боковой поверхности со стороны единичного электрода стока выполнен по высоте с разным размером поперечного сечения в сторону единичного электрода истока, верхним - длинным и нижним - коротким, примыкающим к поверхности канавки канала, при этом размер поперечного сечения верхней - длинной части превышает размер поперечного сечения нижней - короткой части на 0,5-0,8 мкм, высота последней равна толщине дополнительного диэлектрического слоя. При этом с одной стороны две взаимно перпендикулярные поверхности дополнительного диэлектрического слоя относительно его толщины непосредственно примыкают по ширине единичного электрода затвора к вертикальной поверхности его нижней - короткой части и к горизонтальной превышающей поверхности верхней - длинной части соответственно, а с противоположной стороны упомянутые поверхности расположены вровень с краем верхней - длинной части единичного электрода затвора либо перекрывают от этого края канал с единичным электродом истока не более 4 мкм. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Для повышения быстродействия и уменьшения занимаемой площади в интегральный логический элемент «не» введены области третьего и четвертого каналов собственной проводимости, дополнительные AlGaAs-области первого и второго типов проводимости, образующие управляющий р-n-переход, дополнительная металлическая входная шина, дополнительные выходные области первого и второго типов проводимости, дополнительная выходная металлическая шина, области аморфизации, причем области каналов образуют сверхрешетку второго типа. 7 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Технический результат заключается в повышении быстродействия. В интегральном логическом элементе (ИЛЭ) «НЕ» на основе туннельного эффекта с парафазными выходами осуществляется использование эффекта туннелирования носителей заряда (НЗ) между областями первого и первого дополнительного каналов (К), разделенных AlGaAs-областью первого туннельного барьера (ТБ), и между областями второго и второго дополнительного К, разделенных AlGaAs-областью второго ТБ, а также использование двух входных шин и дополнительных областей питания, нулевого потенциала, спейсеров и дополнительных AlGaAs-областей первого и второго типов проводимости. Это обеспечивает переключение ИЛЭ из состояния логического нуля в состояние логической единицы и наоборот под воздействием управляющих входных напряжений в течение времени, определяемого инерционностью процессов дрейфа и туннелирования НЗ через AlGaAs-области первого и второго ТБ и не зависящее от времени пролета НЗ GaAs-областей К, поскольку суммарное число НЗ в К, разделенных областями ТБ в процессе переключения ИЛЭ, остается практически неизменным. 4 ил.